得高集成度位敏探测器

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得高集成度位敏探测器相关的厂商

  • 深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值,服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务,公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨,以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信:有了您的支持和我们不断的努力,我们与社会各界同仁携手并进,开拓创新,共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新,已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一,嘉乐仕凭借优质的产品,卓越的技术和完善的服务,产品遍及祖国各地,并远销美洲,欧洲,非洲,中东,东南亚等国际市场。   东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格,质量是我生命“ 为宗旨,视用户为“上帝”,一贯秉承“质量第一、顾客满意,持续改进,争创一流”的方针,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系,且采取有效的市场保护措施,确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。   展望未来,嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业,诚信,融合,创新“的企业精神,研制出更好的产品,提供更好的服务,树立更好的形象,愿与各界新老朋友进行更广泛的合作,共创辉煌!   嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察,洽商合作,愿与您携手共创更辉煌的明天! 联系人:卢生15907693763(微信同号)QQ:2777469253 欢迎来电咨询!官网:www.jls668.net
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  • 深圳帧观德芯科技有限公司成立于2015年,致力于光子计数型X射线探测器及其整机系统的开发与生产制造。帧观德芯在前沿科技领域开拓创新截至目前,帧观德芯发明专利400余项,包括逾100件PCT国际专利申请和近300件国家专利申请,覆盖了半导体器件、集成电路、制造工艺等大量底层核心技术,建立了广泛的知识产权组合。光子计数X射线探测技术具有零暗噪声、高空间分辨率、高动态范围、高线性度、可实现能量分辨等诸多优势,该技术可以广泛应用在对性能要求较高的X射线成像领域,是公认的下一代X射线成像技术。帧观德芯坚定不移地持续创新,先后推出了基于光子计数型X射线探测器的甄芯?口腔数字化X射线成像系统、量子清照?数字化乳腺X射线成像系统、氪金眼3D扫描建模系统等高性价比整机系统,在医疗、工业、科研等领域取得了突破性进展。同德同芯,改变世界!帧观德芯在前沿科技领域开拓创新,不断将光子计数X射线探测技术转化为更为优秀、更有竞争力的产品解决方案,为人类社会进步贡献力量。
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得高集成度位敏探测器相关的仪器

  • 仪器简介:■ 锑化铟探测器(InSb)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5&mu m技术参数:型号列表及主要技术指标:型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正(P)主要特点:■ 锑化铟探测器(InSb)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型,其中:◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型,x-01/ 02/ 04/ 07,四种光敏面尺寸可选,适合一般测量,须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型,集成前置放大器,响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内,用于与光谱仪狭缝连接
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  • 仪器简介:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22&mu m。技术参数:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns)         25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正(P) 正(P) 正(P) 正(P) 正(P)主要特点:■ 碲镉汞探测器(HgCdTe)&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器,波长范围:2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型,其中:◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型,x-12/ 14/ 16/ 22,四种截止波长可选,适合一般测量,须选配前置放大器;◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型,集成前置放大器,响应时间小于50ns;◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内,用于与光谱仪狭缝连接。
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  • 仪器简介:热释电探测器&mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um技术参数:技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe(标配)波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正(P)主要特点:&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器,波长范围:0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器,适合经济型的测量,集成前置放大器,由LATGS晶体制成,仿热电偶结构,专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议:● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器,实际工作波长范围受到窗口材料限制,可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420(Page97-98)● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比,所以需工作在低频(70Hz左右)条件下
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得高集成度位敏探测器相关的资讯

  • 合工大在高灵敏硅基超窄带探测器领域取得重要进展
    近日,合肥工业大学微电子学院先进半导体器件与光电集成实验室的王莉副教授和罗林保教授,成功研发出一种基于单p-型硅肖特基结的超灵敏近红外窄带光电探测器。相关成果以“Ultra-Sensitive Narrow-Band P-Si Schottky Photodetector with Good Wavelength Selectivity and Low Driving Voltage”为题于2023年12月31日作为封面文章在线发表在半导体器件领域的著名杂志IEEE Electron Device Letters上。图1. IEEE Electron Device Letters 2024年第一期封面窄带光电探测器由于仅对目标波长敏感,可以有效抑制背景噪声光的干扰,因此在机器视觉、特定波段成像、光学通信和生物材料识别等领域均具有重要的应用价值。但现有的加装滤波片、电荷收集变窄或热电子效应等窄带探测机制普遍存在着量子效率低的问题。为了提高窄带探测的灵敏度,研究人员通过将电荷陷阱引入有源层进行界面隧穿注入,或者利用场增强激子电离过程来实现器件内的光电倍增效应。但这些机制往往需要几十伏较高的电压才能激发启动,导致窄带探测器的性能易退化和工作能耗高。该研究团队在深入分析了上述问题的基础上,提出并实现了一种可在低驱动电压下工作的高灵敏窄带光电探测器。通过采用双层结构肖特基电极以及增大光生电子和空穴之间的渡越时间差,在保证高波长选择性的前提下实现了器件光电转化效率的大幅提高。该探测器仅在1050nm附近有探测峰,对紫外及可见光几乎无响应。在零偏压下器件的比探测率达∼4.14×1012Jones,线性动态范围约为128 dB。当工作偏压由0 V增加到- 3 V时,器件外部量子效率可以从96.2 %显著提升到6939%,同时探测峰半高宽保持在约74 nm不变。这一成果为实现可在低驱动电压下工作的超高灵敏窄带光电探测器提供了新思路,有望在光电子领域得到广泛应用。图2. (a)器件内光强分布模拟结果,零偏压下(b)器件在不同波长光照下的电流-电压曲线,(c)线性动态范围,(d)不同偏压下器件的外部量子效率随波长变化曲线。上述工作得到国家自然科学基金、安徽省重点研发计划、安徽省自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项等项目的资助。论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/ d ocument/10312826
  • 苏州纳米所等研制出超高灵敏度新型微波探测器
    射频微波探测器是微波系统中的重要电子器件,在通讯、雷达、导航、遥感、电子工业、医疗、科学研究等方面具有广泛应用。近年来,随着通信技术的迅速发展,对未来微波探测器提出了更高的需求,如对微弱信号(μ W以下)的高灵敏度检测,以及功耗低和易于小型化、集成化。利用电子自旋特性而不是电子电荷属性来构建微波探测器,有望解决上述挑战。  近期,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所曾中明团队与国内外科学家合作在基于电子自旋特性的微波探测器件研究方面取得了新的进展。他们利用薄膜制备技术精确控制纳米磁性薄膜的界面特性,巧妙地在“磁性自由层/隔离层/磁性固定层”三明治纳米结构中使自由层的磁矩垂直于薄膜平面,而固定层的磁矩平行于薄膜平面(图a)。由于两磁性层的磁矩成近90度排列,极大地提高了自旋注入效率。该结构具有优异的微波探测性能:在1 nW的微弱信号作用下,其探测灵敏度高达75,400 mVmW-1,是半导体Schottky 二极管探测器探测极限的20倍。同时,该器件体积是半导体微波探测器的1/50,易于集成。此外,该器件可在零磁场下工作,消除了对外加磁场的依赖,简化了器件结构,降低了功耗。该研究结果为设计新型高灵敏的纳米微波器件提供了重要指导。相关研究成果发表在近期Nature Communications上(Nature Communications,2016, 7: 11259)。  该研究工作得到了科技部重大仪器专项和国家自然科学基金资助。
  • Timepix3 |易于集成的多功能直接探测电子探测器
    混合像素探测器技术最初是为了满足欧洲核子中心-CERN大型强子对撞机LHC的粒子跟踪需求而开发的。来自欧洲核子中心-CERN 和一些外部合作小组的研究人员看到了将混合像素探测器技术转移到高能物理领域以外的应用的机会。于是Medipix1 Collaboration 诞生了。Medipix系列是由Medipix Collaborations 开发的一系列用于粒子成像和检测的像素探测器读出芯片。Timepix系列是从 Medipix系列开发演变而来的。其中Timepix芯片更针对于单个粒子的探测以获得时间、轨迹、能量等信息。 目前基于Timepix和Timepix3的探测器,由于其单电子灵敏、高动态范围及独特的事件驱动模式被广泛地应用于电子背散射(EBSD),4维电子显微(4D SEM)等领域。捷克Advacam公司是一家涵盖传感器制造、微电子封装、混合像素探测器(Timepix,Medipix)及解决方案的全产业链公司,致力于为工业和学术需求开发成像解决方案。ADVAPIX TPX3F与 MINIPIX TPX3F系列是基于Timepix3芯片的多功能探测器,其探测器与读出采用软排线连接,整个设计非常小巧,性价比高,非常适用于电子显微镜厂家将其二次开发并集成到现有系统中,以提升系统性能。▲ MINIPIX TPX3F探测器实物展示▲ ADVAPIX TPX3F探测器实物展示▲ 使用MINIPIX TPX3F探测器鉴别电子、质子,Alpha粒子及μ介子ADVAPIX TPX3F与MINIPIX TPX3F主要规格参数MINIPIX TPX3FADVAPIX TPX3F芯片类型Timepix3像素尺寸55 x 55 μm分辨率256 x 256 pixels传感器100µm,300µm,500µm硅,1mm CdTe 暗噪声无暗噪声接口高速USB 2.0超高速USB 3.0事件驱动模式最大读出速度*2.35 x 10^6 hits/s40 x 10^6 hits / s帧模式速率16fps30fps事件时间分辨能力1.6ns1.6ns*受限于Flex软排线实际长度测量模式类型模式范围描述帧读出模式(曝光后读出所有像素信息)Event+iToT10 bit + 14 bit每次曝光输出两帧数据:1. Events:每个像素中的事件数量2. iToT:每个像素中所有事件的过阈总时间iToT14 bit输出一帧:每个像素中所有事件的过阈总时间ToA18 bit输出一帧:ToA+FToA3 =第一个到达像素事件的到达时间像素/事件驱动模式(在曝光过程中,连续读出被击中像素信息)ToT+ToA10 bit + 18 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position, ToT, ToA and FToAToA18 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position, ToA and FToA.Only ToT10 bit每个像素的每个事件可同时获得: Position and ToTADVAPIX TPX3F与MINIPIX TPX3F像素/事件驱动模式最大读出速率测试:主要特点单电子灵敏零噪声耐辐射高动态范围无读出死时间主要应用(4D)STEM in SEM/TEMµED(microelectron diffraction)EBSDEELSPtychography应用案例ThermoScientific' s™ Helios™ 5 UX DualBeam采用了Advacam的探测技术ADVACAM

得高集成度位敏探测器相关的方案

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得高集成度位敏探测器相关的论坛

  • 合工大在高灵敏硅基超窄带探测器领域取得重要进展

    近日,合肥工业大学微电子学院先进半导体器件与光电集成实验室的王莉副教授和罗林保教授,成功研发出一种基于单p-型硅肖特基结的超灵敏近红外窄带光电探测器。相关成果以“Ultra-Sensitive Narrow-Band P-Si Schottky Photodetector with Good Wavelength Selectivity and Low Driving Voltage”为题于2023年12月31日作为封面文章在线发表在半导体器件领域的著名杂志IEEE Electron Device Letters上。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/cc67e4be-797c-42f2-9634-7a88f1e60e05.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1. IEEE Electron Device Letters 2024年第一期封面[/color][/align]窄带光电探测器由于仅对目标波长敏感,可以有效抑制背景噪声光的干扰,因此在机器视觉、特定波段成像、光学通信和生物材料识别等领域均具有重要的应用价值。但现有的加装滤波片、电荷收集变窄或热电子效应等窄带探测机制普遍存在着量子效率低的问题。为了提高窄带探测的灵敏度,研究人员通过将电荷陷阱引入有源层进行界面隧穿注入,或者利用场增强激子电离过程来实现器件内的光电倍增效应。但这些机制往往需要几十伏较高的电压才能激发启动,导致窄带探测器的性能易退化和工作能耗高。该研究团队在深入分析了上述问题的基础上,提出并实现了一种可在低驱动电压下工作的高灵敏窄带光电探测器。通过采用双层结构肖特基电极以及增大光生电子和空穴之间的渡越时间差,在保证高波长选择性的前提下实现了器件光电转化效率的大幅提高。该探测器仅在1050nm附近有探测峰,对紫外及可见光几乎无响应。在零偏压下器件的比探测率达~4.14×1012Jones,线性动态范围约为128 dB。当工作偏压由0 V增加到- 3 V时,器件外部量子效率可以从96.2 %显著提升到6939%,同时探测峰半高宽保持在约74 nm不变。这一成果为实现可在低驱动电压下工作的超高灵敏窄带光电探测器提供了新思路,有望在光电子领域得到广泛应用。[align=center][img=,600,467]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e9fc9b0e-1bba-4b78-a048-f15b14bb3a2a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2. (a)器件内光强分布模拟结果,零偏压下(b)器件在不同波长光照下的电流-电压曲线,[/color][/align][align=center][color=#0070c0](c)线性动态范围,(d)不同偏压下器件的外部量子效率随波长变化曲线。[/color][/align]上述工作得到国家自然科学基金、安徽省重点研发计划、安徽省自然科学基金、中央高校基本科研业务费专项等项目的资助。[b]论文链接:[/b][url=https://ieeexplore.ieee.org/document/10312826]https://ieeexplore.ieee.org/[/url][url=https://ieeexplore.ieee.org/document/10312826]d[/url][url=https://ieeexplore.ieee.org/document/10312826]ocument/10312826[/url][来源:合肥工业大学微电子学院 ][align=right][/align]

  • 【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    [img=,690,293]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114090988_8823_3859729_3.jpg!w690x293.jpg[/img]简 介OSI Optoelectronics是一家生产标准或定制二极管和光学传感器的制造商,其产品应用于医学、商业、军事、X-射线、无线电通讯等各个领域。项目需求OSI公司准备开发一款低成本的数据采集系统,需要从48个独立的探测器上采集信号并将其数字化,用 USB总线将数字信号上传至PC。48路探测器被巧妙地集成在一个仪器上,用于采集物体的散射光。由于散射光密度很低,所以要选择低噪音、高敏度的探测器。此项目计划在2个月之内完成产品雏形。OSI Optoelectronics曾采用PCI板卡采集方案,现准备用USB采集卡替换此方案。OSI的方案变更有以下几个原因:探测器密度越高,越能更好地感应低密度的散射光;无需使用连接PCI板卡和模拟信号的带状电缆;模数转换靠近模拟信号源,降低了信号噪声;实现更高的采样率,使得从48个通道获取信号在时间上更加同步;用笔记本电脑取代了台式机;数据采集硬件成本降低;解决方案探测器选择的是高敏度OSI Optoelectronics的光电DP系列,特点是低电容、高响应度、低噪音及巨变温度下的高稳定性。数据采集元件选择的是MCC的16位USB-2533数据采集卡。选择USB-2533基于多方面原因。首先1MHz的采样率高于现有的PCI板卡,使得切换通道时间变短。其次,使用USB板卡的成本是PCI板卡的1/3。而且USB-2533的体积玲珑,可以安置在仪器内,从而使得 AD转换靠近模拟信号源、降低噪声、增加信噪比。高敏度探测器与USB-2533的完美结合实现了产品的预期效果。OSI设计的定制接口板安装在USB-2533上,为独立的光电探测器的48个模拟通道提供了接口。[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114214252_786_3859729_3.jpg!w690x690.jpg[/img]结果MCC的销售及工程师提供的支持具有很高的价值,销售团队在需求提报后的三天内评估了USB-2533和UL软件的方案。技术支持工程师则提供了C++的编程应用案例,这些案例开启了应用代码的开发,使得OSI在计划时间内完成了产品原型。重新设计的仪器的采样率更高,各探测器信号的扫描更同步;USB-2533的16位分辨率也使得仪器精度大大提高。高敏度的探测器(对于特定波长有高响应度)在微光下提供更精确的信号,因此提高了成像质量(信噪比)。新产品很快上市,在降低成本的同时提高了产品性能。如需了解更多内容请关注嘉兆科技

  • 火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器的工作原理与紫外线探测器的渊源

    火焰探测器又称感光式火灾探测器,即探测火焰燃烧的光照强度和火焰的闪烁频率的一种火灾探测器。下面工采网小编给大家介绍一下火焰探测器工作原理。火焰燃烧过程释放紫外线、可见光、红外线,在特定波长、特定闪烁频率(0.5HZ-20HZ)具有典型特征,有别于其他干扰辐射,阳光、热物体、电灯等辐射出的紫外线、红外线没有闪烁特征。火焰探测器工作原理是通过检测火焰辐射出的特殊波长的紫外线、红外线及可见光等,同时配合对火焰特征闪烁频率来识别,来探测火焰。一般选用紫外光电二极管、紫外线探测器、紫外线传感器等作为探测元件。[img=,446,450]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011704_01_3332482_3.jpg!w446x450.jpg[/img]紫外线探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器,光电探测器利用光电效应,把光学辐射转化成电学信号。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。外光电效应器件通常指光敏电真空器件,主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件,它们具有极高灵敏度,能将极微弱的光信号转换成电信号,可进行单光子检测,其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中,半导体吸收足够能量的光子后,把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态,导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中,光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。最后给大家介绍三款性能非常优秀的紫外线探测器和紫外线二极管,都是应用在火焰检测和防紫外辐射源等领域的顶尖产品。[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC1[img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器,带有集成放大器TOCON是5伏供电的紫外光电探测器,带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器,电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说,TOCON 是完美的解决方案,从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围,它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中,精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器,以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC1特性:[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中,带有集中器镜头盖0…5 V电压输出峰值波长是280 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 pW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电探测器 - TOCON_ABC10[/b][img=,298,298]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011705_01_3332482_3.jpg!w298x298.jpg[/img]TOCON是5伏供电的紫外光电探测器,带有的集成放大器使紫外辐射转化成0~5V电压输出。TOCON的输出电压引脚可以直接连接到控制器,电压计或其他带有电压输入的数据分析装置。高度现代化的电子元件和带有紫外玻璃窗的密封金属外壳可消除封装内寄生电阻路径导致的噪声或电磁干扰。对各个工业紫外传感应用来说,TOCON 是完美的解决方案,从pW/cm2水平的火焰检测到W/cm2水平的紫外固化灯控制。十种不同的TOCONs覆盖了这13个数量级范围,它们的灵敏度有所不同。TOCONs生产为紫外宽频传感器或带有过滤器进行选择性测量。在恶劣环境和极低或极高的紫外辐射中,精密电子件使TOCON成为了一个可靠的元器件。但是sglux内部生产的SIC探测器芯片使TOCON成为了永存的准传感器,以PTB所报告的强抗辐射为特点。应用在紫外辐射、淬火控制和火焰检测领域。[b]紫外光电探测器TOCON_ABC10特性:[/b]基于碳化硅的宽频紫外光电探测器放于TO5 外壳中,带有衰减器0…5 V 电压输出峰值波长是290 nm在峰值处最大辐射(饱和极限)是18 nW/cm2 ,最小辐射(分辨极限) 是1,8 mW/cm2[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01D-5LENS[img=,394,291]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_01_3332482_3.jpg!w394x291.jpg[/img]SiC 具有独特的特性,能承受高强度的辐射,对可见光几乎不敏感,产生的暗电流低,响应速度快和噪音低。这 些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C(338°F)的温度中。信号(响应率)的温度系数也很低, 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择,从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳(TO型),直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚(1绝缘,1接地)或3只引脚(2绝缘,1接地)。[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS 特点[/b]宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测辐射敏感面积 A = 11,0 mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚10μW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流[b]德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D-5LENS参数:[/b][b][img=,690,365]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/12/201712011706_02_3332482_3.jpg!w690x365.jpg[/img][/b][/b][/b]

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    这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器,它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路,以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管,提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术,灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器,背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选,它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束
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