THz晶体-GaAs(Te/Zn)/GaP/InP(Zn/Fe)/InSb
筱晓光子技术有限公司的德国合作方之一 MolTech公司生产和经销各类激光晶体，包括作为激光活性物质的晶体，光学器件晶体，各种单晶，非线性光学晶体！现在我公司把MolTech公司的部分用于THz产生的非线性晶体介绍给中国的科研界客户。
THz晶体-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn
其中GaP(磷化镓)有一个能发出可见光的能代间隙,只不过它是间接能带半导体。当它同GaAs结合形成GaAs1-xPx合金时,就便成了既直接又具有发光能带间隙的物质了。GaP还可用于制作发光二极管，它能够发出绿光。
InP(磷化铟)主要应用于光纤通讯设备,尤其是半绝缘的InP晶片很可能成为光电二极管的主流产品,应用于高速通讯设备，其传输速度能达到40Gbps。InP还有望用于对传输速度要求更高的下一代移动电话中。
材料 | InP | InSb | InP: Fe | InP:Zn | GaP | GaAs:Te | GaAs:Zn | GaAs 多晶 |
阻抗, omNaN | 0.03 - 0.2 | - | 1x106 - 2x107 | - | - | - | - | - |
直径 | - | - | 1,011 - 1,2511 | 1,011 - 1,2511 | - | 12,511 | 1,511 | - |
轴向 | (100), (111) | (100), (111) | (100), (111) | (100), (111) | (100), (111) | -100 | - | - |
载流子浓度, cm-3 | (0.8 - 2.0) x 1015 | (8 - 30) x 1013 | - | (0.2 - 1.0) x 1018 | (4 - 6) x 1016 | 2 x 1017 | 1.0 x 1019 | 2 x 1015 |
灵敏度, cm2/V.Sec | 3500 - 4000 | - | - | 50 -70 | - | 4500 | - | 5200 |
生长技术 | - | 可参杂 | - | - | 可参杂 | - | Cz | Bridjman |
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