团簇式星型多腔体真空沉积系统

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团簇式星型多腔体真空沉积系统相关的厂商

  • 贰零壹捌科技（天津）有限公司
    贰零壹捌科技（天津）有限公司是一家专业从事纳米颗粒与纳米薄膜制备设备以及复杂真空系统设计、开发、制造、销售的高科技公司。创始人曾在德国和美国的高水平大学学习与工作，致力于团簇束流沉积技术和质谱、能谱等复杂真空系统的研究和设备开发。因此，公司以纳米团簇束流技术见长，拥有雄厚的复杂真空系统设计、制造及研发能力。开发完成的纳米团簇束流源及质量选择和沉积系统设备达到了国际先进水平，拥有研究型和生产型两个系列。擅长纳米团簇束流沉积技术在工业应用领域的方案设计、技术服务与产品代工，尤其适合于纳米光电与传感器件、微机电器件工业制程领域提供系统解决方案。公司采用国际上先进的“设备与工艺相结合”模式进行研发、生产与销售，引领世界先进技术。公司拥有良好的售前服务平台、完善的售后服务体系、广泛的技术支持能力，致力于向广大的国内外用户提供性能高、稳定性强、安全可靠的产品。公司配备了优秀的科研人员，为用户提供售前、售后工艺服务与工艺技术支持，包括：设备选型实验、设备考察实验、项目预研与立项、合作攻关、工艺指导、工艺培训等。 广泛应用在光学、半导体、离子束、真空设备、真空机械、科研仪器及相关控制软件。镀膜、沉积设备、超高真空设备、复杂系统联动控制、低维材料制备、石墨烯传感器及系统集成：v v沉积设备：化学（催化）、材料、新材料、电极材料（新能源）（磁控溅射（单靶或多靶）、热型、电子束轰击型） v复杂真空系统：超高真空环境下，材料制备、原位表征、材料转移、集成LEED，角分辨激光光电子能谱（磁瓶和动量谱仪型）、高分辨质谱、医用质谱、各类离子与团簇源（离子源包括高电荷态ECR、中等离子态强流ECR离子源、磁控溅射强流团簇源、整发型团簇源）、不同功能光谱、质谱、电子能谱的多功能系统集成。 v抛光：荷能纳米颗粒超光滑表面抛光 v超高真空系统设计、超高真空系统相关联动系统软件、超高真空腔体与部件的加工、离子光学系统的设计 v真空部件加工
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  • 鹏城半导体技术（深圳）有限公司
    鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积（CVD）系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备（科研型、生产型）、超高真空磁控溅射外延设备（10-8Pa）|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备：PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备：热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台：以内置真空机械手的样品传递室为中心（配4～8个进出口），配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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  • 北京维意真空技术应用有限责任公司
    公司名称（现用名）：北京维意真空技术应用有限责任公司公司名称（曾用名）：北京科立方真空技术应用有限公司覆盖区域：北京、天津、河北 北京维意真空技术应用有限责任公司，原名北京科立方真空技术应用有限公司，创立于2013年，位于中国首都北京密云经济技术开发区，主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分，是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的专业性的公司，公司拥有一支专业、优秀的产品技术工程师和维修技术工程师，具有丰富的行业经验，同时还与北京工业大学联合研发等离子体增强化学气相沉积系统，与北京交通大学联合研发原子层沉积系统，满足高校、研究所的教学、科研使用，同时减少相关进口设备的市场占有率，并力争创造外汇，打出中国创造的名牌！ 我们的客户遍布北京各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域尖端的实验室，期待您就是我们的下一位客户、朋友！ 您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标！技术创新、业务专业、服务诚信是我们一直遵循的经营理念！我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成一流的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积系统和原子层沉积系统供应商。
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团簇式星型多腔体真空沉积系统相关的仪器

  • 纳米团簇束流沉积系统
    l纳米团簇束流沉积系统由纳米团簇源、质量选择器、沉积系统构成。 l可以用于基于纳米粒子的器件加工，可在结构、化学组分、封装等不同环节上对纳米结构单元进行操纵。l可用于纳米粒子膜的大规模工业化制备。l工艺过程高效、快速和低成本。v创新的镀膜、沉积设备 v新型的纳米颗粒制备设备 纳米粒子源通过气相聚集过程及差分束流系统形成纳米团簇束流，由质量选择器进行筛选，然后在高真空下以声速（低能）或被加速（高能）沉积于基底上。1、纳米团簇束流沉积系统——纳米团簇源l纳米粒子的平均直径：0.5～35nm（1 ～ 106个）可调。 l纳米粒子的尺寸分布（FWHM）：2～5nm。 l可选用多靶套件。 l可选用粒子弯头，实现多种团簇沉积或取样。 l相比传统磁控溅射系统，节约大约50%氩气。 l靶材可以是金属（包括碱金属、贵金属和特高熔点金属，例如：锇、钨）、非金属（常温常压下固态非金属单质和化合物）、半导体（例如硅、锗）、能在真空存在的固态有机材料等。2、纳米团簇束流沉积系统——质量选择器l基于德国科学家的时间飞行法对小团簇进行原子数级的质量选择，可以从“白”束流中分选出pA-nA流量的单原子数组分束流，质量选择精度为0.5 ～2%。 l1-200单原子可控。l尺寸选择精度：亚纳米级。 l通量：1010/s ～ 1011/s(1-10nA)。l选择后束流原子数在1 ～10000之间，选择精度优于20，可达200。3、纳米团簇束流沉积系统——沉积系统l纳米薄膜沉积速度可监控，并在0.05 ～2nm/s连续可调。 l标准纳米束流直径：0.5 ～25mm可调，可选配样品X-Y扫描器，制备150×150mm以上样品。 l可实现加速动能为1 ～40keV的荷能纳米粒子沉积。 l系统背景真空度可达10-9Torr。 l控制沉积速度（声速）并配合控温台（选配）实现沉积过程不升温。 l可选配快速降温组件，实现退火，得到一些特殊相。 l可用于制备纳米颗粒。
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    厂商： 贰零壹捌科技（天津）有限公司
    品牌： 未知
    型号： 11
    价格： 100万 - 200万元
  • 双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 400-860-5168转4994
    双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO
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    厂商： 厦门韫茂科技有限公司
    品牌： 韫茂/YUNMAO
    型号： QBT-T
    价格： 100万 - 200万元
  • Sentech集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 400-860-5168转4527
    产品详情Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 高产量等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于到200 mm晶片的高产量工艺。 研发三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。 SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。 用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。 高产量的多腔系统ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。 用于研发的多腔系统ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。
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    厂商： 深圳市蓝星宇电子科技有限公司
    品牌： 未知
    型号： Sentech
    价格： 面议
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团簇式星型多腔体真空沉积系统相关的资讯

  • 科普系列：选择性原子层沉积技术
    p　　很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说，在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如，等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟，但对于选择性ALD来说，成核延迟现象却被放大了。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 234px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title="02.jpg" height="234" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp　　有意思的是，虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象，但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂，这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。/pp　　strong以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念：/strong/pscript src="https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461&siteid=D9180EE599D5BD46&autoStart=false&width=600&height=490&playerid=2BE2CA2D6C183770&playertype=1" type="text/javascript"/scriptp　　那么问题来了，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。strong我相信我们系统中的一些功能会很有用，例如：/strong/pp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制/pp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO)/pp ◆ 将氢基作为抑制剂：在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长/pp ◆ 氟化物等离子体：将CFX或F作为抑制剂，在前驱物注入前使用此等离子体，或进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru，H2等离子体可刻蚀ZnO)。/pp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入/pp ◆ 多腔体集成系统，比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用/pp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压/pp　　strong牛津仪器的设备可实现优异的控制效果，包括：/strong/pp ◆ 通过MFC，快速ALD阀门和快速自动压力控制，可获得精准可调的前驱物/气体注入，以实现一面成核另一面不成核的现象。/pp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度，以使抑制现象长时间不受影响。/pp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。/pp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备：椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法/pp　　基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题，我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象，通过结合选择性ALD及其他工艺，可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如，通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯，或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD)，可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL，结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说，我很期待能有令人惊喜的新发现，新结构和新材料能在可控的方式下诞生。/p
    时间： 2018-06-13
    作者： 阳离子
  • 北京大学1000.00万元采购原子层沉积
    详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2022-07-08 09:00 预算金额：1000.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：北京明德致信咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx
    时间： 2022-06-17
    作者： 未知
  • 十种物理气相沉积（PVD）技术盘点
    薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。
    时间： 2021-06-04
    作者： KPC
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    微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中真空压力控制装置的国产化替代

    [size=14px][color=#cc0000]摘要：目前微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统中的真空压力控制装置普遍采用美国MKS公司的控制阀和控制器。本文介绍了采用MKS公司产品在实际应用中存在控制精度差和价格昂贵的现象，介绍了为解决这些问题的国产化替代方案，介绍了最新研发的真空压力控制装置国产化替代产品，并验证了国产化替代产品具有更高的控制精度和价格优势。[/color][/size][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align][size=18px][color=#cc0000] [/color][color=#cc0000]1. 问题的提出[/color][/size][size=14px]　　在微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统中，微波发生器产生的微波用波导管传输至反应器，并向反应器中通入不同气体构成的混合气体，高强度微波能激发分解基片上方的含碳气体形成活性含碳基团和原子态氢，并形成等离子体，从而在基片上沉积得到金刚石薄膜。等离子体激发形成于谐振器内，谐振器真空压力的调节对金刚石的合成质量至关重要，现有技术中，真空管路上通常设置可以自动调节阀芯大小的比例阀对谐振腔真空压力进行自动控制，目前国内外比较成熟的技术是比例阀采用美国MKS公司的248系列控制阀和相应的配套驱动器1249B和控制器250E等。但在实际应用中，如美国FD3M公司发明专利“真空压力控制装置和微博等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积装置”（专利号CN 108517556）中所描述的那样，使用MSK公司产品主要存在以下几方面的问题：[/size][size=14px]　　（1）不包括真空计的话，仅真空压力控制至少需要一个248系列控制阀、一个配套的驱动器1249B和一个真空压力控制器250E，所构成的闭环控制装置整体价格比较昂贵。[/size][size=14px]　　（2）248系列控制阀是一种典型的比例阀，这种比例阀动态控制精度难以满足真空压力控制要求，如设定值为20、30、50、100和150Torr不同工艺真空压力时，实际控制压力分别为24、33、53、102和152Torr，控制波动范围为1.3~20%。[/size][size=14px]　　另外，通过我们的使用经验和分析，在微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统中采用MKS公司产品还存在以下问题：[/size][size=14px]　　（1）美国MKS公司248系列控制阀，以及148J和154B系列控制阀，因为其阀芯开度较小，使用中相应的气体流量也较小，所以MKS公司将这些控制阀分类为上游流量控制阀。在微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统中，一般是控制阀安装在工作腔室和真空泵之间的真空管路中，也就是所谓的下游控制模式，而MKS公司的下游流量控制阀的最小孔径为50mm以上，对MPCVD系统而言这显然孔径太大，同时这些下游流量控制阀价格更加昂贵。因此，选用小孔径小流量的248系列控制阀作为下游控制模式中 的控制阀实属无奈之举。[/size][size=14px]　　（2）如果将美国MKS公司248系列上游控制阀用到MPCVD系统真空压力的下游控制，所带来的另一个问题是工艺过程中所产生的杂质对控制阀的污染，而采用可拆卸可清洗的下游控制阀则可很好的解决此问题，这也是MKS公司下游控制阀的主要功能之一。[/size][size=14px]　　针对上述微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统中真空压力控制中存在的问题，上海依阳实业有限公司开发了新型低价的下游真空压力控制装置，通过大量验证试验和实际使用，证明可成功实现真空压力下游控制方式的国产化替代。[/size][size=18px][color=#cc0000]2. MPCVD系统中的真空压力下游控制模式[/color][/size][size=14px]　　针对微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积（MPCVD）系统，系统真空腔体内的真空压力采用了下游控制模式，此控制模式的结构如图2-1所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,291]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041531385213_1293_3384_3.png!w690x291.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图2-1 MPCVD系统真空压力下游控制模式示意图[/color][/align][size=14px]　　上述微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积设备的工作原理和过程为：首先对真空腔抽真空，并向真空腔内通入工艺混合气体，然后通过微波源产生微波，微波经过转换后进行谐振真空腔，最终形成相应形状的等离子体，从而形成[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积[/size][size=14px]　　装置可以通过调节微波功率、工作气压调节温度。为了进行工作气压的调节，在真空泵和真空腔之间增加一个数字调节阀。当设定一定的进气速率后，调节阀用来控制装置的出气速率由此来控制工作腔室内的真空度，采用薄膜电容真空计来高精度测量绝对真空度，而调节阀的开度则采用24位高精度控制器进行PID控制。[/size][size=18px][color=#cc0000]3. 下游控制模式的特点[/color][/size][size=14px]　　如图2-1所示，下游控制模式是一种控制真空系统内部真空压力的方法，其中抽气速度是可变的，通常由真空泵和腔室之间的控制阀实现。[/size][size=14px]　　下游控制模式是维持真空系统下游的压力，增加抽速以增加真空度，减少流量以减少真空度，因此，这称为直接作用，这种控制器配置通常称为标准真空压力调节器。[/size][size=14px]　　在真空压力下游模式控制期间，控制阀将以特定的速率限制真空泵抽出气体，同时还与控制器通信。如果从控制器接收到不正确的输出电压（意味着压力不正确），控制阀将调整抽气流量。压力过高，控制阀会增大开度来增加抽速，压力过低，控制阀会减小开度来降低抽速。[/size][size=14px]　　下游模式具有以下特点：[/size][size=14px]　　（1）下游模式作为目前最常用的控制模式，通常在各种条件下都能很好地工作。[/size][size=14px]　　（2）下游控制模式主要用于精确控制真空腔体的下游实际出气速率，与真空泵连接的出气口径一般较大，相应的真空管路也较粗，因此下游控制阀的口径一般也相应较大，由此可满足不同大口径抽气速率的要求。[/size][size=14px]　　（3）在下游模式控制过程中，其有效性有时可能会受到“外部”因素的挑战，如入口气体流速的突然变化、等离子体事件的开启或关闭使得温度突变而带来内部真空压力的突变。此外，某些流量和压力的组合会迫使控制阀在等于或超过其预期控制范围的极限的位置上运行。在这种情况下，精确或可重复的压力控制都是不可行的。或者，压力控制可能是可行的，但不是以快速有效的方式，结果造成产品的产量和良率受到影响。[/size][size=14px]　　（4）在下游模式中，会在更换气体或等待腔室内气体沉降时引起延迟。[/size][size=18px][color=#cc0000]4. 下游控制用真空压力控制装置[/color][/size][size=14px]　　下游控制模式用的真空压力控制装置包括数字式控制阀和24位高精度PID控制器。[/size][size=16px][color=#cc0000]4.1. 数字式控制阀[/color][/size][size=14px]　　数字式控制阀为上海依阳公司生产的LCV-DS-M8型数字式调节阀，如图4-1所示，其技术指标如下：[/size][size=14px]　　（1）公称通径：快卸：DN10-DN50、活套：DN10-DN200、螺纹：DN10-DN100。[/size][size=14px]　　（2）适用范围（Pa）：快卸法兰（KF）2×105~1.3×10-6/活套法兰6×105~1.3×10-6。[/size][size=14px]　　（3）动作范围：0～90°；动作时间：小于7秒。[/size][size=14px]　　（4）阀门漏率（Pa.L/S）：≤1.3×10-6。[/size][size=14px]　　（5）适用温度：2℃~90℃。[/size][size=14px]　　（6）阀体材质：不锈钢304或316L。[/size][size=14px]　　（7）密封件材质：增强聚四氟乙烯。[/size][size=14px]　　（8）控制信号：DC 0~10V或4~20mA。[/size][size=14px]　　（9）阀体可拆卸清洗。[/size][align=center][color=#cc0000][size=14px][img=,315,400]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041532016015_1144_3384_3.png!w315x400.jpg[/img][/size][/color][/align][color=#cc0000][/color][align=center][color=#cc0000]图4-1 依阳LCV-DS-M8数字式调节阀[/color][/align][size=16px][color=#cc0000]4.2. 真空压力PID控制器[/color][/size][size=14px]　　真空压力控制器为上海依阳公司生产的EYOUNG2021-VCC型真空压力PID控制器，如图4-2所示，其技术指标如下：[/size][size=14px]　　（1）控制周期：50ms/100ms。[/size][size=14px]　　（2）测量精度：0.1%FS（采用24位AD）。[/size][size=14px]　　（3）采样速率：20Hz/10Hz。[/size][size=14px]　　（4）控制输出：直流0~10V、4-20mA和固态继电器。[/size][size=14px]　　（5）控制程序：支持9条控制程序，每条程序可设定24段程序曲线。[/size][size=14px]　　（6）PID参数：20组分组PID和分组PID限幅，PID自整定。[/size][size=14px]　　（7）标准MODBUS RTU 通讯协议。两线制RS485。[/size][size=14px]　　（8）设备供电： 86~260VAC（47~63HZ）/DC24V。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,500,500]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041532370653_8698_3384_3.jpg!w500x500.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图4-2 依阳24位真空压力控制器[/color][/align][size=18px][color=#cc0000]5. 控制效果[/color][/size][size=14px]　　为了考核所研制的控制阀和控制器的集成控制效果，如图5-1所示，在一真空系统上进行了安装和考核试验。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,425]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041533305822_2863_3384_3.png!w690x425.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-1 真空压力下游控制模式试验考核[/color][/align][size=14px]　　在考核试验中，先开启真空泵和控制阀对样品腔抽真空，并按照设定流量向真空腔充入相应的工作气体，真空度分别用薄膜电容式真空计和皮拉尼真空计分别测量，并对真空腔内的真空压力进行恒定控制。在整个过程中真空腔内的真空度按照多个设定值进行控制，如71、200、300、450和600Torr，整个过程中的真空压力变化如图5-2所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,413]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041534037381_7474_3384_3.png!w690x413.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-2 考核试验过程中的不同真空度控制结果[/color][/align][size=14px]　　为了更好的观察考核试验结果，将图5-2中真空度71Torr处的控制结果放大显示，如图5-3所示。从图5-3所示结果可以看出，在71Torr真空压力恒定控制过程中，真空压力的波动最大不超过±1Torr，波动率约为±1.4%。同样，也可以由此计算其他设定值下的真空压力控制的波动率，证明都远小于±1.4%，由此证明控制精度要比MKS公司产品高出一个数量级，可见国产化替代产品具有更高的准确性。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,418]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041534134372_7696_3384_3.png!w690x418.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-3 考核试验中设定值为71Torr时的控制结果[/color][/align][size=14px]　　另外，还将国产化替代产品安装到微波等离体子热处理设备上进行实际应用考核。在热处理过程中，先开启真空泵和控制阀对样品真空腔抽真空，并通惰性气体对样品真空腔进行清洗，然后按照设定流量充入相应的工作气体，并对样品腔内的真空压力进行恒定控制。真空压力恒定后开启等离子源对样品进行热处理，温度控制在几千度以上，在整个过程中样品腔内的真空压力始终控制在设定值几百Torr上。整个变温前后阶段整个过程中的真空压力变化如图5-4所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,420]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041534238555_747_3384_3.png!w690x420.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-4 微波等离子体高温热处理过程中的真空压力变化曲线[/color][/align][size=14px]　　为了更好的观察热处理过程中真空压力的变化情况，将图54中的温度突变处放大显示，如图5-5所示。[/size][align=center][size=14px][color=#cc0000][img=,690,425]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/06/202106041534344190_6882_3384_3.png!w690x425.jpg[/img][/color][/size][/align][size=14px][/size][align=center][color=#cc0000]图5-5 微波等离子体高温热处理过程中温度突变时的真空压力变化[/color][/align][size=14px]　　从图5-5所示结果可以看出，在几百Torr真空压力恒定控制过程中，真空压力的波动非常小，约为0.5%，由此可见调节阀和控制器工作的准确性。[/size][size=18px][color=#cc0000]6. 总结[/color][/size][size=14px]　　综上所述，采用了完全国产化的数字式调节阀和高精度控制器，完美验证了真空压力下游控制方式的可靠性和准确性，证明了国产化产品完全可以替代美国MKS公司相应的真空压力控制产品，并比国外产品具有更高的控制精度和价格优势。[/size][size=14px][/size][size=14px][/size][hr/]

  • 【原创大赛】高温半球发射率测量装置真空腔体温度均匀性的有限元热仿真分析

    【原创大赛】高温半球发射率测量装置真空腔体温度均匀性的有限元热仿真分析

    [align=center][size=18px][color=#000099]高温半球发射率测量装置真空腔体温度均匀性的有限元热仿真分析[/color][/size][/align][align=center][size=18px][color=#999999]Finite Element Thermal Simulation Analysis of the Temperature Uniformity of the Vacuum Chamber of the High-Temperature Hemispheric Emissivity Measurement Device[/color][/size][/align]摘要：在高温半球发射率测量装置中，真空腔体温度均匀性是保证半球发射率测量精度和测试设备安全运行的重要技术参数。本文介绍了采用SolidWorks软件对水冷真空腔体上各处法兰温度分布的有限元计算过程和获得的结果，以指导确定真空腔体设计参数和制造工艺的确定。关键词：半球发射率,有限元,热仿真,温度均匀性,真空腔体,高温,测量装置,法兰, Hemispherical emissivity, finite element, thermal simulation, temperature uniformity, vacuum chamber, high temperature, measuring device, flange[align=center][img=高温发射率测量,690,338]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290630151571_4563_3384_3.png!w690x338.jpg[/img][/align]　　[size=24px][color=#000099]1. 问题的提出[/color][/size]　　在采用稳态量热法测量材料高温半球发射率过程中，要求被测样品处于高真空环境中，作为量热计的真空腔体始终恒定在较低温度（如水温或液氮温度），真空腔体内表面要保持较高的发射率数值，从而保证作为量热计的真空腔体是一个黑体能吸收样品辐射出的所有热量。　　在高温半球发射率测量装置中，真空腔体的冷却和温度控制方式是在真空腔壁内部布置流道让冷却介质（水或液氮）按照一定方式进行流动，并由此带走腔壁吸收的热量并使得腔壁温度始终恒定。但由于真空腔体上还布置有各种法兰（如引线法兰、抽气法兰和炉门法兰等），这使得真空腔壁内部流道就要绕开这些法兰，造成冷却液并不能直接冷却到这些部件，这些法兰吸收和积累的热量就需要通过法兰材料自身的热传导方式将热量传递给冷却液，由此往往会在这些法兰部件上形成比真空腔体其他位置更高的温度。为了保证高温半球发射率测量装置的安全性和测量准确性，在设计过程中需要准确了解这些法兰处的温度分布并进行优化。　　本文将介绍水冷真空腔体上各处法兰温度分布的计算过程和获得的结果，以指导确定真空腔体的具体参数和制造工艺设计。[color=#000099][size=24px]2. 热仿真模型[/size][size=18px]2.1. 常规模型[/size][/color]　　高温半球发射率测量装置的主要结构是一个卧式水冷真空腔体，双测开门。真空腔体的外径为840mm，长度为800mm，两侧腔门直径为920mm。腔体和腔门都为双层不锈钢结构，中间布置冷却水流道，腔体和腔门的总壁厚都为20mm，腔体和腔门分别独立水冷。被测样品悬挂在真空腔体的中心位置，最大样品尺寸为直径100mm×12mm。　　针对上述规格尺寸的高温半球发射率测量装置建立热仿真模型，建模和仿真计算采用SOLIDWORKS软件。为了简化计算工作量，针对此对称结构的真空腔体，在一半真空腔体的基础上建立热仿真模型，如图2-1所示。[align=center][color=#000099][img=高温发射率测量,690,344]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290635288234_3762_3384_3.png!w690x344.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#000099]图2-1 仿真模型及其剖面图[/color][/align]　　如图2-1所示，在热仿真建模中做了以下几方面的设计假设：　　（1）对于外径840mm、长度400mm、壁厚20mm的一半真空腔体，假设水流道直接覆盖的区域长度为350mm，剩余50mm为“侧壁无水冷段”，此段上的热量完全靠不锈钢材质的导热传递给冷却液。　　（2）同样，对于外径920mm、厚度20mm的腔门，假设水流道直接覆盖腔门的中心区域，此水冷区域直径为720mm，剩余宽度为100mm的实心圆环为“腔门的无水冷段”，此段上的热量完全靠不锈钢材质的导热传递给冷却液。　　（3）真空腔体和腔门之间设计有一个腔门法兰，用于放置密封圈和安装腔门转动合页。此腔门法兰无任何水冷，热仿真模型设计为宽度为100mm、外径为920mm的圆环。　　（4）模型中样品尺寸为直径100mm、厚度6mm的圆片，为实际最大样品尺寸的一半。为计算出样品最大辐射能力时对无水冷部件的影响程度，样品温度设置为最高温度1200℃，样品热辐射面（表面和侧面）的半球发射率设置为1，样品背面为绝热面。　　（5）整个真空腔体和腔门的内壁，都涂有高发射率黑色涂料，在热模型中它们的表面发射率也都设置为1。水冷侧壁和水冷腔门温度设置为水冷温度20℃。模型中所有材质设计为304不锈钢，由于真空腔体自身温度不会处于高温状态，所以模型中不锈钢的热物理性能参数都采用常温数据。　　（6）对于高温半球发射率测量装置而言，测试过程中真空腔体内部始终为0.001Pa量级的高真空，因此真空腔体内部的传热形式设定为只有辐射传热，样品上的热量只通过热辐射形式传递给侧壁、法兰和腔门。[size=18px][color=#000099]2.2. 简化模型[/color][/size]　　为进一步减小网格尺寸和提高热仿真精度，将上述模型进行了简化，即去掉占用面积最大的水冷部件（水冷侧壁和水冷腔门），将于水冷侧壁和水冷腔门接触部件的接触面温度设定为20℃恒温。由此得到的简化后模型如图2-2所示，这种简化后的仿真模型只考虑高温样品对无水冷部件的辐射加热，最终得到无水冷部件在1200℃高温样品辐照下达到的最高温度。[align=center][img=高温发射率测量,690,574]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290635418127_4767_3384_3.png!w690x574.jpg[/img][/align][color=#000099][/color][align=center]图2-2 简化后热仿真模型[/align][size=18px][color=#000099]2.3. 增加引线法兰后的模型[/color][/size]　　在实际高温半球发射率测量装置中，在水冷腔门上安装有引线法兰和抽气法兰，而循环水冷直接触及这些法兰，在1200℃高温样品辐照时会使得这些法兰温度升高。为了解这些法兰在高温辐照时温度升高的最大温度，专门在上述第二种简化模型的基础上增加了两个引线法兰，如图2-3所示。同样，在此模型中，去掉了面积最大的水冷部件，但水冷接触面处同样需要设定20℃恒温。[align=center][img=高温发射率测量,690,505]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290635531233_8765_3384_3.png!w690x505.jpg[/img][/align][color=#000099][/color][align=center]图2-3 增加引线法兰后的简化模型[/align][size=24px][color=#000099]3. 热仿真结果[/color][/size]　　对于上述三种仿真模型分别进行了有限元计算。[size=18px][color=#000099]3.1. 常规模型仿真结果[/color][/size]　　对于图2-1所示的第一种常规模型，采用稳态形式进行了有限元计算，有限元网格形成则采用标准网格和自动过渡形式，最终热仿真结果如图3-1所示。从图3-1所示仿真结果可以看出，水冷区域温度始终处于20℃，无水冷区域会有一定温升，温升最高处位于腔门和法兰的边缘位置，最高温度为29.5℃，即温度比水冷温度升高了近10℃。[align=center][color=#000099][img=高温发射率测量,690,533]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290636108069_1760_3384_3.png!w690x533.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#000099]图3-1常规模型仿真结果[/color][/align][align=center][color=#000099][/color][/align][align=left][size=18px][color=#000099]3.2. 简化模型仿真结果[/color][/size][/align]　　对于图2-2所示的第二种仿真模型，采用稳态形式进行了有限元计算，有限元网格形成则采用基于曲率的网格，最大单元大小和最小单元大小都设置为20mm，最终热仿真结果如图3-2所示。从图3-2所示仿真结果可以看出，水冷区域接触面温度始终处于20℃，无水冷区域会有一定温升，温升最高处同样位于腔门和法兰的边缘位置，最高温度为29.3℃，即温度比水冷温度升高不到10℃，与常规模型仿真结果相差0.2℃。[align=center][color=#000099][img=高温发射率测量,630,585]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290636218021_996_3384_3.png!w630x585.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#000099]图3-2 简化模型仿真结果[/color][/align][size=18px][color=#000099]3.3. 增加引线法兰后的简化模型仿真结果[/color][/size]　　对于图2-3所示的第三种仿真模型，采用稳态形式的有限元计算，有限元网格形成则采用基于曲率的网格，最大单元大小和最小单元大小都设置为20mm，最终热仿真结果如图3-3所示。　　从图3-3所示仿真结果可以看出，水冷区域接触面温度始终处于20℃，无水冷区域会有温升。其中腔门法兰和腔门边缘处温升还是与简化模型结果一致，最高温度为29.2℃。增加引线法兰后，中心引线法兰圆心处温度最高，达到了55.5℃，温升达到了25.5℃；而底部引线法兰中心处温度最高为42.4℃，温升达到了22.4℃。由此可见，腔门上的引线法兰会给真空腔体的整体温度均匀性带来严重影响，这就要求在真空腔体法兰的设计中设法规避这种现象。[align=center][img=高温发射率测量,690,634]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2021/09/202109290636320070_2959_3384_3.png!w690x634.jpg[/img][/align][color=#000099][/color][align=center]图3-3 增加引线法兰后的模型仿真结果[/align][size=24px][color=#000099]4. 总结[/color][/size]　　通过对高温半球发射率测量装置中真空腔体的建模，针对不同模型进行了有限元热仿真计算，得到以下结论：　　（1）对于现有尺寸和结构形式的双侧开门卧式真空腔体，如果冷却循环水控制在20℃时，样品温度处于高温1200℃，腔门边缘处无水冷区域内的最高温度不会超过30℃，此10℃的温升可以忽略不计，对设备的测试和安全运行没有影响。　　（2）为了保证测量装置的加工和运行的便利性，会在两个腔门上布置各种引线法兰和抽气法兰。如果这些法兰的无水冷区域为直径200mm尺寸，那么距离高温1200℃样品最近处的法兰中心温度会达到近56℃，其他位置处的法兰中心温度也会达到42℃左右，这将严重影响真空腔壁温度的整体均匀性，因此在设计和制造中必须设法解决此问题。[align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align]

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    价格： 面议
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    CARBON FILL,MGIS碳沉积（多支气体注入系统专用）用于原厂电子显微镜多支气体注入系统，碳沉积（多支气体注入系统专用）是一种存放碳化合物的容器，将药品加热到一定温度，药品气化，在真空压差和可控阀门的作用下，将药品气体喷洒在样品表面，同时在离子束的诱导作用下将碳分子沉积在样品表面。以实现对样品表面形貌的保护，或对样品进行导电处理。大束科技是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场，此外，还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务，以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源（电子显微镜灯丝）、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
    供应商： 大束科技(北京)有限责任公司
    品牌： 大束科技
    价格： ¥5000
  • 原子层沉积(ALD)
    原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术，使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。原子层沉积ALD有两个特征 自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。原子层沉积的优势原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程，完全控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现可实现针孔和无颗粒沉积一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的，例如:氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2氟化物：MgF2, AlF3有机杂化材料：Alucone氮化物：TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN金属：Pt, Ru, Pd, Ni, W硫化物：ZnSALD工具比较Feature功能OpALFlexAL基板**200毫米晶圆**200毫米晶圆液体和固体的前驅物**4路+水、臭氧和气体**8路+水,臭氧和气体**前驅物温度200oC200oC拥有快速传递系统Mfc控制下的气体管道：1)热气体的前体（例如，NH3, O2）2)等离子气体（例如，O2, N2,H2）2个内部结构。多达8个外部安装气路多达10个外部安装气路等离子体选择/現地升级选项載片开腔闭锁或片匣可集群其他流程模块不可可以- 第三方公司MESC模块作为特殊选择载盘温度范围25oC – 400oC25oC – 400oC (部分550oC)椭偏仪接口可以可以快速脉冲ALD阀门接头套管10 ms可以可以原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 兩款。
    供应商： 牛津仪器科技（上海）有限公司
    品牌： 牛津仪器
    价格： 面议
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