高真空碳镀膜仪

• 208C高真空镀碳仪为SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探针分析提供高质量的镀膜技术。系统结构紧凑，所占空间小。样品室直径150mm，可快速抽真空进行镀膜处理，处理周期约10分钟。高真空条件下使用超纯的碳棒为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。.组件设计方式可方便地对不同优化条件下的各种应用进行切换

主要特性

• 电压控制的碳棒具有多次蒸发能力

• 反馈控制可以得到准确一致的镀膜厚度

• 可选择操作方法优化镀膜过程

• 繁忙条件下可进行自动蒸发控制

• 低成本高分辨膜厚监测仪保证可重复的镀膜效果

• 80L/s的分子涡轮泵可快速地使直径150mm的样品室达到镀膜要求的真空

• 可配备无油涡旋式真空泵选件

1. 可通过以下方式节约成本：无须水冷却系统

2. 无须加热或冷却

3. 无须液氮

4. 制样周期短

5. 节省空间

碳蒸发控制

• 208C对碳棒－Bradley型碳蒸发源使用独特的完全集成的反馈控制设计。

• 电流和电压通过磁控头的传感线监控，蒸发源作为反馈回路中的一部分被控制。该蒸发装置使常规的碳棒具有优良的稳定性和重现性。功率消耗低，碳棒具有异常的重新蒸镀特性。

• 蒸发源使用两步超纯碳棒。

• 蒸发源可以手动“脉冲”或“连续”的方式进行镀膜。“脉冲”方式如果和MTM-10高分辨膜厚监测仪一起使用，可以准确得到所需要的膜厚。自动方式下的操作非常方便，操作者只要设定电压和时间，可以得到一致的镀膜效果。

208C 样品室

• 样品室的组件设计方式可适应多种附件使用。

• 通过简单调节工作距离，可方便地调节蒸发速率。

• 独特的标准化高/低真空压力调节通过精密针阀完成。

• 高真空用于最高质量地镀膜，如用于TEM制样。

• 低真空用于TEM栅网的辉光放电清洁以及扫描电镜观察中形貌复杂样品的镀膜。

• 对于SEM、EDS/WDS 和探针分析，旋转－行星转动－倾斜样品台可对同时多个样品进行一致的镀膜处理。

• 旋转－倾斜台特别为TEM样品处理设计，而且可以放置25 x 75mm的玻片。