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伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备 VO2 薄膜

上海伯东

2021/08/03 14:48

阅读:13

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VO薄膜作为一种热门的功能材料具有优秀的相变特性和电阻开关特性在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景.

 

天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜以获得均匀性好沾污少附着力强较高的透过率的 VO薄膜.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 KRI 考夫曼离子源 RFICP 380

客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件工件在离子束轰击下迅速被加热至高温源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:

1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率

2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率

3. 制备出单斜结构的VO2薄膜且具有晶面择优取向

4. 制备的薄膜均匀性好沾污少附着力强沉积速率大效率高产量高

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国HVA 真空阀门美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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