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KRI 离子源应用于电子束蒸镀设备
特殊的系统设计电子束沉积是一种实用且高度可靠的系统, 上海伯东某客户电子束蒸镀系统可针对量产使用单一大坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构, 在基板乘载上对应半导体研究和大型设备设计单片和多片公自转的设计. 为了获得最大的制程灵活性, 可以结合考夫曼离子源进行离子辅助沉积或者预清洁等功能.
----------- 电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System ----------
上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:
型号 | |||||
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解 KRI 离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
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