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  • Hitech仪器仪表有限公司于1981年在英国卢顿成立,是集气体分析仪设计、生产和经销为一体的专业厂家。 成立以来,我们一直是各种工业领域用气体分析仪的主要供货商之一。独特的创新设计理念为我们在不同的行业应用中赢得了极佳的口碑。我们每种系列产品都配备有一套补充选件,通过精心构思设计,我们的标准产品可以满足大多数用户的需求。 对于那些特殊工况,我们运用模块化设计方法很容易为用户开发从简单改造到复杂多气体仪表的特制方案。如用户需要,我们还可以为这些分析仪配备特制的样气调节系统。自从1989年成为MTL仪器仪表集团成员以来,Hitech已在世界上大多数工业国家建立了完善的经销网络。 我们检测或监测氨气、氩气、二氧化碳、一氧化碳、氯气、氟利昂、氦气、氢气、氪气、甲烷、氖气、氧化氮、二氧化氮、氧气、六化硫、……以及多种其他气体
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  • 北京汉克斯科技有限公司致力于New energy industry(新能源工业)领域检测设备(Measure/Test)引进、销售、服务。我公司与多家国际品牌通力合作,提供在线式气体纯度分析仪、在线式气体浓度分析仪、在线式气体监测仪、便携式气体纯度分析仪、便携式气体浓度检测仪(包括氢气、氧气、氨气、氩气、二氧化碳、一氧化碳、氯气、氟利昂、氦气、氪气、甲烷、氖气、硫化氢、二氧化氮、六氟化硫、氙气等近15种气体),在线式氢气纯度分析仪、在线氧中氢分析仪、在线氢中氧分析仪、在线氦气浓度分析仪、便携式氢气纯度检测仪、便携式氧气浓度检测仪、便携式综合气体检测仪等系列高品质仪器及技术服务。Hitech Electronics/高科电子是一家专注于气体分析超过30年的专业气体分析仪表供应商,并在工业危险区应用方面拥有强大的技术数据库,为客户提供综合性、专业性、一站式服务。广泛应用于电力、石化、制氢、冶金、钢铁空分、浮法玻璃、新能源等行业领域。Hitech自己制造电化学及热导传感器,根据用户具体的应用要求进行校准,所以每个传感器都能具备独特的性能,其中Hitech Electronics/高科电子K1550在线氢气纯度分析仪、Hitech Electronics/高科电子G1010在线氧气浓度分析仪、Hitech Electronics/高科电子K6050便携式氢气纯度检测仪等已成为国内市场的经典款型。 汉克斯一贯秉承“专业成就未来,服务决定品质”的理念,立足于专业化、高品质的产品及服务,为用户提供完善、可持续的应用解决方案。我们充分注重“以人为本”的团队建设,拥有一支工作踏实、勤于沟通、敢于负责、善于学习的市场服务、技术服务队伍,变单一的产品销售为以服务促市场,与用户共发展。
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  • 氦氖激光器(632.8nm 0.5-35mW) 氦氖激光器是很早出现也是比较常见的气体激光器之一,工作物质为氦、氖两种气体按一定比例的混合物。氦氖激光器的原理是基于玻尔-爱因斯坦原理,即吸收和辐射能量的微观过程。当氦氖激光器中的氦气被电子冲击或能级激发时,氦气中的原子会处于激发态。这些激发态的原子会通过辐射方式,将其能量释放出来,产生一些带有特定波长和相位的光子。这些光子会与氖气的原子碰撞,导致氖气的原子被激发。随着氖气的原子向基态跃迁,它们也会通过辐射过程,释放出辐射能量,产生一些特定波长的光子。这些光子会经过外腔镜和输出镜后形成一个出射激光束,氦氖激光器具有高亮度和单色性根据工作条件的不同可以输出5种不同波长的激光,而常用的则是波长为632.8纳米的红光。输出功率在0.5-35毫瓦之间,具有非常好的光束质量。 氦氖激光器(632.8nm 0.5-35mW)应用 氦氖激光器是当前应用很是广泛的激光器之一,可用于外科医疗、激光美容、建筑测量、准直指示、照排印刷、激光陀螺等。 同时氦氖激光器具有工作性质稳定、使用寿命比较长的特点,因而现在对于氦氖激光器在流速和流量测量方面得到了更加普遍的开发和利用,同时在精密计量以及微观测振方面的应用也非常广泛。氦氖激光器(632.8nm 0.5-35mW)指标参数更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等,涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询。
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  • ORTHOPure HDID-ppt-ppb-ppm 400-860-5168转2848
    HDID/HE系列色谱仪利用氦离子化检测器来测量氦气(He)、氩气(Ar)、氢气(H2)、氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化碳(CO2)、氪气(Kr)或氙气(Xe)中的痕量杂质气体,包括氖气(Ne)、氢气(H2)、氩气(Ar)、氧气(O2)、氮气(N2)、氪气(Kr)、甲烷(CH4)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、氙气(Xe)等。
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  • 氦氖激光器是以氦气、氖气作为工作物质的气体激光器,以连续激励方式输出激光。HNR 系列氦氖激光器采用激光管和激光电源分离的结构,型号种类齐全,输出功率从1.2mW~5mW。氦氖激光器采用管式设计,成熟的硬封接技术,能方便地安装在光学系统中,广泛应用于准直、定位、全息技术、精密测量、医学、光学教学等领域。产品特点:单色性好稳定性好光束质量高方向性强结构紧凑操作简单氦氖激光管参数激光电源参数产品备注:所有激光管配相应激光电源氦氖激光管实物图激光电源实物图
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  • 俄军登陆乌克兰,半导体材料供应告急,或加重全球“缺芯”危机
    俄乌局势升温,2月21日晚,俄罗斯总统普京下令,俄军进入乌克兰东部的顿巴斯维持和平,同时普京也承认乌克兰东部2个分离共和国是独立实体。当地时间24日,乌克兰最高拉达(议会)通过乌克兰全境进入战时状态的决定。半导体市场趋势研究公司台湾TrendForce表示,如果乌克兰和俄罗斯发生冲突,半导体制造成本可能会上升,并转嫁到半导体价格上。据了解,乌克兰是半导体原材料气体的主要来源,如氖气、氩气、氪气和氙气,其中氖气约占市场70%的气体供应。 专家表示,如果乌克兰和俄罗斯之间发生全面冲突,可能会影响乌克兰的原材料天然气供应。 然而,由于半导体工厂和原材料气体供应商确保了一定的库存,并有可能从其他地区接收供应,因此,即使乌克兰的原材料和天然气供应中断,半导体生产线在短期内也不会停止,但担心供应量会减少,从而导致价格上涨,这可能会推高晶圆的制造成本。2015年俄罗斯并吞克里米亚半岛之际,氖气价格曾飙升10倍以上,达到每立方公尺3500美元,而在半导体曝光制程中,需要透过混合氖、氟、氩等特殊气体才能进行,特别是在DUV曝光激发激光所需的惰性气体混合物中含有氖气,且很难被替代,且氖气占比高达95%以上。需要氖气的半导体光刻工艺广泛使用,从 180nm 工艺到 300mm 晶圆的 1Xnm 工艺,主要在 200mm 晶圆上。 TrendForce表示,在全球代工产能中,180-1Xnm工艺约占75%,除台积电和三星采用先进的EUV曝光工艺外,大多数晶圆厂的180-1Xnm工艺的销售额比例超过90%。 此外,自2020年以来,大多数半导体类别的制造工艺,如PMIC和Wi-Fi、RFIC、MCU等,都使用180-1Xnm工艺。 此外,在内存方面,在DRAM的情况下,虽然每家公司都逐渐转向使用EUV的尖端工艺,但超过90%的总产能仍然使用DUV曝光,NAND的所有过程都通过DUV曝光进行。
  • 俄乌危机恐冲击半导体关键原材料供应,中国厂商有望受惠
    眼下,俄罗斯与乌克兰之间的紧张局势不断升级,美国、加拿大等国家纷纷撤出本国外交人员并呼吁在乌公民回国。美国国务卿布林肯表示,俄罗斯入侵乌克兰的威胁很大,且迫在眉睫。 考虑到乌克兰、俄罗斯是全球半导体制造用特种气体生产大国,美国白宫此前便警告,芯片业应为俄罗斯断供做好准备。今日(2月13日),国金证券也发布半导体材料行业研报,称乌俄关系紧张、地缘政治风险有可能影响半导体材料的供应。 根据国金证券的分析,美国、欧洲的8英寸、12英寸晶圆厂受到影响的概率较大,中国大陆/台湾、韩国、日本等非相关国家和地区,由于半导体气体和材料的获取渠道畅通,反而有机会受惠于短期内市场份额的提升。 或影响电源管理芯片、功率半导体等终端产品 国金证券提到的材料特指光刻气和钯金属。 据了解,不同的光刻气和电压可产生不同波长的光,经过聚合、滤波处理后便形成光刻机的光源,这直接决定了光刻机的分辨率范围。 光刻气大部分为稀有气体及氟之间的混合气,常见光刻气包含氩/氟/氖混合气、氪/氖混合气、氩/氖混合气、氩/氙/氖混合气等等,对配比精度与纯度的极高要求直接导致了光刻气的技术难度升高。 在光刻气市场上,乌克兰可谓举足轻重。资料显示,乌克兰供应的氖气约占全球70%,并且供应全球约40%氪气,和30%的氙气。其中,氖气和氪气都可用于KrF镭射,该工艺主要用于8寸晶圆250~130nm成熟制程。 目前,250~130nm制程产品包括电源管理芯片(PMIC)、微机电系统(MEMS)及MOSFET组件、IGBT等功率半导体组件。在目前全球缺芯仍未缓解的背景之下,这必然将进一步加剧缺芯问题。 而另一热议材料“钯”是航空航天、核能、汽车制造中的关键材料,在半导体中多用在后道封装环节。世界上只有俄罗斯和南非等少数国家出产。据美国电子材料市场调查公司Techcet,美国35%的钯来自俄罗斯。 美国政府已经着手制定应急方案 机构并非危言耸听,根据美国贸易委员会(ITC)的数据,在2014年克里米亚半岛局势紧张的时期,氖气价格一度上涨了600%。事实上,部分特种气体的价格已经开始上涨。目前根据百川盈孚价格跟踪数据,我国氖气(含量99.99%)价格已从2021年10月份的400元/立方米上涨到目前超过1600元/立方米。 有外媒爆料,消息人士称,美国白宫警告芯片行业,防俄罗斯以限制关键原材料供应的方式,报复美国可能采取的制裁行动。白宫国家安全委员会成员最近几天一直在与芯片行业人士接触,了解俄罗斯和乌克兰芯片制造材料的供应情况,并敦促他们寻找其他来源。 而芯片和电子制造供应商集团SEMI负责全球公共政策的副总裁Joe Pasetti,已经向成员发送了一封电子邮件,要求评估芯片制造重要原材料的供应风险。 中国厂商有机会受惠 国金半导体团队分析师认为,后续如果有相关氖气、氪气和氙气的供应风险,下游晶圆厂的寻求替代供应商需要半年以上时间验证,会面临新的短料风险。 根据国金证券的分析,美国、欧洲的8英寸/12英寸晶圆厂受到影响的概率较大,中国大陆/台湾、韩国、日本等非相关国家和地区,由于半导体气体和材料的获取渠道畅通,反而有机会受惠于短期内市场份额的提升。 进一步地,国内华特气体,凯美特气可供应光刻气体,华特气体供应光刻用的氪氖混合气、氟氖混合气等气体;凯美特气供应相关稀有气体,氖、氪、氙及混合气体等,如果乌克兰氖气、氪气等供应受阻,国内华特气体、凯美特气有望受益。 国内康强电子供应半导体封装电镀丝;上游高纯钯的供应商主要有贵研铂业、中金环境等公司,但其产品主要用于汽车尾气催化剂、再生资源材料等方面。
  • 2022半导体产业大事记
    2022年,新冠疫情、俄乌战争、通货膨胀、美元加息、逆全球化、半导体下行周期共振下,让这个超过5500亿美元的半导体市场面临着严峻挑战。根据世界半导体贸易组织 (WSTS) 的最新预估,今年全球半导体市场营收增幅或放缓至4.4%,并预计2023年,全球半导体市场将同比下降2.5%,达6230亿美元,降幅创下历史冰点——这意味着,明年芯片行业仍处于下行周期当中。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布的《2022年度总半导体设备预测报告》指出,原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高,连续三年创纪录,较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9%。预计明年全球半导体制造设备市场总额将收缩至912亿美元,2024年将在前端和后端市场的推动下反弹。在辞旧迎新之际,仪器信息网特别整理了2022年半导体行业大事记,以飨读者!俄乌冲突导致氖气“断供”,电子气价格狂飙在芯片生产过程中,一部分看似不起眼的惰性气体不可或缺,其中包括氖气。俄罗斯和乌克兰均为氖气生产国。据市场调研公司TrendForce提供的数据,乌克兰供应全球将近70%的高纯氖气。2月24日,俄罗斯总统普京发表电视讲话,决定在顿巴斯地区发起特别军事行动。随着俄乌冲突升级,芯片生产所需的氖气、钯等多种原材料的国际供应被扰乱,进而导致全球芯片短缺状况进一步加剧。3月14日,由于俄乌关系持续紧张,乌克兰两家主要氖气供应商已经停止运营,全球约45%-54%的半导体级氖气由乌克兰Ingas和Cryoin两家公司供应。此后全球氖气价格进一步上涨。2022年10月6日,俄罗斯卫星通讯社宣称马里乌波尔氖气工厂计划恢复生产。半导体掀起反腐风暴,多位“大基金”高管落马2021年11月,大基金管理人“华芯投资”原副总裁高松涛被查。2022年7月17日,据中央纪监委驻国家开发银行纪检监察组消息,国家开发银行国开发展基金管理部原副主任、国家大基金管理公司原总裁路军涉嫌严重违纪违法,目前已正在接受中央纪委国家监委驻国家开发银行纪检监察组纪律审查和吉林省监委监察调查。2022年7月上旬,紫光集团前董事长赵伟国被有关部门从北京家中带走。据传,赵伟国身涉调查或与其个人所控公司和原紫光集团旗下公司之间利益输送相关,比如设备采购、装修工程等未经公开招投标的问题。2022年7月29日,财新报道指出,国家芯片大基金深圳子基金合伙人王文忠被查。2022年7月30日,中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组、北京市监察委员会正式发布公告称,大基金总经理丁文武涉嫌严重违纪违法,经中央纪委国家监委指定管辖,目前正接受中央纪委国家监委驻工业和信息化部纪检监察组纪律审查、北京市监委监察调查。在此之前,丁文武曾任工信部电子信息司司长。丁文武的被查,是芯片行业人事动荡系列事件的高潮点。2022年8月9日,大基金管理人华芯投资三位管理层被查。拜登签署《芯片和科学法案》8月9日,美国总统拜登9日在白宫签署《芯片和科学法案》。该法案对美本土芯片产业提供巨额补贴,并要求任何接受美方补贴的公司必须在美国本土制造芯片。美国商务部公布的《科学与芯片法案》细节显示,其中包括超过520亿美元的半导体制造和研究资金,拜登政府已将其列为美国与北京竞争的当务之急。随后,华盛顿不断推动更严格的对华出口法规,涵盖了制造14纳米及以下芯片所需设备。相关举措意欲使中国半导体制造企业更难发展先进制程,中国半导体产业链进入“华为时刻”。美国挑起的这次芯片战争,限制了中国企业获取先进半导体设备的能力,推动并加剧了全球半导体产业供应链的分裂与混乱,为全球芯片产业链供应链带来严重冲击。半导体设备作为主要“卡脖子环节”迎来国产替代的黄金窗口期,国内半导体设备需求将助推国产替代进程。美国BIS对中国半导体发布新限制美国商务部7号发布了针对先进芯片和芯片制造设备对华出口新限制。美国高级政府官员表示,这些规则将要求美国芯片制造商获得商务部的许可,才能对华出口某些用于先进人工智能计算和超级计算的芯片。美国政府此前已经出台了对华芯片及设备的出口限制,最新举措将限制扩大到阻止使用美国技术的外国芯片的对华出口。除了对芯片和芯片设备出口的限制外,美国商务部正在增加对为部分中国芯片制造设施提供支持的美国公民、永久居民和公司的限制,并扩大对已列入美国商务部出口黑名单的28家中国超算实体的限制。10月13日晚21点,美国商务部工业和安全局(BIS)就其上周五对中国半导体的管理规则进行公开简报,题为“实施额外的出口管制:某些先进计算和半导体制造项目;超级计算机和半导体最终用途;实体清单修改”。欧盟公布《芯片法案》,将投入超430亿欧元2月8日,欧盟委员会公布了备受关注的欧盟芯片法案,计划投资超过430亿欧元(约合490 亿美元、3127亿元人民币)用于支持芯片生产、试点项目和新一代芯片工厂等,以提升欧盟在全球的芯片生产份额。具体来看,欧盟芯片法案计划投资的资金中,110亿欧元将用于加强现有的研究、开发和创新,以确保部署先进的半导体工具以及用于原型设计、测试的生产线等。此外,还将建立“芯片基金”,用于帮助初创企业获取融资;另设半导体股权投资基金,支持大中小企业市场扩张。芯片法案的目标是,到2030年将欧盟的芯片产能从目前占全球的10%提高到20%。台积电等晶圆代工厂赴美建厂2022年11月,台积电首批300名骨干员工的家属登上美国客机,直飞凤凰城芯片工厂的配套住宅区。两周后的12月初,又有大批精密设备运过去。台积电将在美国亚利桑那州设立3纳米先进制程的晶圆厂,投资规模约120亿美元,接近2020年拍板的5纳米工厂。台积电12月6日在美国亚利桑那州凤凰城新厂举行首批机台设备到厂活动,包括美国总统拜登在内的重要人物出席。台积电这次在美国开厂也被认为是美国有意在芯片制造领域“去台化”。此外,美国还邀请三星、英特尔、德州仪器、联电等公司在美建厂。美国拉拢组建Chip4联盟2022年3月,美国政府提议组建“芯片四方联盟” (Chip 4联盟) ,意图拉拢日本、韩国和中国台湾地区组成所谓的半导体“CHIP4(芯片四方联盟)”,以抑制中国大陆的半导体发展。2022年4月,美国商务部BIS发布美欧技术和贸易委员会(TTC) 供应工作公告,要求确保半导体关键供应链在盟国尤其是日韩的可靠性,重塑盟友导向的供应链。12月中旬,日本和荷兰已原则上同意加入美国的行列,加强对向中国出口先进芯片制造设备的限制。

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  • 空心阴极灯充氖气后的内部压力如何?

    听说,空心阴极灯的生产过程中,要先抽成真空,然后再充入一定量的氖气(或者别的惰性气体?)。只是不知道,充入氖气后,灯内的压力是多少呢?能达到室温的空气压力吗?有没有有心的人知道?

  • PDHID检测器分析氦气中的氖气

    [align=center][size=18px]PDHID[/size][size=18px]检测器分析氦气中的氖气[/size][/align][align=left][size=16px]到底氦离子化检测器能不能分析氖气,有很多人会产生疑问。[/size][/align][align=left][size=16px]首先先从氦离子化检测器的原理上进行探讨,氦离子化[/size][size=16px]检测器的工作原理通常都认为是基于潘宁效应(Penning effect),它利用β射线,脉冲放电能量,以及在高压电场加速下获得能量的二次电子与氦原子碰撞,将载气中部分氦原子由基态跃迁到不同能级的激发态,生成亚稳态氦原子He*(23S,19.8ev)和氦离子He+(1S2S1/2,24.5ev)等,亚稳态氦原子间的相互碰撞又将部份的亚稳态氦激发为氦离子,放出电子,各种能级的激发态氦和其它高能粒子与样品中被测组份的原子或分子碰撞,将能量传递给它们,并使之电离。[/size][/align][align=left][size=16px]氦气电离时有两种电离能出现,而氖气的电离能(21.6ev)刚好是介于两者之间,理论上是有一定的响应,线性应该是没其它物质那么宽。[/size][/align][align=left][size=16px]实际上通过实验,采取多点浓度0.1ppm、0.5ppm、1ppm、5ppm、10ppm、15ppm、20ppm,[/size][size=16px]具体细节就不再详述[/size][size=16px],得出以下结论:[/size][/align][align=left]1, [size=16px]氦离子检测器对氦气中氖气[/size][size=16px]有一定的响应;[/size][/align][align=left]2, [size=16px]氦离子检测器对氦气中氖气的检测限在0.5ppm左右[/size][size=16px];[/size][/align][align=left]3, [size=16px]氦离子检测器对氦气中氖气的检测[/size][size=16px]的线性范围在0.5到10ppm之间。[/size][/align]

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  • 现货供应岛津有色空心阴极灯Cd镉-岛津原子吸收空心阴极灯Ca钙Co钴价格
    重要提示:本产品网页标价为随机发布参数,产品具体准确价格请联系客服 空心阴极灯使用说明一、工作电流--在能够向主机提供足够能量时,尽量用较小的工作电流,这时发射的自吸收较小,使测定灵敏度较高、线型范围扩大,同时也延长灯的寿命.能量大小还取决于单色器的通带宽度(或隙缝宽度),仪器的光电倍增管的高压三种因素应适当配合,使灵敏度和稳定性都较优。初次使用或存放时间较长请先用最大电流的1/3-2/3的电流稳定30分钟后检查稳定性和能量,根据对灯的稳定性,灵敏度等条件的要求作好最佳灯电流的选择实验。原子吸收用灯的使用电流可参照仪器厂家给定电流,原子荧光仪器灯电流因脉冲供电占空比比较大,厂家给的峰值电流,换算成平均电流比较小,大约是8-10倍,因此原子荧光用灯电流以仪器厂家推荐值为准。二、灯的寿命时灯的使用电流(毫安)和使用时间(小时)的乘积表示。大部分元素灯寿命在5000毫安小时以上,正常寿命的终止原因是氖气消耗到不足以维持正常放电或者阴极的氧化、氮化和熔化,现象是只在阴极口外发光,灯电流、光强度几乎为零。三、推荐原子吸收灯的波长一般是最灵敏度线,用户可根据自己实际情况选择,灯内充有氖气,有氖气的谱线,同时在制灯过程中有的元素是合金元素,有其他元素的谱线,但对该元素所推荐波长没有干扰,空心阴极灯有石英和玻璃窗口,石英窗口可透过190-860nm谱线80%以上光强,而玻璃窗口仅能透过350-860nm谱线。四、空心阴极灯的稳定性与元素有关,一般要求灯预热30分钟后测试,高熔点金属(如Cu、Fe、Ni等)元素灯稳定性好,预热时间短,易挥发及低熔点(如Ca、Na、K、Zn、Cd等)元素灯稳定性差些,预热时间稍微长一点,汞灯由于充有汞单质,稳定性与汞灯内汞蒸气压有关,蒸气压与温度有关,故汞灯使用要注意环境温度恒定,预热时间要长些。
  • As-1-4上海仪电空心阴极灯Cr铬Cu铜Fe铁K钾Mg镁规格齐全-耐用
    重要提示:本产品网页标价为随机发布参数,产品具体准确价格请联系客服空心阴极灯使用说明一、工作电流--在能够向主机提供足够能量时,尽量用较小的工作电流,这时发射的自吸收较小,使测定灵敏度较高、线型范围扩大,同时也延长灯的寿命.能量大小还取决于单色器的通带宽度(或隙缝宽度),仪器的光电倍增管的高压三种因素应适当配合,使灵敏度和稳定性都较优。初次使用或存放时间较长请先用最大电流的1/3-2/3的电流稳定30分钟后检查稳定性和能量,根据对灯的稳定性,灵敏度等条件的要求作好最佳灯电流的选择实验。原子吸收用灯的使用电流可参照仪器厂家给定电流,原子荧光仪器灯电流因脉冲供电占空比比较大,厂家给的峰值电流,换算成平均电流比较小,大约是8-10倍,因此原子荧光用灯电流以仪器厂家推荐值为准。 二、灯的寿命时灯的使用电流(毫安)和使用时间(小时)的乘积表示。大部分元素灯寿命在5000毫安小时以上,正常寿命的终止原因是氖气消耗到不足以维持正常放电或者阴极的氧化、氮化和熔化,现象是只在阴极口外发光,灯电流、光强度几乎为零。三、推荐原子吸收灯的波长一般是最灵敏度线,用户可根据自己实际情况选择,灯内充有氖气,有氖气的谱线,同时在制灯过程中有的元素是合金元素,有其他元素的谱线,但对该元素所推荐波长没有干扰,空心阴极灯有石英和玻璃窗口,石英窗口可透过190-860nm谱线80%以上光强,而玻璃窗口仅能透过350-860nm谱线。四、空心阴极灯的稳定性与元素有关,一般要求灯预热30分钟后测试,高熔点金属(如Cu、Fe、Ni等)元素灯稳定性好,预热时间短,易挥发及低熔点(如Ca、Na、K、Zn、Cd等)元素灯稳定性差些,预热时间稍微长一点,汞灯由于充有汞单质,稳定性与汞灯内汞蒸气压有关,蒸气压与温度有关,故汞灯使用要注意环境温度恒定,预热时间要长些。五、起辉电压是指空心阴极灯能点亮的最低电压,工作电压一般是起辉电压60%左右,汞灯由于有空心阴极灯与蒸汽放电的特点, 起辉电压比较高(400-600V),点不亮时,在通电状态下,用丝绸或海绵擦拭灯壳表面起静电,起辉电压降低,灯即点亮。六、空心阴极灯、电极发黑的东西,这是阴极构成物质的溅起所引起,根据元素不同状态不同。特别是在As、Se、Cd、Na、K、Zn等元素的高蒸汽压的灯能看见。此为制造工序中发生的,对产品的性能无影响。
  • 高性能寿命长北京普析原子吸收空心阴极灯As-1-4元素灯Mn锰Mo钼Na钠
    重要提示:本产品网页标价为随机发布参数,产品具体准确价格请联系客服空心阴极灯使用说明一、工作电流--在能够向主机提供足够能量时,尽量用较小的工作电流,这时发射的自吸收较小,使测定灵敏度较高、线型范围扩大,同时也延长灯的寿命.能量大小还取决于单色器的通带宽度(或隙缝宽度),仪器的光电倍增管的高压三种因素应适当配合,使灵敏度和稳定性都较优。初次使用或存放时间较长请先用最大电流的1/3-2/3的电流稳定30分钟后检查稳定性和能量,根据对灯的稳定性,灵敏度等条件的要求作好最佳灯电流的选择实验。原子吸收用灯的使用电流可参照仪器厂家给定电流,原子荧光仪器灯电流因脉冲供电占空比比较大,厂家给的峰值电流,换算成平均电流比较小,大约是8-10倍,因此原子荧光用灯电流以仪器厂家推荐值为准。二、灯的寿命时灯的使用电流(毫安)和使用时间(小时)的乘积表示。大部分元素灯寿命在5000毫安小时以上,正常寿命的终止原因是氖气消耗到不足以维持正常放电或者阴极的氧化、氮化和熔化,现象是只在阴极口外发光,灯电流、光强度几乎为零。三、推荐原子吸收灯的波长一般是最灵敏度线,用户可根据自己实际情况选择,灯内充有氖气,有氖气的谱线,同时在制灯过程中有的元素是合金元素,有其他元素的谱线,但对该元素所推荐波长没有干扰,空心阴极灯有石英和玻璃窗口,石英窗口可透过190-860nm谱线80%以上光强,而玻璃窗口仅能透过350-860nm谱线。四、空心阴极灯的稳定性与元素有关,一般要求灯预热30分钟后测试,高熔点金属(如Cu、Fe、Ni等)元素灯稳定性好,预热时间短,易挥发及低熔点(如Ca、Na、K、Zn、Cd等)元素灯稳定性差些,预热时间稍微长一点,汞灯由于充有汞单质,稳定性与汞灯内汞蒸气压有关,蒸气压与温度有关,故汞灯使用要注意环境温度恒定,预热时间要长些。五、起辉电压是指空心阴极灯能点亮的最低电压,工作电压一般是起辉电压60%左右,汞灯由于有空心阴极灯与蒸汽放电的特点, 起辉电压比较高(400-600V),点不亮时,在通电状态下,用丝绸或海绵擦拭灯壳表面起静电,起辉电压降低,灯即点亮。六、空心阴极灯、电极发黑的东西,这是阴极构成物质的溅起所引起,根据元素不同状态不同。特别是在As、Se、Cd、Na、K、Zn等元素的高蒸汽压的灯能看见。此为制造工序中发生的,对产品的性能无影响。