HVA真空阀门用于太阳能电池生产 太阳能电池又称为 ”太阳能芯片” 或 ”光电池”, 是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片. 它只要被满足一定照度条件的光照到, 瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流. 在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic, 缩写为PV）, 简称光伏.太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置. 以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流, 而以光化学效应工作的薄膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段.太阳能电池的种类很多, 但其中硅太阳能电池是发展最成熟的, 在应用中居主导地位. 硅太阳能电池在太阳能电池生产中, 硅片是重要的构成部件, 但硅片非常薄, 现在一般厚度只有200um, 是比较脆的, 所以在太阳能电池的生产过程中, 对震动比较敏感. 所以在硅太阳能电池生产中对真空阀门要求比较高, 且易维护, 可靠性能, 使用寿命长等.HVA真空阀门是全球领先的真空技术创新者, HVA真空阀门广泛运用于太阳能电池行. HVA 真空阀门也是高真空阀和超高真空阀的主要制造商和供应商.HVA真空阀门用于太阳能电池美国HVA真空阀门获得太阳能电池行业某公司订单. 该客户是一家高速发展的光伏设备及绿色能源产业专用设备制造商, 产品涵盖原生多晶硅料生产设备, 硅片加工设备, 晶体硅电池生产设备.该客户参考国外同类设备的真空阀门使用情况, 相中了我们HVA真空阀门. HVA真空阀门具有独特的密封系统, 可避免粉尘颗粒污染, 这样就减少了维护次数. 外形尺寸小, 采用了专利技术的驱动系统,运行时震动小. 很好的满足了客户的需求.经过于深入沟通了解客户需求, 伯东工程师给客户推荐产品型号HVA 88240, 将HVA铝质矩形真空阀门用在了他们各个真空机台的Load-lock工位,用于2X18英寸规格内的硅片生产线上,起传递硅片的作用.到现在为止, HVA真空阀门完全满足了客户的各种要求. HVA 真空阀门 28200系列说明HVA 真空阀门 28200系列直接驱动矩形阀是真空阀行业中最小的内表面积之一. 在打开位置, 密封板O形圈完全不可见, 防止任何颗粒或介质流积聚在密封表面上. 在关闭位置, 整体式块状设计可防止任何材料堆积在阀机构的背面, 从而大大降低了维修和保养要求. 该阀经过专门设计, 可满足行业对机械接口和真空容器的要求. 为了满足模块化集成处理系统的特定需求, 这些阀门设计为隔离浇口两侧的真空压力. 窄型设计（包括执行器和控制器）允许紧密安装在中央, 负载锁定.HVA 真空阀门 28200系列标准技术规格:1. HVA 真空阀门 28200系列用料:阀体和闸板：304不锈钢波纹管焊接轴封：AM-350传动轴和销：硬化不锈钢阀盖/闸板密封：Viton®弹性体2. HVA 真空阀门 28200系列烘烤温度无电磁阀弹性体密封阀盖：150°C执行器：60°C3. HVA 真空阀门 28200系列安装位置: 任何4. HVA 真空阀门 28200系列服务周期: 1,000,000个周期, 取决于过程5. HVA 真空阀门 28200系列真空压力范围: 1×10 -9 mbar氦气泄漏率: 差压关闭: 任一方向均为1 bar打开前最大值压力: HVA 真空阀门在国外各个真空设备厂商中广泛应用, 如AKT离子系统, Veeco, Cree 等等知名设备商.上海伯东是 HVA 真空阀门中国区的总代理, 负责HVA 真空阀门在中国地区的销售及相关技术支持.伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生 

HVA 真空阀门（真空闸阀）成功用于激光真空系统激光是一种很奇妙的 ”物质”, 是人类继原子能、计算机和半导体之后人类的又一伟大发现.人们都知道, 激光亮度极高, 可以达到太阳亮度的10亿倍甚至更高.激光纯净无比, 单色性极好; 激光具有无比的准直性（直线传播）; 而且, 激光的能量强大, 瞬间爆发的能量, 即使最坚硬的物体也能够被穿透、熔化. 因此, 激光在生产、生活和科研中的应用十分广泛.因此激光真空系统具有特殊性, 对使用的真空阀门有特殊要求.HVA真空阀门（真空闸阀）成功用于激光真空系统激光真空系统特殊性, 美国HVA 真空阀门现提供带孔真空插板阀(Gate Valve), 其具体优点如下:1. 激光束可以顺利通过HVA真空阀门的挡板, 从而无须在系统上另外开孔, 降低制造成本;2. 孔径的大小和数量可以根据客户的实际情况进行测算和加工;3. 可根据激光束的方位, 在真空阀板上同时开立多个孔位, 例如: 等边正方形, 或等边三角形等;4. 孔的材料为石英玻璃, 具有高通过性, 无发散或反射干扰;5. 整体真空插板阀Gate Valve 的性能及密封性与标准真空阀门一致.目前, 上海伯东公司已经成功的在大学, 中科院系统等单位推广此类带孔真空插板阀, 客户的使用效果及反映非常良好.HVA 真空阀门主要产品有:11000系列不锈钢闸阀81000系列铝制闸阀21700系列不锈钢三位置闸阀71000系列不锈钢苛刻工艺闸阀88200/28200系列矩形/狭缝阀4000系列角阀21200系列不锈钢百万次循环闸阀2000系列不锈钢球阀13000系列不锈钢层流闸阀16000系列不锈钢屏蔽闸阀  伯东公司代理美国 HVA 系列真空阀门、真空闸阀、真空角阀、真空球阀被广泛应用于半导体、镀膜、激光、科研、工业等领域, 并与众多国际知名的设备制造商和知名单位有合作, 例如：AMAT,  Lam Research, AKT, Sandia, NASA, Los Alamos, AKT离子系统, Veeco, Cree等等. 上海伯东是HVA真空阀门中国区的总代理, 负责HVA 真空阀门在中国地区的销售及相关技术支持. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                

国内某 OLED 镀膜机厂家配置伯东美国 HVA 真空阀门 11000 系列，尺寸以 4”, 6”, 8”阀门口径为主的标准不锈钢气动高真空闸阀, HVA 不锈钢真空闸阀 11000 系列标准技术规格:  阀门材质: - 阀门主体 304 不锈钢 - 焊接波纹管轴封 AM - 350 阀门密封方式 - 高真空 氟橡胶 - 超高真空 铜垫圈 / 氟橡胶 真空: - 压力范围 高真空 1x10-9 mbar, 超高真空 1x10-10 mbar - 漏率  - 差压关闭 1 bar ( 任意位置 ) - 开启前最大压力 ≤ 30 mbar 烘烤温度（不含电磁阀）: - 弹性体密封阀盖 150°C - 金属密封阀盖-开启温度：200°C-关闭值：150°C - 驱动方式 手动 60 °c, 气动 60 °c机制手动：手摇曲柄电磁阀供电电压 120 VAC 50 /60 Hz电磁阀可选电压 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz 或 12, 24 VDC 电磁阀位置指示器,最大 115 VAC 或 28 VDC, 20 mA气动送风：80 psig 使用寿命: 100,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) 公称通径: DN 16 - 800 mm 下图是某 OLED 镀膜机厂家配置上海伯东美国 HVA 高真空阀门 OLED 镀膜机主要面向有机半导体照明客户, 需要镀膜机性能更稳定, 器件效率更高, 性价比高,对于生产 OLED 镀膜机的客户, 为了节省抽空时间和防止基片的污染, 会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样, 由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加高真空阀门来隔离系统. 伯东美国 HVA 真空阀门已广泛应用于 OLED 镀膜机 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生   

某半导体工厂在生产线上气体输送环节的气体管路系统采用伯东 HVA 不锈钢真空闸阀 11000 ，作为真空隔离密封.   HVA 不锈钢真空闸阀 11000 系列标准技术规格:  阀门材质: - 阀门主体 304 不锈钢 - 焊接波纹管轴封 AM - 350 阀门密封方式 - 高真空 氟橡胶 - 超高真空 铜垫圈 / 氟橡胶 真空: - 压力范围 高真空 1x10-9 mbar, 超高真空 1x10-10 mbar - 漏率  - 差压关闭 1 bar ( 任意位置 ) - 开启前最大压力 ≤ 30 mbar 烘烤温度（不含电磁阀）: - 弹性体密封阀盖 150°C - 金属密封阀盖-开启温度：200°C-关闭值：150°C - 驱动方式 手动 60 °c, 气动 60 °c机制手动：手摇曲柄电磁阀供电电压 120 VAC 50 /60 Hz电磁阀可选电压 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz 或 12, 24 VDC 电磁阀位置指示器,最大 115 VAC 或 28 VDC, 20 mA气动送风：80 psig 使用寿命: 100,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) 公称通径: DN 16 - 800 mm  HVA 是真空技术创新者的真空阀门(插板阀), 是高真空阀门的主要制造商和供应商. 在设计真空系统时, 可以轻松集成 HVA 阀门. HVA 闸阀从5/8英寸（16毫米）到32英寸（800毫米）, 而矩形/狭缝阀的最大距离为80英寸（2m）, 可以满足您的真空阀门(插板阀)要求. 无论您是升级现有的真空系统还是 OEM 设计新的系统, HVA 都可以提供经济高效的替代阀门解决方案. HVA 真空阀门(插板阀)的阀体和所有主要内部组件都是内部钎焊的真空炉, 消除了虚拟泄漏的可能性, 阀体变形最小化. 40多年来, HVA 一直在建造业内质量最高, 设计最好的真空阀门(插板阀). HVA 代表着质量, 工程, 定制和服务. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生

某知名品牌 Sputtering + E-Beam PVD 镀膜机系统采用 HVA 真空阀门 11000, HVA 真空阀门安装在分子泵口便于泵的检修,同时外系统停机时不破坏系统真空, 只要对泵内部进行破真空即可.HVA 不锈钢真空闸阀 11000 系列标准技术规格:  阀门材质: - 阀门主体 304 不锈钢 - 焊接波纹管轴封 AM - 350 阀门密封方式 - 高真空 氟橡胶 - 超高真空 铜垫圈 / 氟橡胶 真空: - 压力范围 高真空 1x10-9 mbar, 超高真空 1x10-10 mbar - 漏率  - 差压关闭 1 bar ( 任意位置 ) - 开启前最大压力 ≤ 30 mbar 烘烤温度（不含电磁阀）: - 弹性体密封阀盖 150°C - 金属密封阀盖-开启温度：200°C-关闭值：150°C - 驱动方式 手动 60 °c, 气动 60 °c机制手动：手摇曲柄电磁阀供电电压 120 VAC 50 /60 Hz电磁阀可选电压 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz 或 12, 24 VDC 电磁阀位置指示器,最大 115 VAC 或 28 VDC, 20 mA气动送风：80 psig 使用寿命: 100,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) 公称通径: DN 16 - 800 mm  E-Beam 镀膜机设备组成: 系统主要由蒸发室, 电子枪, 进样室 (可选) , 旋转基片加热台, 工作气路, 抽气系统, 真空测量, 电控系统及安装机台等部分组成. 基片在做实验前一般需要做镀前预处理, 镀前预处理的目的是为了得到干净新鲜的金属表面, 为最后获得高质量镀层作准备, 要进行脱脂, 去锈蚀, 去灰尘等工作, 也有客户在 LOADLOCK 腔进行射频反应清洗, 通过使用上海伯东 KRI 离子源将基片的表层打掉, 得到更光滑和均匀的表面. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生  

伯东代理的美国 HVA 真空阀门成功应用于中国研制的亚洲最大的粒子加速器系统.  HVA 不锈钢真空闸阀 11000 系列标准技术规格:  阀门材质: - 阀门主体 304 不锈钢 - 焊接波纹管轴封 AM - 350 阀门密封方式 - 高真空 氟橡胶 - 超高真空 铜垫圈 / 氟橡胶 真空: - 压力范围 高真空 1x10-9 mbar, 超高真空 1x10-10 mbar - 漏率  - 差压关闭 1 bar ( 任意位置 ) - 开启前最大压力 ≤ 30 mbar 烘烤温度（不含电磁阀）: - 弹性体密封阀盖 150°C - 金属密封阀盖-开启温度：200°C-关闭值：150°C - 驱动方式 手动 60 °c, 气动 60 °c机制手动：手摇曲柄电磁阀供电电压 120 VAC 50 /60 Hz电磁阀可选电压 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz 或 12, 24 VDC 电磁阀位置指示器,最大 115 VAC 或 28 VDC, 20 mA气动送风：80 psig 使用寿命: 100,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) 公称通径: DN 16 - 800 mm 美国 HVA 真空阀门针对加速器真空系统的特殊性, 提供超高真空插板阀系列产品, 其优点如下1. 密封性好: HVA 真空插板阀最高可以保持 1x10E-10 Torr 的超高真空度2. 反相承压: HVA 真空插板阀可以在 760torr 的压力下正常工作3. 接口多样: HVA真空插板阀提供各种接口, 法兰 CF-F, KF/ISO, ANSI, Custom4. 提供定制: HVA真空插板阀可以提供各种口径 ( 范围: DN16-1250 mm ) 上海伯东已经成功为上海各个大学, 中科院系统, 半导体相关等单位供应此类带孔真空插板阀, 可根据客户需求进行定制, 客户的使用效果及反映良好. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗先生                               

‍‍汽车零部件漏率标准和氦质谱检漏方法为了满足环保要求, 安全性能和功能, 汽车的众多零部件均需要进行密封性泄漏测试, 上海伯东依据专业知识和技术支持, 提供从汽车零部件设计阶段到最终实施检漏解决方案的全程服务, 针对不同零件和工况, 提供合适的泄露检测设备, 满足汽车零件生产和研发要求.汽车中需要检漏的零部件 动力总成和底盘发动机缸体和机头驱动轴传动装置减震器车轮, 车灯电子控制装置燃油系统和电池油箱和线路燃料蒸汽管理系统/组油箱加油口帽燃油泵和过滤器注射系统锂离子电池冷却和安全制动线路和液体储存空调软管和压缩机空调冷凝器散热器和热交换器气囊点火器和发电机总装空调系统燃油系统动力总成油回路动力总成水回路发动机水回路冷却回路电池汽车零部件漏率标准 ( 仅供参考, 来源原厂资料 )汽车零部件氦质谱检漏方法上海伯东提供氦质谱检漏仪完整的产品线, 从便携式氦质谱检漏仪到检漏模块, 提供负压检漏 (真空法) 和正压检漏(吸枪法), 满足汽车行业零部件检漏要求. 氢燃料电池车的车载供氢系统检漏: 氢气储存于 35Mpa 或 70Mpa 高压气瓶中, 单个气瓶泄漏出的氢气浓度需要小于 6 ppm, 采用上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 340, 正压法检漏. 漏率设置 1x10-6 mbal l/s.汽车油箱检漏系统: 采用上海伯东检漏模块 ASI 35, 该套定制检漏系统可用于汽车燃油箱及管路等检漏, 真空箱式检漏系统, 单次检测 2个汽车油箱, 测试油箱的整体漏率值, 漏率设置 1X10-6mbar l/s.汽车胎压监测系统 TPMS 中的传感器检漏: 胎压传感器本身就是一个密封的电子元件, 如果漏率不合格, 直接导致监测实效. 采用上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 340, 漏率设置 1x10-6 mbal l/s.汽车空调蒸发器, 冷凝器检漏: 将充氦气 1.5公斤压力的蒸发器放置在腔体中, 用夹具加紧. 关闭腔体门, 用前级泵开始对腔体进行抽真空, 氦质谱检漏仪吸枪放在定位处, 采用上海伯东氦质谱检漏仪 ASM 340, 漏率设置  1x10-6 mbal l/s.无论泄漏大小, 上海伯东 Pfeiffer 检漏仪都能精确跟踪不论多大或多小的泄漏都逃不过氦质谱检漏仪的检测. 不管是水, 油, 燃料, 制冷剂, 气体, 蒸汽, 空气或是真空的泄漏都能使用检漏仪进行检测. 从微型电子装置到体积庞大的容器, 从真空系统逸出的介质到进入真空系统的气体, 检漏仪所使用的范围与普通工业产品的使用范围一样广.型号ASM 340ASM 390ASM 306SASM 310ASI 35图片特点多功能多用途前级泵可选油泵, 干泵或不配前级泵大抽速移动式无油前级泵吸枪嗅探无油前级泵便携式无油前级泵检漏模块检漏模式真空吸枪真空吸枪吸枪真空吸枪真空吸枪检测气体4He, 3He, H24He, 3He, H24He, 3He, H24He, 3He, H24He, 3He, H2最小检测漏率 Pa m³/s真空模式: 5x10-13吸枪模式: 5x10-10目前业界公认最小漏律真空模式: 1X10-13吸枪模式: 1X10-9吸枪模式: 1X10-8真空模式: 5X10-13吸枪模式: 1X10-8真空模式: 5x10-13吸枪模式: 1.5x10-9对氦气的抽速 L/s2.510-1.1总泄露模式: 6常规模式: 1.8若您需要进一步的了解氦质谱检漏仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 叶女士                                   台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 107              T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-975-571-910qq: 2821409400现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士 1391-883-7267上海伯东版权所有, 翻拷必究！‍‍

‍‍‍‍氦质谱检漏仪高真空排气台密封性泄露检测上海伯东某客户生产研发多工位高真空和超高真空排气台, 实现多工位同时抽真空的效果, 真空度需要稳定在 -7 mbar, - 8 mbar, 包含真空系统在内的多个组件, 均需要进行密封性泄露测试, 以保证高真空性能. 经过上海伯东推荐真空系统核心组件分子泵选用德国 Pfeiffer HiPace 系列, 并使用无油干式氦质谱检漏仪 ASM 340D 对整个排气台进行密封性检漏.‍‍高真空排气台真空系统组成* 涡轮分子泵 HiPace 80, HiPace 300, Hicube 80 ECO‍分子泵型号HiPace 80HiPace 300Hicube 80 ECO(分子泵组, 集成前级泵)图片氮气抽速 L/S6726067极限真空 mbar＜5X10-10＜5X10-10＜1X10-8* 真空规: PKR 251, CMR 361超高真空排气台检漏方法排气台管路预留 KF 25 法兰(或在分子泵和前级泵间预留), 通过波纹管与氦质谱检漏仪 ASM 340D 连接, 真空模式下, 漏率值设定为 10-7 mbar l/s. 用喷枪在怀疑有漏的部位进行吹扫. 如果超过设定的漏率值, 检漏仪会时时报警并显示当前漏率.上海伯东销售维修无油干式氦质谱检漏仪 ASM 340D 与传统泡沫检漏和压差检漏对比, 在提供无损快速检漏的同时可以检测出更小的漏率 1X10-12 mbar l/s, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点.型号ASM 340D对氦气的最小检测漏率1X10-12 mbar l/s检测模式真空模式和吸枪模式检测气体4He, 3He, H2启动时间 min3对氦气的抽气速度 l/s2.5进气口最大压力 hPa25前级泵抽速 m3/h无油隔膜泵 3.44545结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 上海伯东德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解氦质谱检漏仪, 请参考以下联络方式上海伯东: 叶女士                                   台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 107              T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-975-571-910qq: 2821409400 现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士 1391-883-7267上海伯东版权所有, 翻拷必究！‍‍‍‍

‍‍上海伯东是德国普发 Pfeiffer 授权销售维修中心, 自 2002年以来, 已累计为超过 100, 000+ 家企业提供维修保养服务, 客户遍布工业, 科研, 镀膜和半导体行业, 维修中心使用 100 ％ Pfeiffer 原厂部件和原装进口检测设备对维修产品做全方面的性能测试, 上海伯东拥有完全的拆解, 维修能力, 提供快速, 高质量的维修保养服务. 伯东公司在上海, 台湾, 日‍‍‍‍本都设有维修服务据点.‍‍‍‍上海伯东提供普发分子泵清洁, 保养‍‍和维修服务‍‍‍‍以 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 系‍‍列举例, 分子泵采用复合轴承设计, 顶端是磁性轴承, 下端是机械轴承支撑 (陶瓷轴承). 这种陶瓷轴承是有寿命的, 因此要定期检测维护. 建议小抽速分子泵 HiPace 700 以下平均使用 17200 小时保养一次, HiPace 1200 以上大抽速分子泵四年保养一次. 如工艺较差, 这个时间还应缩短. 定期检测分子泵能够及时的发现问题, 最大限度地延长分子泵的使用寿命, 避免因突然的故障停机导致的损失!‍‍‍‍普发分子泵常见问题1. 真空度正常, 分子泵可以达到全速, 但是噪音大故障原因: 前级泵问题, 系统漏气, 轴承问题, 转速限定建议: 分子泵运行超过3年, 可能内部陶瓷球轴承已磨损, 建议送修检测, 如果放任不管, 后续会磨损转子, 对泵体内部造成更严重的损伤        陶瓷轴承损伤                                              转子 Carbon 磨损2. 油棉污染: 油棉变黑, 发黄建议: 3-4年更换分子泵油棉. Pfeiffer 复合轴承分子泵内部陶瓷轴承采用油润滑方式, 可以给轴承降温, 减少轴承滚珠磨损并起到清洗分子泵轴承, 避免污染物附着在轴承上面, 有效延长分子泵的使用寿命.3. 分子泵无法启动: 用手拨动叶片, 叶片无法转动建议: 转子已完全卡死, 建议立刻送修上海伯东4. 分子泵异响:故障原因: 异物进入, 陶瓷轴承磨损或损坏, 转子动平衡问题, 前级泵返油; 工艺环境粉尘较多或有异物进入分子泵时, 会对高速旋转的叶片和转子造成巨大损害建议: 立即停机送修检测              泵体内部Coating                                转子污染5. 分子泵无法达到全速, 真空度抽不下去建议: 请检查前级真空是否正常, 如果是分子泵组, 请先打开气镇阀抽一段时间后在观察下, 无法解决问题建议立即送修检测6. 分子泵返油: 多数是由于前级泵返油导致, 建议立即送修检测‍‍7. 无法启动: 没有供电, 控制器没有响应, 没有收到启动信号, 转子卡死或轴承损坏8. 常见分子泵控制器报警    Err 006: 启动时间设定太短, 系统漏气或放气阀打开, 前级泵极限真空度问题    Err 021 / Err 108: 控制器问题    Err117: 控制器问题, 冷却问题, 系统漏气造成分子泵故障的原因还有很多, 发现问题并及时联络上海伯东进行检测, 可以快速解决分子泵问题‍‍上海伯东 Pfeiffer 分子泵维修保养型号包含:HiPace 系列: HiPace 80, HiPace 300, HiPace 700, HiPace 1200, HiPace 2300 等.Hicube 系列: Hicube 80, Hicube 300, Hicube 700 等TMH TPH 系列: TMH 071, TMH 260, TMH 261, TMH 262, TMH 520, TMH 521, TMH 1001, TPH 1201, TPH 1501, TPH 2101, TPH 2301.特殊型号: TMH 071-015-002, TMH 071-010-005, TMH 261-250, splitflow 50, splitflow 80, splitflow 300 / 310分子泵配件: 电源: TPS 100, TPS 200, TPS 300, TPS 600, TPS 110, TPS 301, TPS 401, DCU 100, DCU 200 DCU 300, DUC 600, DCU 110, DCU 310, DCU 400, DCU 001, DCU 002控制器: TC 100, TC 600, TC 750, TCP 380, TCP 600, TCP 5000, TC 110, TC400, TC 1200, TC 110 PB, TC 400 PB, TC 1200 PB冷却单元, 通讯线, 连接阀等‍‍若您需要进一步的了解普发分子泵维修保养详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生‍‍‍

‍‍上海伯东某 OEM 客户研发生产科研用真空镀膜和沉积设备. 经过伯东推荐真空部分采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 80 和高精度薄膜真空规 CMR 361 用于定制大型脉冲激光沉积 Pulsed Laser Deposition 系统. 从而实现该系统制备金属, 半导体, 氧化物, 氮化物, 碳化物, 硼化物, 硅化物, 硫化物及氟化物等各种物质薄膜和制备一些难以合成的材料膜, 如金刚石, 立方氮化物膜等.科研定制 PLD 系统配置:分子泵 HiPace 80 *8薄膜真空规 CMR 361 *3真空规 TPR 280 *1伯东 Pfeifer 分子泵 HiPace 80 主要参数和抽气性能型号HiPace 80进气口DN 63 CF-F极限真空 hPa-10氮气的压缩比> 1X1011氮气的抽气速度  l/s67工作电压: V DC24 (± 5 %)氮气的前级真空最大值 hPa22重量 kg3.8噪音 dB(A)≤48上海伯东德国 Pfeiffer 涡轮分子泵适用于分析仪器: 电子显微镜, 检漏, 小型质谱, 表面分析, 残余气体分析半导体: PVD, inspection, bonding, MBE, load-locks工业: 医学技术, 工业检漏, 隔离真空, 灯管制造研发: 核研究, 等离子研究, 粒子加速器, 冷冻研究, 纳米技术, 生物技术若您需要进一步的了解分子泵 详细信息, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东某客户从事树脂镜片的研发, 生产和销售, 经过伯东推荐, 采用德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 对其生产设备 - 精密光学镀膜机进行检漏. 真空模式下, 漏率要求达到 1X10-7 mbar l/s, 保证光学镀膜机在生产过程中的密封性.光学镀膜机检漏方法: 采用氦质谱检漏仪真空模式, 漏率设置为 1X10-7 mbar l/s, 主要对真空室和连接管路进行检漏, 通常真空室内漏气都是从室壁上的一些接口或部件之间的焊缝中发生, 当抽气系统抽气后使真空室内压强降低, 外部与内部的压强差使气体从压强高的外部流向压强低的真空室内, 形成真空度降低. 真空度的降低则会降低光学镜片的合格率.检漏仪通过波纹管, 与镀膜机背部预留的接口连接, 启动检漏仪, 设置好漏率, 在怀疑有漏的地方喷氦气 氦质谱检漏仪 ASM 340 主要参数进气口: DN 25 ISO-KF对氦气 4He 的最小检测漏率:真空模式: 1X10-12 mbar l/s吸枪模式: 5X10-9 mbar l/s检测模式: 真空模式 (负压) 和吸枪模式 (正压)对氦气的抽气速度: 2.5 l/s进气口最大压力: 25 mbar前级泵抽速: 油泵 15 m3/h重量: 56 kg若您需要进一步的了解 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍模块式检漏仪应用于氢能行‍‍业真空箱检漏系统在燃料电池中, 氢气发生电化学反应以产生电力并为汽车提供动力. 燃料电池发电机, 储气罐和配电管线需要密封, 防止发生可能影响性能和安全性的泄漏. 为满足大批量生产需求, 通常使用自动化真空箱检漏系统. 上海伯东德国 Pfeiffer 检漏模块 ASI 35 作为自动氦检漏系统的核心部件, 提供可靠, 可重复的泄露检测, 满足氢能行业真空箱检漏系统要求.模块式检漏仪检漏流程氢气罐放置于真空箱内: 真空箱被抽真空 - 氢气罐充满氦气 - 检漏模块检测到氦气泄漏 - 测试整体漏率值 ( 高灵敏度模式下, 漏率可以测试 5X10-12 mbar l/s )模块式氦质谱检漏仪 A‍‍SI ‍‍3‍‍‍‍5‍‍ 主‍‍要‍‍技术参‍‍数‍‍‍‍‍‍测试方法真空模式和吸枪模式真空模式下氦气最小检测漏率3.5X10-8 mbar l/s 大漏模式1X10-10 mbar l/s 常规模式 5X10-12 mbar l/s 高灵敏度模式吸枪模式下氦气最小检测漏率1.5X10-8 mbar l/s检测气体4He, 3He, H2初检压力18 mbar 大漏模式1 mbar 常规模式 0.2mbar 高灵敏度模式氦气抽速1.8 l/s 常规模式 6 l/s 高灵敏度模式启动时间真空接口DN 25 ISO-KF; DN 16 ISO-KFInterfaceRS-232, Ethernet, Profibus, USBI/O interface6 个数字输入 (所配功能可设置）3 个模拟输出 (可配置: 氦信号记录, 尾数, 指数, 吸气压力)5 个继电器输出 (可配置的分配功能)4 个晶体管 / 集电极开路输出尺寸: L × W × H真空模块 279 × 264 × 197 mm电子模块 216 × 317 × 111 mm控制面板 241 × 54 × 133 mm重量真空模块 15 kg; 电子模块 5 kg; 控制面板 1.3 kg通用电压90 – 240 V AC; 50/60 Hz最大功耗300 W工作温度10 – 45 °C模块式氦质谱检漏仪典型应用 : 新能源锂电池检漏, 板换检漏, 继电器检漏, 汽车油箱检漏, 传感器检漏等行业.汽车行业：安全气囊, 散热器, 燃料箱等制冷行业：蒸发器, 压缩机, 空调管路等其他行业：机械零部件, 罐子, 阀门等结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家氦质谱检漏仪的技术优势, 伯东普发 Pfeiffer 提供氦质谱检漏仪完整的产品线, 从便携式氦质谱检漏仪到检漏模块, 提供负压检漏 (真空法) 和正压检漏(吸枪法), 满足各种应用. 氦质谱检漏仪与传统泡沫检漏和压差检漏对比, 在提供无损检漏的同时可以检测出更小的漏率 5E-13 Pa m3/s, 利用氦气作为示踪气体定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>若您需要进一步的了解检漏模块详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍残余气体分析仪应用于环境水分析上海伯东代理德国 Pfeiffer 残余气体分析仪 Hicube RGA, 成功应用于环境水分析, 采用膜进样方式, 测试样本水中氮气, 氩气比等, 满足试验要求.上海伯东 Pfeiffer 残余气体分析仪 HiCube RGA 进样口为 DN16 ISO-K 标准真空法兰, 可以根据客户需求, 选择不同的连接接口Pfeiffer 残余气体分析仪 Hicube RGA 技术规格涡轮分子泵组HiCube™ Eco功耗170W电压（范围）110 - 240 V; 50 / 60 Hz氮气抽速67 l/s前级泵在 50 Hz 时的泵送速度1 m3/h极限真空真空计PKR 361测量范围1X10-9 至 1X103 hPa阀门EVN 116气体流量可调整, 自 5X10-6 至 3X103 hPa l/s进气口DN 16 ISO-KF PrismaProQMG 250 F1QMG 250 F2QMG 250 F3QMG 250 M1QMG 250 M2QMG 250 M3检测器法拉第 Faraday (F)电子倍增器/法拉第 C-SEM/Faraday (M)质量数 amu1–1001–2001–3001–1001–2001–300四极杆直径／长度6 /125 mm最小检测极限 F hPa *1,24X10-135X10-137X10-13---最小检测极限 M hPa *1,2---3X10-154X10-155X10-15对Ar的灵敏度 F A/hPa*35X10-44X10-43X10-45X10-44X10-43X10-4最大工作压力 F hPa5X10-4最大工作压力 M hPa---5X10-55X10-55X10-5对临近质量数的影响*1操作温度 分析200 °C (max. 150 °C when operating with SEM)操作温度 电子5 – 50 °C烘烤温度 分析300 °C连接法兰DN 40 CF-F保压时间1 ms – 16 s/amu峰比值可重复性± 0.5 %接口以太网电源电压100–240 V AC，50/60 HzHiCube™ RGA重量25.5 - 26.2 kg 上海伯东销售维修德国 Pfeiffer 残余气体分析仪 HiCube RGA.  四极杆质谱 PrismaPro 与 HiCube 涡轮分子泵组的搭配, 质量数范围 1-300, 高分辨率和灵敏度. 适用于残余气体分析, 过程监测, 泄漏检测.若您需要进一步的了解残余气体分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东销售维修德国 Pfeiffer 残余气体分析仪(四极杆质谱仪) PrismaPro, 适用于高和超高真空下的气体成分定性分析, 带有法拉第检测器, 广泛应用于真空炉监测分析钎焊, 烧结过程中的气体变化. 可定量定性评估真空系统中的残余气体成分, 最低可检测分压 3 X10-15 hPa.真空钎焊, 烧结过程中的泄漏检测和气体诊断上海伯东某客户生产变压器内部的真空断路器部件: 铜接触器, 在真空炉内进行铜和陶瓷焊接, 高温把焊丝融化, 铜和陶瓷焊接在一起, 通过使用德国 Pfeiffer 残余气体分析仪 QMG 250 监测烧结过程中, 气体成分变化, 判断真空炉是否漏气, 已保持高真空的工况; 气体成分定量测定, 确定过程气体纯度, 提高产品良率.上海伯东 Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro 技术参数:型号QMG 250 F1QMG 250 F2QMG 250 F3QMG 250 M1QMG 250 M2QMG 250 M3检测器法拉第 Faraday (F)电子倍增器/法拉第 C-SEM / Faraday (M)质量数 amu1–1001–2001–3001–1001–2001–300四极杆直径／长度6 / 125 mm最小检测极限 F hPa *1,24X10-135X10-137X10-13---最小检测极限 M hPa *1,2---3X10-154X10-155X10-15对Ar的灵敏度 F A/hPa*35X10-44X10-43X10-45X10-44X10-43X10-4最大工作压力 F hPa5X10-4最大工作压力 M hPa---5X10-55X10-55X10-5对临近质量数的影响*1操作温度 分析200 °C (max. 150 °C when operating with SEM)操作温度 电子5 – 50 °C烘烤温度 分析300 °C连接法兰DN 40 CF-F保压时间1 ms – 16 s/amu重量2.5 kg3.2 kg* 1  开放式离子源* 2  停留时间 4秒* 3  与 C-SEM 相比, 具有较高的灵敏度上海伯东德国 Pfeiffer 残余气体分析仪(四级杆质谱仪)集高灵敏度, 高稳定性和智能操作于一体, 配置操作软件 PV MassSpec, 可定量定性评估真空系统中的残余气体成分. 最低可检测分压 3 X10-15 hPa.若您需要进一步的了解残余气体分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东普发 Pfeiffer 售后维修服务" 无论您想调试新的真空系统, 故障排除, 维护保养还是维修, 上海伯东都能为您提供全面的支持并在较短的时间内做出响应! "伯东企业（上海）有限公司是德国普发真空 Pfeiffer Vacuum  授权代理商, 隶属于伯东株式会社, 外国法人独资, 集团年营业额超过 10 亿美金. 上海伯东自 1995年成立以来,  积累 20年普发维修经验, 是国内较早的授权销售和维修服务中心, 已累计为超过 100, 000+ 家企业提供 Pfeiffer 产品售后维修服务. 伯东 Pfeiffer 维修中心 100 ％ 使用原厂部件和原装进口检测设备, 严格执行 Pfeiffer 质量标准对维修产品做全方面的性能测试和快速维修服务, 并对维修后的产品提供质保. 上海伯东拥有完全的拆解, 维修能力, 提供快速, 高质量的维修保养服务. 上海伯东普发 Pfeiffer 售后维修服务包含1. 在线服务:提供各类真空产品的操作说明, 软件升级提供电话或视频指导服务, 技术支持2. 线下服务产品和系统的检测, 调试, 校准, 维修,保养,清洁用户培训和产品培训提供检测服务报告和维修服务报告上海伯东主要维修保养 Pfeiffer 产品类别分子泵, 分子泵组旋片泵, 干泵 (多级罗茨泵), 涡旋泵 真空规, 真空显示器氦质谱检漏仪, 质谱分析仪 部分图片来源原厂伯东公司在上海, 台湾, 日本都设有维修服务据点使用原厂进口维修备件和工具, 经过 Pfeiffer 受训维修工程师, 持续的定期培训. 并根据客户实际使用工况, 提供量身定制的维修解决方案和定期保养建议. 有效降低企业成本. 系统化的服务将全方位满足您的需求. 上海伯东客户遍布分析仪器, 工业, 研发, 半导体和真空镀膜行业.售后维修中心地址: 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 201206若您需要进一步的了解 Pfeiffer 售后维修详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 叶女士                                   台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 107              T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-975-571-910qq: 2821409400 www.hakuto-vacuum.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士 1391-883-7267上海伯东版权所有, 翻拷必究！‍‍

KRI 美国考夫曼离子源离子束里的电荷与动能交换简介要藉由电荷交换和动能交换的碰撞情形来量测或是计算离子束是非常复杂的。在电荷交换的过程中，一个带有能量的离子接近中性的粒子时，电子将会离开中性粒子而到离子处去，造成低能量的离子和具有能量的中性粒子。带有能量的中性粒子将会继续的往靶材或是既有的方向前进以完成既定的功能。但是这样就不能被简单的离子束探针所侦测。低能量的离子就会被简单的探针所侦测。但是这一的低能量离子就不能实现既有能量离子束所能提供的功能与表现。 带有能量的离子束的能量有损失或是由于电荷交换形成带有能量的中性粒子时，一般的工作压力及距离并不是很重要的。但是二种常见的错误被用来评断制程。第一种错误是，使用室温路径长度。在原子外围的电子，他的脱离能至少为数个 eV。从公式来看，1 eV=11600 K 度，在20℃时的热能量，相当于 0.025 eV。室温下的碰撞只会造成在原子中的外围电子小小的扰动而已。离子束的离子是具有相当高的能量，，一般都具有数百 eV。在离子能量中的碰撞时，外围电子会有些微的抵抗，而其碰撞的截面将会比在室温下还要小得多。有些人会认为离子数的离子的能量远高于在室温时的能量。这是从具有能量的离子与室温的中性粒子碰撞的实验数据得来的。这就是第二个常见的错误。有些离子-中性粒子的截面来自于以下的条件，而且他们是接近室温的。很不幸的，这些实验所量测到截面的1到几度的偏差，远小于要造成90度偏差的前进能量的损失。基本理论平均自由路径的长度，λ，对一个具有能量的粒子而言，通过一个能量相对低很多的粒子时， λ = 1/(n0σ)…………………………………………………………………………………………………….( 1 ) 当 n0 是指静态的粒子的密度，σ是指制程的截面。假如入射粒子和静态粒子是在同一个热能量分布，则入射粒子就好像是去撞击静态粒子，例如， λ = 1/(2 1/2 n0σ)…………………………………………………………………………………………….( 2 ) 当粒子流 I，脱离了碰撞， I = I0 exp (-L/λ)……………………………………………………………………………………………..( 3 ) I0 是入射的粒子流，L 是路径长度，λ 是碰撞过程中的平均自由路径。 电荷交换同样种类的离子与原子之间的电荷交换，称为共振电荷交换。一般共振的字眼会被省略的。但是记住，当二个粒子有不同的离子化电位时，电荷交换的截面将会大大的缩小。我们可以用理论公式来预测电荷交换的截面，这样的公式是需要反复的尝试以求得答案。有人发现，当离子电位为 Φi 4-26 eV，离子速度为 1-10 x 10 4 m/s 时，所求得的答案准确度在 +/- 3% 之内。把公式改写成使用离子能量 Ei eV取代离子速度。离子交换的截面σce单位为 m2， σce = 6.3 x 10-18(w/Ei)0.14/Φi1.07………………………………………………………………………( 4 ) w 是指原子的重量，Φi是指离子化电位，单位是 eV。方程式 4 是用来计算 Ar (氩气)的电荷交换的截面。方程式1 则是用来计算20℃的温度下的动作路径长度。动能交换在离子束的能量下得不到动能交换的截面。在表1显示的是，以中性粒子的交互配对电位所计算出来的。 表 1. 動能交換截面，單位 Å2使用方程式1所计算出来的路径长度代入求得如表1所示氩气的动能交换截面。也得到像图 1 能量大于 1 eV的图形。在室温下的路径长度，方程式 2 显示能量为 0.025 eV。在 0.025 到 1 eV之间的虚线处，是任意插补的。 结论氩气的动能交换截面在室温下，很接近在固态的原子尺寸，可以把它当作与原子尺寸。但是电荷交换截面在相同条件下，则只有一半的尺寸。当离子到达可触及中性粒子的距离时，他可以得到电子的机会为 50%。在离子束的能量里，对氩气或是其他元素分子而言，动能交换的路径长度可能几倍于电荷交换路径长度。离子束在明显的动能损失之前，绝大部分是电荷交换的。较长的动能交换距离可以用来当评估溅射原子之用。这样的原子能量平均会有数个 eV之多。 

‍‍上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.KRi 霍尔离子源特点高电流低能量宽束型离子束灯丝寿命更长更长的运行时间更清洁的薄膜灯丝安装在离子源侧面KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 典型案例:设备: 美国进口 e-beam 电子束蒸发系统离子源型号: EH 400应用: IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.通过使用美国 KRi 霍尔离子源可以实现增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面,平滑的薄膜界面和表面,降低薄膜吸收和散射,增加硬度和耐磨性.美国  KRi 离子源适用于各类沉积系统, 实现 IBAD 辅助镀膜 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积)美国 KRi 霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度>45>45>45>45>45气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！KRi 离子源预清洁可以实现去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除  KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s污染物清除: 有机物,吸附气体数据来源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂资料KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)数据来源:  美国 KRi 原厂资料1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 上海伯东美国 KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRi 考夫曼离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和  IBD 离子束沉积是其典型的应用.KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用通常安装两个离子源主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体基板远离溅射目标工艺压力在小于× 10-4 torr离子源在离子束溅射沉积工艺过程:‍‍ 上海伯东美国 KRi 射频离子源优势提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜远离等离子体: 低基材温度不需要偏压衬底溅射任何材料, 不需要射频溅射电源非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备清洁, 低污染工‍‍艺沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量离子能量, 离子电流密度的控制优良的反应沉积工艺 ‍‍美国‍‍ KR‍‍‍‍i ‍‍RFICP 射‍频离子源‍‍‍‍‍技‍‍术‍‍参数：型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!  射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生 ‍‍

‍‍上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:设备: e-beam 电子束蒸发系统离子源型号: KDC 75应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积上海伯东美国  KRi 离子源适用于各类沉积系统 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积), 实现 IBAD 辅助镀膜 美国 KRi KDC 考夫曼型离子源技术参数：型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流>10 mA>100 mA>250 mA>400 mA>650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝 上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 系列适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍KRi 离子源常见工艺应用通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.‍KRi 离子源常‍‍见工艺‍‍应用‍‍工艺应用简称In-situ substrate preclean 预清洁PCIon-beam modification of material and surface properties材料和表面改性IBSM- Surface polishing or smoothing 表面抛光- Surface nanostructures and texturing表面纳米结构和纹理- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐- Surface-activated bonding 表面激活键合SABIon-beam-assisted deposition 辅助镀膜IBADIon-beam etching 离子蚀刻IBE- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻RIBE- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻CAIBEIon-beam sputter deposition 离子溅射IBSD- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射RIBSD- Biased target ion-beam sputter deposition偏压靶离子束溅射BTIBSDDirect deposition 直接沉积DD- Hard and functional coatings硬质和功能性涂料 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解美国 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生   ‍‍

上海伯东美国 KRi 射频离子源应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD上海伯东客户某高校使用国产品牌离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 必须中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐最终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.上海伯东真空溅射镀膜机离子源改造方案:根据客户 4寸基材和工艺条件, 推荐选用射频离子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自动控制器, 替换国产离子源后可以长时间工作( 时长＞100h)！1. 设备: 国产离子束溅射镀膜机 IBSD2. 基材: 4寸 wafer, 镀钽 Ta 单层非晶薄膜3. 美国 KRi 射频离子源 RFICP 100, 气体：Ar gas4. 离子源条件: Vb max:1200V ( 离子束电压 ), Ib max:＞400mA ( 离子束电流 )上海伯东射频离子源 RFICP 100 主要技术规格:小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流.射頻功率600W离子束電流> 400mA离子束電壓100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-20 sccm工作压力离子束栅极10cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度23.5 cm直径19.1 cm安装法兰10”CF 或 內置型 1”引入端子1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解美国 KRi 离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生           

‍‍KRI 离子源应用于有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV有机金属热沉积系统是一种热蒸发的方式, 用于将有机或金属材料沉积到基板表面上.该过程需要通过精确控制温度和沉积速率来实现薄膜的高精度和均匀性. 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且 KRI 离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 有机材料热沉积系统使用高精准热蒸发源作为加热源, 并使用金属, 石英, 陶瓷或 PBN 坩埚来容纳有机材料以及 PID 控制器来控制其沉积速率. 该系统通常用于有机电子研究领域, 例如 OPV, OLED, OPD...------ 有机材料热蒸镀设备 OLED, OPV -----上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000若您需要进一步的了解离子源或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东：罗先生     ‍‍

超高真空环境的特征为其真空压力低于 10-8 至 10-12 torr, 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因为实验通常要求在整个实验过程中, 表面应保持无污染状态和使用低能电子和离子的实验技术的使用, 而不会受到气相散射的过度干扰, 在这样超高真空环境下使用电子束蒸镀可以提供高质量的薄膜. 上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源可以在蒸镀过程中实现预清洁和辅助镀膜的作用.如上图是超高真空电子束蒸镀设备, 针对超高真空和高温加热设计基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷循环来保护机构以确保长时间运转的稳定性.上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP  系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

‍‍KRI 离子源应用于超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter上海伯东代理美国 KRI 离子源应用于超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter 实现高质量薄膜!超高真空环境的特征为其真空压力低于 10-8至10-12托, 且在化学, 物理和工程领域十分常见. 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因实验通常要求在整个实验的过程中, 表面应保持无污染状态并可使用较低能量的电子和离子的实验技术使用, 而不会受到气相散射的干扰并可以在这样超高真空环境下使用溅镀系统以提供高质量的薄膜.针对超高真空和高温加热设计的基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷, 来保护机构以确保长时间运转的稳定.通过使用上海伯东 KRI 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.溅镀腔中在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

KRI 离子源应用于磁控共溅镀设备  Co-sputter上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源应用于磁控共溅镀设备 Co-sputter 实现高质量的复合式薄膜!磁控共溅镀主要用于复合金属或复合材料, 通过分别优化每一支磁控溅镀枪 (靶材) 的功率来控制薄膜质量, 其薄膜厚度取决于溅镀时间.特殊系统设计的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 为客户提供更好质量的复合式薄膜.溅镀腔中, 有单片和多片式的 loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间.----------------------------------- 上海伯东美国 KRI 离子源安装于溅镀腔中 -------------------------------------通过使用上海伯东 KRI 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.溅镀腔中在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生

‍‍特殊的系统设计电子束沉积是一种实用且高度可靠的系统, 上海伯东某客户电子束蒸镀系统可针对量产使用单一大坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构, 在基板乘载上对应半导体研究和大型设备设计单片和多片公自转的设计. 为了获得最大的制程灵活性, 可以结合考夫曼离子源进行离子辅助沉积或者预清洁等功能.----------- 电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System ----------上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍

‍‍上海伯东代理美国 KRI 射频离子源应用于多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter, 通过使用 KRI 射频离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密. 膜基附着力更好, 膜层不易脱落.多层膜的结构广泛用于各个领域, 而对于精密系统则需要更严格的规格, 包括光, 声音和电子组件. 在单一材料薄膜无法满足所需规格的精密系统中, 高质量多层膜的作用变得越来越重要. 因此, 新材料的开发和薄膜的精确控制制程已成为当前多层薄膜研究的重要方向. 特殊设计的多层膜磁控溅镀系统拥有基板公自转机构, 可实现精准的多层膜结构并可以一次批量生产.多层膜磁控溅镀设备 Multilayer sputter                                               载台可公自转或定在靶材位置自转上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生 ‍‍

‍‍KRI 离子源应用于金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System热蒸发是物理气相沉积 PVD 中最常用方法. 使用电加热的蒸发源可用于沉积大多数的有机和无机薄膜, 其中以电阻式加热法最为常见. 这些蒸发源的优点为它们可以提供一种简单的薄膜沉积方法, 以电流通过其容纳材料的舟为方式, 从而加热材料. 当沉积材料的蒸气压超过真空室的温度时, 材料将开始蒸发并沉积到基板上并且在于热蒸发时可以精准的控制蒸发速度, 且薄膜的厚度和均匀度小于 +/- 3％. 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.----------- 金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System ----------KRI 射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流>10 mA>100 mA>250 mA>400 mA>650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝若您需要进一步的了解离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生  ‍‍

‍‍‍‍‍‍上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 热蒸镀机应用上海伯东某客户在热蒸发镀膜机中配置美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40, 进行镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD 工艺, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等.离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean 和辅助镀膜 IBAD考夫曼离子源 KDC 40 中心到基片中心距离控制在 300mm, 离子源和基片都设计为高度可调节, 客户可根据不同的工艺要求选择合适的角度. 离子源上面做可联动控制的盖板, 在离子源刚启动时关闭盖板, 待离子束流稳定后打开盖板, 对基片做预清洁和辅助镀膜等工艺, 保证工艺的稳定性和均匀性. 当工艺完成后可以技术关闭盖板, 保证离子源不被污染, 延长离子源使用寿命, 降低保养成本.KRi 离子源镀膜前基片预清洁 Pre-clean去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 KRi 离子源辅助镀膜 IBAD通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.型号KDC 40供电DC magnetic confinement - 阴极灯丝1 - 阳极电压0-100V DC电子束OptiBeam™ - 栅极专用, 自对准 -栅极直径4 cm中和器灯丝电源控制KSC 1202配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000 - 架构移动或快速法兰 - 高度6.75' - 直径3.5' - 离子束聚集, 平行, 散射 -加工材料金属, 电介质, 半导体 -工艺气体惰性, 活性, 混合 -安装距离6-18” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东同时提供热蒸镀机所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生       ‍‍‍‍‍‍