KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZnNi 合金薄膜

上海伯东

2021/07/26 10:17

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沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响.

采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 磁控溅射沉积的 ZnNi 合金薄膜, 使合金成分均匀, 使薄膜致密, 并且附着性好.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

实验室材料:

实验采用 55mm x 3mm 的高纯度锌靶 (含量wt%>99.99) 和纯镍片 (含量wt%>99.95) 组成的镶嵌靶. 调整镶嵌靶 Zn 与 Ni 的面积比, 以获得不同成分的 ZnNi 合金膜. 溅射基底采用石英玻璃片.

研究结果表明：

在单靶溅射沉积ZnNi合金薄膜中, 通过调节靶材锌镍面积比可以获得不同成分且分布均匀的ZnNi薄膜. 经过600℃、60 min、真空度为4×10-3Pa, 真空热处理之后的薄膜中的锌完全蒸发, 剩下的镍薄膜呈多孔结构, 微孔尺寸在100 nm至500 nm之间. 随着薄膜锌含量的增加, 真空热处理后薄膜表面孔隙率增大. 随着真空热处理温度的升高, 微孔尺寸增大.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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