仪器种类： 原子力显微镜
产地类别： 进口
仪器类型： 工业型
定位检测噪声： ≤0.05nm
样品尺寸： ≤300mm
样品台移动范围： 275mm*200, 375mm*300mm
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Park NX-Wafer
可进行自动缺陷检测且
高吞吐量的低噪音原子力轮廓仪
晶圆厂专业自动化缺陷检测的原子力显微镜 用于高吞吐量CMP轮廓测量的高精准低噪声原子力轮廓仪 Park NX-Wafer是业界前沿的半导体及相关制造业自动化AFM计量系统。 该系统能提供晶圆制造厂检查和分析、裸晶圆和衬底的自动缺陷检测以及CMP轮廓测量。 Park NX-Wafer具有较高的纳米级表面分辨率和亚埃级的高精度。 在持续扫描后，探针针尖的变化可以忽略不计，仍具有出众的针尖锐度保护力。 Park NX-Wafer以其专有的自动系统功能而崭露头角，成为目前业界引领的半导体AFM工具。 该自动系统包括自动探针更换、实时监控、无参考标记的目标定位和自动分析。
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为在线晶圆厂计量提供高生产率和强大特性
光片和基板的自动缺陷检测 新的300mm光片ADR提供了从缺陷映射的坐标转换和校正到缺陷的测量和放大扫描成像的全自动缺陷复查过程，该过程不需要样品晶片上的任何参考标记，是重映射过程。 与扫描电子显微镜（SEM）运行后在缺陷部位留下方形的破坏性辐照痕迹不同，新的帕克ADR AFM能够实现坐标转换和更强的视觉，利用晶圆边缘和缺口来自动实现缺陷检查设备 和AFM之间的连接。 由于它是完全自动化的，因此不需要任何单独的步骤来校准目标缺陷检查系统的移动平台，从而将吞吐量增加到1000%。 |  |
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基于强大视觉进行自动传送和缺陷映射的校正 利用Park的专有坐标转换技术，新型Park ADR AFM能够将激光散射缺陷检测工具获得的缺陷映射精准地传送到300mm Park AFM系统。 |  |
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自动搜索 & 放大扫描
| 缺陷分两步成像； (1)检测成像，通过AFM或增强光学视觉来完善缺陷定位，然后(2)放大AFM扫描来获得缺陷的详细图像，呈现缺陷类型和随后缺陷尺寸的自动分析。 |
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CMP进行表征的长范围轮廓扫描
平坦化是在使用金属和介电材料的后段工艺中特别重要的步骤。 化学机械抛光（CMP）后的局部和全局均匀性对芯片制造的产量有很大的影响。 精准的CMP轮廓扫描是优化工艺条件、获得高平坦度以及提高生产率的关键计量。
结合Park NX-Wafer的滑动平台，为CMP计量提供了远程轮廓分析能力。 由于Park自动化原子力显微镜专有的平台设计，组合系统提供非常平坦的轮廓扫描，并且一般在每次测量之后不需要复杂的背景去除或前处理。 Park NX-Wafer实现了高精度CMP测量，包括凹陷、侵蚀和边缘过度侵蚀（EOE）的局部和全局的平坦度测量。
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亚埃级表面粗糙度控制
半导体供应商正在开发平坦晶圆，以解决不断缩小元件尺寸的需求。 然而，从来没有一个计量工具能够给这些拥有亚埃级粗糙度的衬底表面提供准确和可靠的测量。 通过在整个晶圆区域提供低于0.5A的业界低噪声下限，并将其与真正非接触模式相结合，Park NX-Wafer可以对平坦的基底和晶圆进行精准、可重复和可再现的亚 埃级粗糙度测量，并精准控制针尖的变量。 即使对于扫描尺寸达到100μm×100μm的远距离波度，也能够获得非常准确和可重复的表面测量。
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高吞吐量晶圆厂检测和分析
• 自动换针
• 设备前端模块（EFEM）用于自动晶圆传送
• 洁净室兼容性和远程控制接口
• 沟槽宽度、深度和角度测量的自动数据采集和分析
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Park NX-Wafer的特征
长范围轮廓仪
长范围轮廓仪是原子力轮廓仪（AFP）的重要组成部分，并且具有用于自动CMP轮廓扫描和分析的专用用户界面。
• 200mm : 10 mm
• 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)
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采用闭环双伺服系统的100μm×100μm柔性导向XY扫描器
XY扫描仪由对称的二维挠曲和高-力的压电堆组成，它们提供高度正交的运动，同时具有较小的平面外运动，以及纳米尺度上精准样品扫描所必需的高响应性 。 两个对称的低噪声位置传感器被结合在XY扫描仪的每个轴上，以便为大扫描范围和样品大小保持高水平的扫描正交性。 非线性和非平面位置误差的次级传感器校正和补偿是由单个传感器引起的。
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拥有低噪声位置传感器的15μm高速Z扫描器
NX-Wafer通过利用其低噪声Z探测器代替通常使用的非线性Z电压信号，为用户提供高测量精度。 行业引领的低噪声Z探测器取代应用Z电压作为形貌信号。 由高-力压电堆驱动并由挠性结构引导，标准Z扫描器具有高的谐振频率，能够进行更精准的反馈。 Z扫描范围可由15μm扩展到30μm，采用可选的长距离Z扫描仪。
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自动测量控制，使您可以获得准确的扫描避免繁琐的工作
| 配备了自动化软件，使操作几乎不费吹灰之力只要选择所需的测量程序，就可获得精准的多点分析悬臂调整，扫描速率，增益和设定点参数的优化设置。 Park的用户友好的软件界面为您提供了创建定制操作例程的灵活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以获得所需的测量。 创建新例程很容易。从零开始，大约需要10分钟，或不到5分钟修改现有的一个。 |
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Park NX-Wafer的自动化系统特点:
无论是自动模式，半自动模式还是手动模式，都可以迅速掌握
每个自动例程的可编辑测量方法
对测量过程进行实时监测
对获得的测量数据的自动分析
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生产率满足精度要求
自动换针 (ATX) ATX通过图案识别自动定位针尖，并使用一种新颖的磁性方法使用过的探针脱离并拾取新的探针。然后通过电动定位技术自动对准激光光斑。 |
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用于更稳定扫描环境的离子化系统 我们创新的离子化系统快速有效地去除了样品环境中的静电电荷。由于该系统总是产生并维持正负离子的理想平衡，因此它可以创建一个特别稳定的电荷环境，几乎不会污染周围区域，且样品处理过程中产生意外静电的风险低微。 |
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自动晶圆装卸器 (EFEM or FOUP) NX-Wafer可配置各种自动晶圆装卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破坏性的晶圆装卸器的机器人臂充分确保用户始终获得快速可靠的晶圆测量。 |
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Park NX-Wafer技术参数
系统 规格 | 电动XY平台 200mm : 行程可达275 mm × 200 mm, 0.5 μm 分辨率 300mm : 行程可达400 mm × 300 mm, 0.5 μm分辨率, 1 µm重复性 电动 Z 平台 25 mm Z行程距离, 0.08 µm分辨率, < 1 µm重复性 电动聚焦平台 9 mm行程Z轴光学距离 | 样品厚度 厚至20 mm Full scan range Z run-out < 2 nm, repeatability < 1nm COGNEX图像识别 图像校正分辨率 1/4 pixel |
| 扫描仪性能 | XY扫描器 100 µm × 100 µm (大范围模式) 50 µm × 50 µm (中范围模式) 10 µm × 10 µm (小范围模式) 具有闭环控制的单模块挠性XY扫描器 XY扫描器分辨率 0.15 nm (大范围模式) | Z扫描器范围 15 µm (大范围模式) 2 µm (小范围模式) Z扫描器分辨率 0.016 nm (大范围模式) 0.002 nm (小范围模式) Z扫描器噪声 0.03 nm, rms (typical) |
AFM and XY Stage Control Electronics | ADC 18 channels 4个高速通道 ADC通道 X、Y和Z位置传感器(24位ADC) | DAC 17 channels 2个高速通道 ADC通道 X、Y和Z的定位(20位DAC) |
| 合规 | CE SEMI S2/S8标准 | |
振动，噪声， 静电防护（ESD） 性能 | 地板振动要求< 0.5 µm/s (10 Hz to 200 Hz w/ Active Vibration Isolation System) 噪音>20 dB attenuation w/ Acoustic Enclosure | |
| 基础设施需求 | 待机室温 10 °C ~ 40 °C 工作室温 18 °C ~ 24 °C 湿度 30% to 60% (不凝结) 地板振动要求 VC-D (6 µm/sec) 噪音 Below 65 dB | 气动式 真空度 : -80 kPa CDA (or N2): 0.7 MPa 电源额定值 208V - 240 V,单相, 15 A (max) 总耗电量 2 KW (typical) 接地电阻 低于100欧姆 |
| Options | Long Range Sliding Stage • 200mm : 10 mm • 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm) 自动换针 (ATX) ATX通过图案识别自动定位针尖，并使用一种新颖的磁性方法使用过的探针脱离并拾取新的探针。然后通过电动定位技术自动对准激光光斑。 总动晶圆装卸器 (EFEM or FOUP) NX-Wafer可配置各种自动晶圆装卸器(Cassette 或 FOUP 或其他)。高精度、非破坏性的晶圆装卸器的机器人臂充分确保用户始终获得快速可靠的晶圆测量。 用于更稳定扫描环境的离子化系统 我们创新的离子化系统快速有效地去除了样品环境中的静电电荷。由于该系统总是产生并维持正负离子的理想平衡，因此它能够在样品处理期间产生特别稳定的电荷环境，并对周围区域几乎没有污染，且样品处理过程中产生意外静电的风险低微 | |
| 尺寸 & 重量 | 尺寸 & 重量 200 mm系统 2732 mm(w) × 1100 mm(d) x 2400 mm(h) w/ EFEM, 2110 kg approx. (包括控制箱) 升限高度 2000 mm or more 操作者工作空间 3300 mm (w) x 1950 mm (d), Minimum | 300 mm系统 3486 mm(w) × 1450 mm(d) x 2400 mm(h) w/ EFEM, 2950 kg approx. (包括控制箱) 升限高度 2000 mm or more 操作者工作空间 4770 mm (w) x 3050 mm (d), Minimum |
保修期: 1年
是否可延长保修期: 是
现场技术咨询: 有
免费培训: 3-5人次系统操作/维护/保养培训
免费仪器保养: 不少于一次免费现场保养维护
保内维修承诺: 免费维修更换零件
报修承诺: 24小时响应，48解决相关问题或者具体维修解决方案
Park NX12原子力显微镜
型号：NX12 100万 - 150万
Park NX20 原子力显微镜
型号：NX20 250万 - 300万
Park NX-3DM 自动化原子力显微镜
型号：NX-3DM 1000万 - 1500万
Park NX7 原子力显微镜
型号：NX7 面议导电原子力显微镜（C-AFM）是一种非常有用的扫描探针显微镜（SPA）纳米表征技术，它不仅可以对样品的形貌进行表征，更重要的是可以探测许多介质材料和电子器件的局部电学性质。C-AFM技术已经成功表征了介质薄膜的许多重要的纳米级现象，比如：局部缺陷、电荷捕获和释放、应力诱导漏电流、负偏置温度不稳定性等。   目前，随着电子器件尺寸和介电材料厚度的不断缩减，纳米级电学性质表征技术手段的应用和发展变得日益重要。本讲座首先简要介绍C-AFM技术的发展历程、工作原理、工作特点及方式；其次重点介绍C-AFM技术在二维材料和忆阻器中的电学表征应用。   具体内容是利用C-AFM技术：1.研究化学气相沉积法制备的六方氮化硼（h-BN）的电学性质：介质击穿特性和厚度及电学性质均一性；2.在不同环境（大气和真空）下探测h-BN基忆阻器的阻变特性及导电细丝的形态表征；3.通过与其它电学设备相结合，实现更高性能的技术表征。最后，探讨未来多探针SPA技术的发展概念，有望实现在真空环境下对材料或器件的原位制备和表征。 主讲人： 惠飞博士 现以色列理工学院博士后，2018年7月获得巴塞罗那大学和苏州大学双博士学位。在攻读博士期间，她曾先后到世界顶级名校美国麻省理工学院和英国剑桥大学进行为期12个月和6个月的访学。在科研方面，5年时间内，她共参与发表SCI期刊学术论文38篇，其中，一作论文11篇，包括顶级期刊Nature Electronics, AdvancedFunctional Materials, ACS Applied Materials & Interfaces, 2D Materials, Nanoscale等。另外，她还参与德国Wiley出版的专著篇章一部，获批国家发明专利一项，申请国际专利两项，参与申请国际间/国家自然科学基金项目等8项。曾获得2019 ParkAFM博后奖学金、英国皇家化学会学者奖学金等。她的主要研究领域是化学气相沉积法制备二维材料及其在电子器件领域内的应用。
具有自动缺陷检测&原子力轮廓仪功能的低噪声，高吞吐量原子力显微镜。NX-Wafer原子力显微镜提供精确的形貌量测，可用来监控化学机械研磨平面化制程，检测因材料差异所造成异质材料间的凹陷（dishing）效应与浸蚀（erosion）效应
用于失效分析应用的高真空扫描，再高真空条件下进行SSRM(Scanning Spreading-Resistance Microscopy-扫描扩展显微镜)测量能够减少所需的针尖-样品相互作用力，并减少对样品和针尖的损伤，延长针尖的使用寿命，并能通过提高空间分辨率和信噪比从而提供更准确的结果。
Park 原子力扫描探针NX-Wafer的工作原理介绍
扫描探针NX-Wafer的使用方法?
Park 原子力NX-Wafer多少钱一台?
扫描探针NX-Wafer可以检测什么？
扫描探针NX-Wafer使用的注意事项？
Park 原子力NX-Wafer的说明书有吗？
Park 原子力扫描探针NX-Wafer的操作规程有吗？
Park 原子力扫描探针NX-Wafer报价含票含运吗？
Park 原子力NX-Wafer有现货吗？
