快速定量阴极发光CL-SEM系统  Allalin
快速定量阴极发光CL-SEM系统  Allalin

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Attolight

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Allalin

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欧洲

  • 银牌
  • 第22年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

产地类别: 进口

产品简介

Allalin是一种纳米分辨率光谱仪器,基于一种被称为定量阴极荧光的突破性技术,它将光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)集成到一个系统中。Allalin允许“不折不扣”的大视场快速扫描同时获得扫描电镜成像与高光谱或全色CL图。该系统的构建是为了在不牺牲扫描电镜(SEM)性能的前提下获得最佳的阴极荧光性能:光学显微镜和扫描电镜的物镜被周密的整合在一起,使它们的焦平面相互匹配;光学显微镜以亚微米精度加工,与传统的CL技术相比,具有高数值孔径(N.A.0.71)的消色差、高数值孔径(N.A.0.71)检测,在大视场(高达300μm)下具有优越的光子收集效率。因此,定量阴极荧光,其中与仪器相关的工件可以从本质上排除作为光谱特征或对比度的原因,这使阴极荧光首次变的可信。

Allalin是为那些需要遵循严格的技术路径和快速获取非常精确的光谱信息而设计的, 而这些信息是传统方法无法企及的。 在半导体故障分析、开发和研究中,Allalin的光谱测量能力为快速可靠的缺陷检测和定位提供了无与伦比的解决方案。经过验证的数据类型包括位错密度、材料成分波动、应变、掺杂剂类型和浓度的测量;以及其他广泛的应用。 在科学研究中,Allalin能够创建纳米分辨率的光谱图,这使得它成为深入了解纳米尺度材料物理特性的终极工具。 Allalin拥有一套全面的功能选项:覆盖紫外-红外波长范围的各种探测器选择、SE检测器、稳定的低温样品台和高灵敏度的EBIC(电子束感应电流)检测解决方案。


技术参数

电子光学系统

– 肖特基热场发射电子枪

– 电子束能量 1keV–10keV

– 最小电子束斑尺寸: 3nm @10kV

– 最佳工作距离 3mm

– 高灵敏度SE检测器

– 可升级为皮秒脉冲激光电子枪(更多信息请 参阅Chronos信息)

– 探针电流: 30pA to 300nA

光学系统

– 视场可达 300µm

– 集成光收集系统: 由朗伯体发射的光子有30%离开显微镜(在整个视场中是恒定的)

– 消色差反射物镜从180nm 到 1.6µm– 数值孔径: NA 0.71 (f/0.5) 

光检测

– 色散光谱仪,带有两个成像出口(320毫米焦距)和一个3光栅转台(Attolight提供大量衍射光栅,以匹配您的应用),电动入口和出口狭缝用于紫外可见光(200 nm–1100 nm)测的高速CCD摄像机, 最高速度>900光谱/秒 

– 用于近红外(600 nm–1700 nm)检测的InGaAs摄像机最高速度>180光谱/秒

– 使用不同的探测器在200 nm–1700 nm范围内进行全色检测,最高速度>每像素50 ns

电子束感应电流(EBIC)

– 低噪音EBIC电路板 

– 电流测量极限100fA 

– 增益10^4到10^15V/A 

– 带宽最大 100kHz

样品室与真空系统

– 无油真空泵组系统:用于电子枪和电子柱的吸气剂离子泵和用于样品室的涡轮分子泵

– 一般换样时间:20 min

– 真空门上配有电子馈通

纳米定位平台

– 6自由度,可任意移动(与低温恒温器兼容)

– 行程: 25mm (X,Y), 3mm (Z), 3° 倾斜(X,Y), 10° 旋转 (Z) 

– 步进: 1 nm 

– 整个行程范围内100 nm的重复性 

– 坐标系统,便于精确定位和移动

低温恒温系统

– 温度范围从 10K 到室温,温度精度0.1 K

– 先进的数字温度控制器 

– 温度为10 K时,每小时漂移小于300nm

系统控制和检测模块

– 同时进行CL(高光谱或全光谱图谱)、SEM和EBIC检测

– 半自动操作模式 

– 直观的基于触摸屏的图形用户界面(GUI),用于快速样品定位和移动以及实时数据显示,以检查测量状态 

– 最大图像分辨率为4K,高光谱图谱的最大分辨率为512×512像素,电子束停留时间最小为每像素50 ns

数据分析

– Attolight提供了强大的分析和解决方案。更多信息请参考单独的Attomap手册。

– 工具配置和CL数据同时保存,以便于工具配置的再现 

– 通过网络轻松访问受密码保护的测量数据 

– 导出为开放数据格式,为用户选择首选的数据分析软件提供最大的灵活性

系统外形规格

– 占地面积:1219 mm(长)× 1039 mm(宽)

– 推荐使用面积:2017 mm(长)× 2426 mm(宽) 

– 重量:~1110 kg 


应用示例 

1、纳米半导体光学特性

2、晶体缺陷检测和定位(螺型位错、堆垛缺陷、掺杂物 等)

3、纳米级成分波动的测定

4、掺杂计量 

5、失效分析 

6、纳米光子学

  • 20世纪下半叶见证了半导体量子结构的出现,这是由于半导体量子结构在发光方面的卓越性能。将维数降为点状量子点(QDs),量子点与原子表现出有趣的相似之处,人们付出了巨大的努力来评估它们的性质。 考虑到光和纳米线之间的强相互作用,嵌入在被称为纳米线(NWs)的丝状晶体中的量子点的生长变得相关。NWs中的量子点尤其有望成为量子技术的关键要素,如量子通信和密码学。然而,量子点(约5-10 nm)和量子点的维数都降低了(直径约100 - 200nm)会使量子点性质的测量变得非常复杂。特别是,由于衍射的限制,很难用全光学测量来评估紧密放置点之间的绝对量子点位置和分辨率。

    半导体 2023-10-11

  • 由于ZnO具有宽的直接带隙(3,37 eV)、大的激子结合能(60 meV)以及优异的光学、压电和光电性能等特性,越来越多的应用领域认识到这种材料所带来的好处,特别是在涉及半导体、压电、光电和微纳米级高柔性机械性能的应用中,ZnO微/纳米线通常是许多领域的首选材料。

    材料 2023-08-24

  • 由于其与大批量硅晶圆厂的兼容性,GaN-on-Si技术平台可以大规模生产体积大且性能优越的硅晶圆而减小成本,使这项技术真正改变了游戏规则并用于汽车领域。阴极发光是其中半导体物理中使用的关键技术。它能够提供III-V薄膜材料的空间表征分辨率从而开辟出广阔的研究领域。

    能源/新能源 2023-08-17

  • 自发射Micro-LED显示器仍然是一种昂贵且特定的解决方案,这是由于难以生产具有数百万像素、没有未激活LED以及将多种颜色集成到一个背板上的显示器。通过利用CL成像,可以可靠地预测由于干蚀刻相关的损坏而导致单个像素或LED在EL下变得不活跃的Micro-LED短路缺陷。PL成像可以从可能阻碍进一步制造工艺步骤的蚀刻工艺中识别再沉积的InGaN。PL成像无法识别导致LED短路的蚀刻相关损伤。通过CL成像和亮度测量可以简单地识别额外的布线和接触缺陷。CL的这两种方法是快速和无损的测量,为微型LED显示器提供保真度信息。

    电子/电气 2023-07-17

  • 卤化物钙钛矿已成为下一代光电应用(如太阳能电池和发光二极管)的特殊候选者。钙钛矿薄膜在微观和纳米尺度上具有非均质性。对纳米尺度的理解是开发和改进这些新型材料的基础。CL允许在高空间分辨率下探测材料的特性。然而,这些软半导体对电子束损伤非常敏感,这主要阻碍了CL的使用。

    半导体 2023-11-13

  • 对于光伏(PV)和薄膜电池(TFB)来说,要在成本上与化石燃料和传统电池竞争,高制造成品率至关重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS层以及tbs的LiPON层的针孔导致良率损失和性能降低。扫描电镜(SEM)平面视图分析没有深度分辨率来确定孔是否完全穿透一层。

    半导体 2023-10-18

  • 20世纪下半叶见证了半导体量子结构的出现,这是由于半导体量子结构在发光方面的卓越性能。将维数降为点状量子点(QDs),量子点与原子表现出有趣的相似之处,人们付出了巨大的努力来评估它们的性质。 考虑到光和纳米线之间的强相互作用,嵌入在被称为纳米线(NWs)的丝状晶体中的量子点的生长变得相关。NWs中的量子点尤其有望成为量子技术的关键要素,如量子通信和密码学。然而,量子点(约5-10 nm)和量子点的维数都降低了(直径约100 - 200nm)会使量子点性质的测量变得非常复杂。特别是,由于衍射的限制,很难用全光学测量来评估紧密放置点之间的绝对量子点位置和分辨率。

    半导体 2023-10-11

  • 杂化钙钛矿薄膜的TRCL分析,钙钛矿CL光谱分析,用于高性能蓝色钙钛矿电致发光的卤化物均化,CH3NH3PbI 3 - xBr x钙钛矿单晶CL分析,钙钛矿太阳能电池,钙钛矿中间转换膜的CL研究

    半导体 2023-05-12

  • 由于ZnO具有宽的直接带隙(3,37 eV)、大的激子结合能(60 meV)以及优异的光学、压电和光电性能等特性,越来越多的应用领域认识到这种材料所带来的好处,特别是在涉及半导体、压电、光电和微纳米级高柔性机械性能的应用中,ZnO微/纳米线通常是许多领域的首选材料。

    材料 2023-08-24

  • Cathodoluminescence is a key technique to study the electronic band structures of semiconductors. Its application field includes the analysis of the defect distribution, carrier dynamics and characterization of the energy band structures, all these parameters being critical to improve the design of high performance optical and electronic devices. The features of the Attolight CL system lead to a new field of research

    材料 2023-03-21

  • Due to the extraordinary properties of diamond such as extreme hardness, chemical inertness, optical transparency, high thermal conductivity in combination with electrical insulation, more and more fields of applications recognize the benefits provided by this material. Particularly in applications involving extremely high power densities, high mechanical loads or severe abrasive conditions, diamond is often the only material meeting the demanding requirements.

    材料 2023-03-21

  • 为了使光电(PV)发电提供世界能源需求的很大一部分,必须降低每瓦特产生的面板成本。低成本、高容量光伏发电的最佳前景是薄膜无机化合物,包括CdTe和Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)。两种材料目前占太阳能电池板销量的20%,由于与硅相比有以下优势,这一比例可能会增加:1、这些材料的直接带隙意味着与100-400 μm的Si相比,所需的材料厚度大大减少,为2-5 μm。2、这种减少的厚度导致大大降低了对太阳能吸收器晶体质量的要求,它为更广泛的可能生产路线打开了大门;降低成本,提高产量。

    能源/新能源 2023-10-24

  • 由于其与大批量硅晶圆厂的兼容性,GaN-on-Si技术平台可以大规模生产体积大且性能优越的硅晶圆而减小成本,使这项技术真正改变了游戏规则并用于汽车领域。阴极发光是其中半导体物理中使用的关键技术。它能够提供III-V薄膜材料的空间表征分辨率从而开辟出广阔的研究领域。

    能源/新能源 2023-08-17

  • 自发射Micro-LED显示器仍然是一种昂贵且特定的解决方案,这是由于难以生产具有数百万像素、没有未激活LED以及将多种颜色集成到一个背板上的显示器。通过利用CL成像,可以可靠地预测由于干蚀刻相关的损坏而导致单个像素或LED在EL下变得不活跃的Micro-LED短路缺陷。PL成像可以从可能阻碍进一步制造工艺步骤的蚀刻工艺中识别再沉积的InGaN。PL成像无法识别导致LED短路的蚀刻相关损伤。通过CL成像和亮度测量可以简单地识别额外的布线和接触缺陷。CL的这两种方法是快速和无损的测量,为微型LED显示器提供保真度信息。

    电子/电气 2023-07-17

售后服务承诺

产品货期: 90天

整机质保期: 1年

培训服务: 安装调试现场免费培训

维修响应时间: 2天内

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Attolight半导体器件测试仪器Allalin的工作原理介绍

半导体器件测试仪器Allalin的使用方法?

AttolightAllalin多少钱一台?

半导体器件测试仪器Allalin可以检测什么?

半导体器件测试仪器Allalin使用的注意事项?

AttolightAllalin的说明书有吗?

Attolight半导体器件测试仪器Allalin的操作规程有吗?

Attolight半导体器件测试仪器Allalin报价含票含运吗?

AttolightAllalin有现货吗?

快速定量阴极发光CL-SEM系统 Allalin信息由北京正通远恒科技有限公司为您提供,如您想了解更多关于快速定量阴极发光CL-SEM系统 Allalin报价、型号、参数等信息,北京正通远恒客服电话:400-860-5168转0338,欢迎来电或留言咨询。
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