上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

上海伯东

2023/04/03 14:54

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上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
KRi 离子源

KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr
KRi 离子源, 离子束溅射沉积

离子源在离子束溅射沉积工艺过程:
‍‍ 离子源在离子束溅射沉积过程:

上海伯东美国 KRi 射频离子源优势
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度
不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
清洁, 低污染工‍‍艺
沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
离子能量, 离子电流密度的控制
优良的反应沉积工艺

射频离子源

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美国‍‍ KR‍‍‍‍i ‍‍RFICP 射‍频离子源‍‍‍‍‍技‍‍术‍‍参数：

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.

上海伯东同时提供溅射沉积系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生