GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。
注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。
主要特性
复合物 | GaSe | |
透光率, μm | 0.62 – 20 | |
非线性系数, pm/V | d22 = 54 @10.6 μm | |
对称度 | 六方晶系, 6m2 point group | |
晶胞参数, ? | a=3.74, c=15.89 | |
典型反射系数 | 10.6 μm | no=2.6975, ne=2.3745 |
光学损伤阈值, MW/cm2 | 1064 nm | 30 |
离散角, ° | 5.3 μm | 4.1 |
应用
10.6 μm激光辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
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