某光学薄膜制造商采用20cm 的溅射源为 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜.  伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量运行结果:1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 镀制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布2. 制备的 LaF3薄膜的环境稳定性更高3. 离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%, 反射率为 0.1%, 表现了较好的光学特性 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

武汉某大学研究中心为了改善 TC4 表面性能, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380溅射镀制 TC4 表面 TiN 涂层,  提高钛合金表面耐磨耐腐蚀性能, 提高高温抗氧性能. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层. 运行结果:1. 具有沉积薄膜速度快, 厚度容易控制等特点2. 涂层的SEM形貌观测显示涂层均匀, 致密, 无明显孔洞缺陷, 涂层厚度约为10um, 过度层厚度约为3um.3. 涂层的力学性能及磨损性能分析显示, 涂层的临界载荷达到81.75N, 远远满足工程要求, 涂层与基体结合良好.4. 在高温（500℃）下, TiN的摩擦系数更稳定. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

云南某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140离子束溅射制备尺寸均匀、高密度的 MnGe 量子点, MnGe 量子点属于半导体量子材料的领域. 伯东 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 运行结果:KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 可控性强, 制备工艺简单, 具有较强的商业价值. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

武汉某大学研究中心为了改善 TC4 表面性能, 采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380溅射镀制 TC4 表面 TiN 涂层,  提高钛合金表面耐磨耐腐蚀性能, 提高高温抗氧性能. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层. 运行结果:1. 具有沉积薄膜速度快, 厚度容易控制等特点2. 涂层的SEM形貌观测显示涂层均匀, 致密, 无明显孔洞缺陷, 涂层厚度约为10um, 过度层厚度约为3um.3. 涂层的力学性能及磨损性能分析显示, 涂层的临界载荷达到81.75N, 远远满足工程要求, 涂层与基体结合良好.4. 在高温（500℃）下, TiN的摩擦系数更稳定. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

云南某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140离子束溅射制备尺寸均匀、高密度的 MnGe 量子点, MnGe 量子点属于半导体量子材料的领域. 伯东 KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP 140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 运行结果:KRI考夫曼射频离子源 RFICP140 可控性强, 制备工艺简单, 具有较强的商业价值. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求, 广东中山某研究机构采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 制备高性能光通信带通滤光膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 在该研究项目中, 以 Ta2O5 和 SiO2 作为镀膜材料, 设计了含有 12 个谐振腔的带通滤光膜, 分析并解决了耦合层膜厚监控的问题. 运行结果:制备的带通滤光膜在 1528～1571 nm 处插入损耗小于 0.2 dB, 1470～1521 nm 和 1578～1651 nm 处透射隔离度大于 40 dB, 满足实际使用要求. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

VO2 薄膜作为一种热门的功能材料, 具有优秀的相变特性和电阻开关特性, 在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景. 天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

四川某大学实验室研究靶电流, 偏压、沉积时间等各试验工艺参数对两组试样 AlTiN 涂层力学性能的影响, 旨在找出能够镀制优良性能涂层的最佳工艺方案的项目中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 AlTiN 涂层具有高抗氧化性, 良好热硬性, 摩擦系数低, 与基体之间结合力强, 耐磨性强等优点. 因此AlTiN涂层在机械加工行业,尤其是在刀具领域,一直是研究的热点. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

为了使堵片传感器的灵敏度, 分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高, 可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量, 满足航天飞行器发动机控制系统信号测试需要, 某堵片传感器制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射制备堵片传感器薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层. 研究结果:石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 上图为磁控溅射系统工作示意图 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源. 客户材料:基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气. 运行结果:当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 试验结论:随着磁控溅射时间的增长, 薄膜的亮度在减少, 黄蓝值在 3 min时出现最大值, 说明镀膜时间在 3 min 时最接近黄色, 红绿值波动比较大; 而氮气流量在 13~18 sccm 内, 薄膜颜色呈金黄色. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜最常用的工艺之一, 然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时, 往往会发现调用同一个工艺菜单, 制备出的铝膜厚度会有所不同, 最大相差接近40%. 这对于制备高精度膜厚的铝膜具有严重的影响. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此, 为了提高硅片金属薄膜的均匀性，该制造才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  该复合磁控溅射沉积装置主要包含：1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP3802. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH30003. 高功率脉冲磁控溅射电源4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace7005. 基台 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性.  伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量提高镀膜均匀性的重要性：以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用.  在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽.  为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min.  KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

西南某研究所在研究 NSN 隔热膜试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源溅射沉积 NSN70 隔热膜, 并通过选择合适的 AgCu 合金靶材, NSN70隔热膜的膜系设计与制备、样品的形貌检测、耐候性试验、光学性能测试等多方面进行 NSN70 隔热膜的研究. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验结论:在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量该溅射沉积是在气压为 1.33×10-4Pa 和衬底温度为室温条件下,利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射石墨, 在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜. 通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析; 利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构; 实验结果显示, 辐照时间对 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响, 并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶. 同时, 在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜, 在 Si 表面发现了特殊图案的碳纳米结构: 雪花状, 方块状及四角星状. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此，该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

兰州某研究所在研究 BCx 薄膜的结构特征、力学性能和摩擦磨损性能试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射碳化硼靶和石墨靶（纯度均为99.9%）,在 CrMoAl 齿轮钢和 Si（100）表面沉积 BCx 薄膜 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验结论:相同的沉积时间内, BCx 薄膜的厚度随石墨靶电流的增加逐渐增大, 硬度、弹性模量逐渐降低,微观形貌的柱状结构特征越来越明显;增加石墨靶电流可以提高BCx薄膜的摩擦学性能, 当石墨靶电流为 2.4A 时, BCx 薄膜的摩擦因数稳定在 0.2 左右, 且具有最佳的耐磨性能。 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜, 经过对比选择, 采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号, 并将计算机与被检测到的信号连接口相连接, 构成自动的监控、检测和报警系统. 氧化钨薄膜可以吸附各种气体, 从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化, 常常应用于气体传感器领域. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

纯 Ti 薄膜具有优异的力学性能、热稳定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨损性, 被广泛应用于航空航天、医疗器械、光学和微电子器件等领域, 因此具有重要的研究价值. 西安某大学实验室在纳米纯 Ti 薄膜的研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜, 制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量该溅射沉积是在真空度为 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入气流量为 70ml/min 的氩气, 利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 产生的氩离子轰击靶材, 溅射沉积 Ti 膜层, 镀膜持续时间30～90min; 完成镀膜的样品待冷却后, 取出. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

上海伯东 Europlasma 等离子表面处理设备应用于细胞培养瓶表面活化 上海伯东 Europlasma 等离子表面处理设备可实现水接触角 WCA ＜10° 的超亲水特性, 适用于各类细胞培养瓶/皿的表面活化 Activation 和 Tissue culturetreated, TC 处理, 实现瓶内细胞反应速度更快, 混合度更高等功能.细胞培养瓶表面活化典型案例: 某生物科技公司, 从事高端生物耗材研发, 生产细胞培养瓶/皿, 免疫治疗等方面的高品质耗材及定制化服务. 客户的细胞培养瓶形状不规则, 并且尺寸变化较多. 材质主要是玻璃和塑料两种. 在不影响产品本身特性的同时还要实现水接触角 WCA ＜ 28°的亲水要求. 使用现有活化工艺无法实现, 最终采购上海伯东 Europlasma 等离子表面处理设备 CD 1000PLC 实现表面活化功能. 样品（1）                                        样品（2）上海伯东 Europlasma 表面活化处理流程:1. 将产品依次放置在托盘上, 摆放于 CD 1000PLC 的真空腔内, 运行真空泵, 把腔体真空度抽至 70 mTorr 2. 稳定后通入 O2 到真空腔, 并打开 RF 等离子发生器, 产生高能量高浓度的 O2 等离子体3. O2 等离子体在产品表面发生各种物理和化学反应, 控制反应时间在 15min, 达到产品表面亲水改性和活化的效果.4. 15min 后关闭设备, 取出托盘和被处理过的产品, 再放置新一批的产品, 可以实现设备 24h 循环使用.Europlasma  CD 1000 PLC                                    样品托盘, 放置于真空腔内通过使用上海伯东 Europlasma 表面活化实现功能:1. 对产品表面预清洁: O2 等离子体可以吸附附着在产品表面的微小颗粒物及其他污染物, 通过真空泵把混合气体抽出真空腔, 达到预清洁的效果2. 减小产品表面张力, 使得产品的水接触角明显减小, 匹配合适的等离离子能量和浓度, 可以做到产品表面水接触角 WCA＜10°, 3. O2 等离子体在产品表面发生化学反应, 产品表面可以增加很多功能性官能团, 包括羟基 (-OH ), 羧基 ( -COOH ), 羰基 ( -CO- ）, 氢过氧基 (-OOH ) 等, 这些活性官能团在细胞培养过程中可以提高反应速度和活性.表面活化前, 水接触角较大, 液体团聚                  表面活化后, 水接触角变小, 液体扩散使用 Europlasma 表面活化处理后测试：1. 样品经过 CD 1000 PLC 处理完后, 立即测试, 表面水接触角 WCA ＜28°, 满足客户要求2. 之后每天测试一次被处理样品的水接触角, 并记录水接触角的变化曲线和衰减, 连续检测一个月3. 测试一个月后, 最终的样品表面水接触角 WCA ＜42°, 满足客户要求, 且远远小于其他活化工艺结果！ 上海伯东代理比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理设备, 可在非织造, 薄膜, 网状物或纳米纤维网等材料上沉积超薄纳米涂层, 通过专利等离子体涂层技术 Nanofics@ 和无卤素涂层技术 PlasmaGuard®, 实现产品疏水 WCA >120°, 亲水 WCA 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士

MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此，广州某研究机构采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 在 304 不锈钢基体表面溅射沉积 MoN薄膜, 系统研究了 MoN 薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 结果表明:偏压显著影响直流磁控沉积的 MoN 薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小, 而薄膜的磨损率却先减小后增大, 其中 -500 V 脉冲偏压下沉积的 MoN 薄膜具有最高硬度为 7731 N/mm~2, 以及最低的磨损率为 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同载荷和转速的摩擦条件下表现出不同的摩擦学行为. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:离子源型号eH3000eH3000LOeH3000MOCathode/NeutralizerHC电压50-250V50-300V50-250V电流20A10A15A散射角度>45可充气体Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others气体流量5-100sccm高度6.0“直径9.7“水冷可选F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current 涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数：型号接口 DN抽速 l/s压缩比最高启动压强hPa极限压力全转速气体流量hPa l/s启动时间重量进气口排气口氮气N2氦气He氢气 H2氮气N2氮气N2hPa氮气N2minkgHiPace 2300250401,9002,0001,850> 1X1081.8–720434 – 47 镀膜机实际运用案例：采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层，与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

钛金属具有许多优异的性能, 例如低密度/ 高熔点/ 耐腐蚀/ 无磁性和硅基衬底结合力好/ 具有形状记忆和吸氢特性等, 因此对于磁控溅射沉积钛薄膜的研究有很多. 上海某大学研究室在多层钛膜做微观结构的研究中采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积钛薄膜做加热电路提高器件温度,从而提高光波导器件中硅材料的折射率. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,  平行,  散射流量10-40 sccm通气Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  红外器件金属膜需要高均匀性的原因: 红外器件几乎都要进行表面钝化和镀制金属膜, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用, 而在背照式红外探测器的光接收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽 KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征. 结果表明:实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％. 相比传统的有以下优点：更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量实验室材料:实验采用 55mm x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 Zn 与 Ni 的面积比, 以获得不同成分的 ZnNi 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片. 研究结果表明：在单靶溅射沉积ZnNi合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的ZnNi薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3Pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,   检漏仪,   质谱仪,   真空计,   美国 KRI 考夫曼离子源,   美国HVA 真空阀门,   美国 inTEST 高低温冲击测试机,   美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!

某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000  研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,  翻拷必究!

上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 实验室通过 XRD 和 SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究. 实验结果:通过与未掺入 N 的 Ga 掺杂氧化锌 (GZO) 薄膜相比, 在可见光区, 尤其是 600~800 nm 范围内, NGZO 薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.在 N-Ga 共掺杂薄膜中, N 的掺杂主要占据 O 空位, 并吸引空位周围的电子, 这减小了薄膜晶格畸变, 并产生电子空穴, 最终使得薄膜中电子载流子浓度降低, 空穴载流子浓度增加, 电阻率有所增加.随着氮气流量的变化, 发现在 25 mL/min 时, 薄膜具有最佳的综合性能. 这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中, 并有望实现 n-p 型转化.  KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有, 翻拷必究!

云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  射频磁控溅射沉积方法在不同温度的 Si（100）衬底和石英衬底上制备了富硅 SiNx 薄膜, 用于研究硅量子点 SiN 薄膜的光谱特性. 该实验目的是优化含硅量子点的 SiNx 薄膜的制备参数, 在硅基光电子器件的应用方面有重要意义. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦,   平行,   散射流量10-40 sccm通气Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他典型压力长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量实验室采用 Fourier 变换红外光谱、Raman 光谱、掠入射 X 射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺. 伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw伯东版权所有,   翻拷必究!