关注
已关注
已认证
粉丝量 0
400-860-5168转0727
仪器信息网认证电话，请放心拨打
上海伯东 KRI 离子源用于离子束抛光机
2024/10/24 09:04
阅读：2
分享：
方案摘要：
产品配置单：
上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源,进口离子源,KDC 40
型号： KDC 40
产地： 美国
品牌： 考夫曼
面议
参考报价
联系电话
方案详情：
离子束抛光适用于大面积、异型、特殊材料等加工对象的超高精度非接触式修形及抛光, 精度可达亚纳米级, 被誉为终极抛光. 离子束抛光机的最核心部件是可聚焦的高能量离子源. 上海伯东某客户为专业精密光学元器件设备制造商, 主要产品为离子束抛光机、磁流变抛光机等, 提供超精密光学工艺制造研发服务, 是一家超精密光学元器件解决方案提供商. 经推荐, 该客户采用上海伯东美国 KRi 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机.
KRI 离子源用于离子束抛光机:
应用方向：非接触式亚纳米离子束表面修形
应用领域：半导体/精密光学
产品类别：高精密光学器件
加工指标：
1. 加工尺寸能力 5-1200mm ；
2. 采用非接触式加工, 无边缘效应, 不产生亚表面损伤；
3. 亚纳米加工精度, 可实现面型 RMS<3nm 高精度抛光能力；
4. 加工光学元器件形状有：平面、球面、非球面、自由曲面、离轴非球面等；
5. 加工光学元器件材料有：石英玻璃、微晶、超低膨胀玻璃、KDP 晶体、蓝宝石、硅、碳化硅、红外材料等.
美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源在离子抛光机内部的移动运行.
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号:
型号 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 阳极 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 |
离子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| |||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直径 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 | ||||
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗女士
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
下载本篇解决方案：
更多
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题.
材料
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景. 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响
材料
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备富硅SiNx薄膜
云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义.
材料
2024/10/28
上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射多层沉积 Nb3Sn 超导薄膜
国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.
材料
2024/10/28
公司名称： 伯东企业（上海）有限公司
公司地址： 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 联系人： 罗小姐 邮编： 200131 联系电话： 400-860-5168转0727
仪器信息网APP
展位手机站