IGZO沉积用热原子沉积设备（LTPO）

   由于LTPS TFT具有高电子迁移率，从而得到快速应答。虽然电耗比具有低漏泄电流的Oxide TFT大，但一直应用于消耗大部分电力的智能手机OLED显示领域。

   但最近在提高移动和在穿戴设备的能效上有了新的技术，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT，此技术是电子高迁移率的LTPS TFT和低漏泄电流的Oxide TFT合成技术。在这个TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光线，使用了低漏泄电流的Oxide TFT。而Operating TFT需要通过调节光量进行快速画面切换，所以使用了具有高电子迁移率的LTPS TFT.

   智能手表主要使用黑色背景，由于Switching的电耗比较高，采用LTPO TFT可降低约40%的电耗。因此，包括苹果在内的众多智能设备制造商正在应用或即将应用LTPO. 另外，由于这种低电耗的优势，最近三星和苹果等智能手机制造商正在积极开发，目标是将LTPO显示屏搭载到高端智能手机上。

   Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉积，但厚度和成分均匀度的问题，等离子体损伤导致物理电器特性降低以及溅射目标均匀度的问题。但是，当应用  ALD-IGZO时，可以在低温度工艺下控制原子单位的厚度和组成，因为工艺过程中没有等离子体损伤，因此可以实现高质量的薄膜沉积。

   通过用Thermal ALD的方法控制ALD循环比例，可以获得目标IGZO的原子组成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此，这种方式能够轻松的调节适合客户元件结构IGZO的组成。从而获得优于溅射方式的元件特性。

   研发IGZO工艺用高生产率配置ALD系统，该系统采用新的技术，将多元系氧化物IGZO的组成比控制在个别应用领域元件所需的组合比。特别是 GD Series的应用，可在多个大面积基板上沉积ALD，有望在目前迅速应用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供质量竞争力和高生产率。