美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统

美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统

美国RHK Technology公司突破了制冷机与STM结合时，存在强震动噪音的技术壁垒，推出了款无液氦UHV LT STM/ AFM-qPlus系统。在制冷机运行的状态下(<9K)，轻松获得原子分辨率的扫描隧道显微图像。简单易用的机械和软件设计，不需要掌握复杂的STM技术和低温制冷方法，轻松开展材料科学和表面物理前沿科学研究，让低温STM真正走进您的实验室。 

应用领域：

●  二维材料，纳米科学，表面物理化学等

●  STM：导电样品形貌、电学性能（电导、电子态密度、能带、轨道）、磁学性能（近藤效应、自旋反转）、化学键振动表征，原子或分子操纵，纳米结构的建造

●  AFM：导电或不导电样品形貌表征，力学性能,电荷分布（局部接触势） 

基本参数：

-  温度范围：9K-400K

-  XY方向漂移：0.2?/hour，Z方向漂移: 0.2?/day

-  XYZ方向粗位移范围：5x5x8mm@RT

-  大扫描范围：8x8x1.5um@RT；2x2x0.5um@10K

-  垂直样品方向5T磁场或垂直

-  平行样品方向5T-1T矢量磁场

产品特点：

-  无需任何液氦，样品和探针始终处于相同温度；

-  全温区范围实现STM原子分辨图像；在制冷机运行状态下，噪音水平低于1pm；

-  工作模式有STM和AFM-qPlus，具有强大的谱图采集和分析能力；自带PLL和Lock-in，实现I-V，dI/dV以及dI2/dV2谱线采集和谱图成像；

-  样品架灵活配置：样品尺寸10x10mm，可外接4个电路；

-  仅需日常用电，运行和维护成本低。彻底摆脱低温STM实验受液氦供应制约的烦恼。不再需要掌握复杂的液氦操作和安全知识，连续不间断地进行低温STM实验研究。

-  适用于与UFO腔体/MBE/PLD/LEED/APERS等仪器实现真空联用。

Si(111)表面dI/dV(微分电导) mapping

同时测量的Si(111)样品STM/qPlus-AFM原子图像

应用案例：

案例1：

Oregon University的George Nazin教授利用扫描隧道显微（STM）和扫描隧道谱学（STS）技术研究了吸附在Au(111)表面上的烷基取代噻吩低聚物的构象和电子结构，发现Au(111)表面反应活性的局部变化可以导致分子轨道能的明显变化（下图，DOI: 10.1021/acsami.5b03516）。

这些结果表明，界面分子的构象和电子结构可能与基于块状噻吩晶体的能带结构而预期的性能有很大的不同。

案例2：

荷兰Leiden University的Marc T. M. Koper教授通过原子分辨的STM图像发现了两条由水分子组成的平行线沿Pt(111)台阶边缘排布（下图，DOI: 10.1103/PhysRevLett.116.136101），并验证了Pt(111)的模板作用，确认形成了双链水的结构。

这些结果突出表明了Pt表面电子波纹对吸附在其表面的水结构的巨大影响。

发表文章：

1. Lee E. Korshoj et al. Nature comm. 8:14231, 2017.

2. Benjamen N. Taber et al. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 15138?15142.

3. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. C 2015, 119, 26959?26967.

4. Christian F. Gervasi et al.Nanoscale, 2015, 7, 19732–19742.

5. Manuel J. Kolb et al.PRL 116, 136101 (2016).

6. J. Derouin et al.Surface Science 641 (2015) L1–L4.

7. Jason D. Hackley et al.REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 85, 103704 (2014).

8. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2016, 7,1047?1054.

9. D. A. Kislitsyn et al.Phys. Chem. Chem. Phys., 2016, 18, 4842--4849.

10. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014, 5, 3701?3707.

11. Jonathan Derouin et al.ACS Catal. 2016, 6, 4640?4646.

12. Dmitry A. Kislitsyn et al.J. Phys. Chem. Lett. 2014, 5, 3138?3143. 

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