THz晶体-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS
第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1- xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操 作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用 CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源。
材料 | ZnS | CdS | ZnSe | ZnSe | ZnxCd1-xS | CdS | CdSe | CdSxSe1-x | CdTe | CdTe | CdZnTe | ZnTe |
生成方法 | 垂直布里奇曼生长法 | PVT | melt | PVT | 晶种气相法 | |||||||
直径，mm | 40 | 50 | 80 | 50 | 40 | |||||||
厚度，mm | 30 | 10 | 15 | 40 | 30 | 30 | 10 | 30 | 10 | 15 | ||
光学吸收at 10,6 | < 0.15 | < 0.007 | <0.0015 | <0.005 | - | 0.01 | 5-10 | < 0.01 | - | |||
阻抗, Ohm x cm | - | 105 | 5-50x109 | > 105 | 1x106 | |||||||
发光强度比，IEx/Iedge | - | > 10 | - | |||||||||
位错密度, cm-2 | - | < 2 x105 | < 5 x105 | 2 x105 | < 2 x105 | < 2 x104 | 5 x104 | - | 1x 104 | - | ||
小角边界密度, cm-1 | - | < 40 | < 40 | 70 | 70 | < 20 | 10 | - | 3 | < 10 | ||
发光光谱的激发带波长, nm | - | 490 ± 2 | 690 ± 2 | 444 | 475 ± 5 | 490 | 690 | 510 ± 5, | - | |||
关于德国Moltech公司：
德国Moltech公司位于柏林，专注于激光材料，激光介质，激光晶体，太赫兹晶体，法拉第隔离器的研发制作。Moltech公司的THz晶体广泛为中国的客户使用和好评。
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