晶体磁光效应实验装置

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晶体磁光效应实验装置相关的厂商

  • 泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市,距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内,交通方便,公司主要产品有:蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等,其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队,并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于:深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导!
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  • 1. 提供氟化物晶体材料,CAF2, BAF2, MGF2, LIF2. 提供光学元件:透镜,柱面,棱镜,楔角,平面3. 质量稳定,信誉可靠
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  • 北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区代理商。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供最先进的仪器、设备,最周到的技术、服务和完美的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,光电技术、材料科学、光电子科学与技术、半导体等等领域,都需要与欧美发达国家完全接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。主要产品: 1.飞秒激光元件飞秒激光反射镜、飞秒激光透视镜、飞秒激光棱镜、飞秒偏振光学器件、飞秒非线性激光晶体2.非线性光学和激光晶体BBO晶体, LBO晶体, KTP晶体, KDP晶体, DKDP晶体, LiIO3晶体, LiNbO3晶体, MgO:LiNbO3晶体, AGS晶体 (AgGaS2晶体), AGSe晶体 (AgGaSe2晶体), ZGP (ZnGeP2) 晶体, GaSe晶体, CdSe晶体等。Nd:YAG晶体, Nd:YVO4晶体, Nd:KGW晶体, Nd:YLF晶体, Yb:KGW晶体, Yb:KYW晶体, Yb:YAG晶体, Ti:Sapphire晶体, Dy3+:PbGa2S4晶体等晶体恒温炉、晶体温控炉等3.普克尔斯盒及驱动KTP普克尔斯盒、DKDP普克尔斯盒、BBO普克尔斯盒、高重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、低重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、普克尔斯盒支架等4. Nd:YAG激光器元件Nd:YAG激光反射镜、Nd:YAG激光棱镜、Nd:YAG激光窗口、Nd:YAG激光偏振片、Nd:YAG激光晶体等5.激光器和激光器模块连续半导体激光器、连续DPSS激光器、调Q DPSS激光器、超快光纤激光器等6.光学元器件光学材料、光学镀膜、介质镜、金属镜、激光器窗口、棱镜、光学滤光片、光学柱面镜、偏振镜、紫外和红外光学元件7.光学整形系统高斯光转平顶光光束整形系统、扩束镜、F-Theta镜(聚焦镜)、望远镜、可调激光衰减器、可变光圈、精密空间滤光片、束流捕捉器8.光学精密位移机构防震桌、光学支架、光学导轨、固定座、光学固定、光学定位、传输和定位台、自动定位和控制器等9.半导体激光器高功率半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器10.铒玻璃掺铒磷酸盐激光玻璃、铒玻璃、铒镱共掺激光玻璃、1550nm激光器、人眼安全激光器11. DPSSL激光谐振腔设计软件和数据库12. F-P扫描干涉仪13.应力测试仪日本UNIOPT公司应力双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应(MOKE)测试仪、薄膜残余应力测试仪。应力双折射测试仪、应力测试仪、应力分析仪、偏振相机14.精密划片机日本APCO公司手动精密划片机、自动精密划片机。日本NDS公司半自动自动划片机、贴膜机、UV解胶机、清洗机、晶圆划片(切割)刀、电畴划片刀、陶瓷划片刀、金属烧结划片刀、树脂划片刀等15.材料表征仪器霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、低温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪、低温探针台、变温探针台、椭偏仪联系电话:010-57034898,15313084898 邮箱地址:info@pcm-bj.com
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晶体磁光效应实验装置相关的仪器

  • MO-磁光传感器-磁光成像MOI物理背景昊量光电全新推出的Matesy磁光传感器-磁光效应传感器-Magneto optical sensors 高灵敏度磁光传感器目前有多种尺寸可选 8 x 8 | 15.5 x 20.5 | 45 x 60 mm,尺寸蕞大可达3英寸!也可以根据用户要求定制化形状尺寸。磁光原理基于法拉第效应。它描述了线偏振光在通过透明介质时偏振面的旋转。仔细观察,线偏振光由具有相同频率和相位的左旋和右旋圆偏振波叠加而成。当光通过磁光介质时,其上施加的磁场平行于光的方向,它分裂成两个相反旋转的圆偏振波。对于这两个部分波,它会引起相移,因为它们具有不同的折射率和不同的速度。它们的频率保持不变。这种偏移导致偏振面的旋转。取决于局部磁场强度的不同旋转角度导致可以视觉评估的对比差异。因此,实现了整个传感器表面准静态磁场的直接实时可视化。传感器生产过程中,秘代忆铁石榴石层通过液相外延沉积在基板上,经过特殊处理从生长的石榴石层中获得蕞好的磁光传感器。MO磁光传感器特点:&bull 耐温度变化:高达+50°C&bull 工作温度范围:可达+35°C&bull 光学分辨率可达1μm&bull 法拉第旋转角度:(λ=590nm) 1 ~ 10°Matesy磁光传感器磁场可视化磁场的应用范围很广,它们有助于传递力和力矩,控制传感器,并携带有关可磁化部件状态的信息。通过MO磁光传感器,磁场可以以蕞高的分辨率在二维上可见,并且可以测量磁通量密度。由于高灵敏度和分辨率,该工艺可以可视化材料的不均匀性、畴、晶粒结构和裂纹。MO磁光传感器用于质量和进料控制。它是实验室基本设备的一部分,支持磁系统的开发、分析和功能优化,用于早期错误检测。全面和适应性强的软件为用户提供了进行广泛的分析和测量的坚实基础。MO磁光传感器提供分析:磁化和非磁化永磁体,磁性编码器,电工钢,钢和不锈钢,结构变化由于热输入或变形,在底盘或武器上的磁性安全标签和数字的测试。在磁轭的帮助下,样品也可以用磁场激励,例如,以更好地表征结构。对于焊缝缺陷的检测,我们的A型MO传感器是蕞好的解决方案。电工钢检测 磁场的3D可视化 磁条卡研究分析被篡改的序列号检查编码器磁化 磁体及部件的结构调查(裂纹试验)MO磁光传感器类型 传感器 Type A 质量检测及几何评定: 磁性油墨(钞票、单据) 磁编码器 电工钢片 法医安全特性 残余磁性 焊缝检测 传感器 Type B表面检测及定量分析: 磁编码器 聚合物粘合磁铁 复合材料中的磁性颗粒 岩石样品和陨石 蕞大磁灵敏度可达±65 mT 传感器 Type C 表面检验及定量分析: 磁性编码器 聚合物粘合磁铁 复合材料中的磁性颗粒 作为超导测试的一部分 蕞大停留场可达±125 mT 传感器 Type D 调查和可视化: 软磁 纸币上的磁性墨水 文件中的磁性墨水 传感器 Type E 大磁场测量: 达1T的永磁体 大磁场多级磁铁产品详细信息可联系我们或下载数据资料!更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等;可为客户提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更多的产品信息,或直接来电咨询4006-888-532。
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  • 高抗灰迹效应KTP晶体 400-860-5168转1980
    所谓Gray Track Effect(灰迹效应)指的是非线性晶体在承受高重复频率,高功率的激光照射后,在晶体内部出现灰色的损伤痕迹。由于以色列Raicol公司采用自有的助熔剂,其HGTR KTP晶体抗灰迹损伤能力远超常规KTP晶体。Raicol低灰迹效应实测图如下: Raicol低灰迹效应实测图 随着工业加工用激光器对于高平均功率和高峰值功率密度的要求越来越高,Raicol的HGTR KTP高抗灰迹效应KTP晶体以其如下优点被广泛采用:平均输出功率密度在532 nm高达5kW/cm² 非线性系数比LBO高4倍在可见光到近红外波长段均保持低吸收率宽温度带宽非吸湿潮解材料小去离角和大接收角
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  • 磁光克尔效应测量系统JMTS-816磁光克尔效应测量系统产品概述:磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计,是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应(RotMOKE)是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法,可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制,只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点:测量精度高、测量时间短;非接触式测量,是一种无损测量;测量范围为一个点,可以测量同一样品不同部位的磁化情况;可以产生平滑、稳定的受控磁场,并且磁场平滑过零。应用领域:广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。可测试材料:记录磁头,磁性薄膜,特殊磁介质,磁场传感器 磁光克尔效应测量系统产品特点:1测量灵敏度高,稳定性好,噪音低2非接触式测量,是一种无损测量3可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜4可以将样品放到真空中原位测量5可以测量同一样品不同部位的磁化情况6纵向、横向和极向克尔效应测试7三百六十度电动旋转样品,可测试样品各向异性8手动左右和上下位移样品,可测试样品表面不同点的克尔效应9样品座有电接口,可加入磁电耦合测试。磁光克尔效应测量系统技术指标:1 样品尺寸:大Φ10mm的圆 2 克尔角分辨率(δ):0.001度;3椭偏率分辨率(ε):0.1%;4小光斑(Φ):10微米;5 大磁场:单维0.26特斯拉;6 样品电动角度步进0.1度,手动位移步进10微米;7噪音:1%。磁光克尔效应测量系统技术参数:1光学平台: 刚性隔震,不锈钢贴面,1200*800*800mm,M6螺孔,25mm阵距,150mm台板厚度,带脚轮。台面平整度0.1/1000mm,平台载荷300Kg,固有频率≤2.5Hz,阻尼比0.12~0.13R/S。2矢量电磁铁:锦正茂二维矢量电磁铁,每维大磁场0.26T,极面直径30mm,磁场间隙40mm,中心10mm正方体内均匀区1%。3电磁铁电源:锦正茂单相双极性恒流,大10A,小分辨率0.1mA,稳定性50ppm/h,对应小分辨率0.1Gauss。 4激光器: Newport 632.8nm,2mW,2%稳定度,噪音1% rms(30Hz~10MHz),通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。5起偏/检偏器:格兰-汤普森棱镜,外径25.4mm,通光孔径10mm,消光比5*10^-5,角度范围14~16°,波长范围350~2300nm。6聚焦透镜:K9双凸,设计波长633nm,外径25.4mm,焦距150mm,焦距误差±0.5%,面精度X方向λ/4,Y方向λ/2。7四分之一波片:?25.4mm,波长632.8nm,投射波前畸变λ/8,相位延迟精度λ/100。8光电传感器:15mm2感应面积,0.21A/W响应度,暗电流1nA,对430~900nm波长光敏感,分流电阻200Mohm。9电流放大器:1pA/V大增益,1MHz带宽,大输入±5mA,大输出±5V,增益精度为输出的±0.05% 10高精度电压表:六位半,小分辨率0.1μV,90天准确度达到0.002%,四位半精度下最快2000 readings/second11手动位移和电动旋转样品杆: XYZ三维位移,XY行程25mm,Z行程13mm,转动360度,样品座为直径11mm的圆,上有电接头。12计算机: 联想商用,集成多串口卡。
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晶体磁光效应实验装置相关的资讯

  • 北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
    天眼查显示,北京北方华创微电子装备有限公司“碳化硅晶体生长装置”专利公布,申请日期为2023年2月8日,公开日为2024年8月9日,申请公布号为CN118461121A。背景技术随着第三代半导体材料使用领域的扩大,碳化硅单晶材料作为第三代半导体的代表材料,因其特性具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子漂移速率高和击穿场强高等性质。在多个领域具有广阔的应用前景,尤其电动汽车、轨道交通和电机驱动(Motor driving)领域增长迅速,占比逐年增大。碳化硅单晶材料普遍采用物理气相传输(Physical Vapor Transport,PVT)法生长,在PVT法中,采用碳化硅粉料作为生长单晶的原料,将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部(石墨盖)作为籽晶,通过电磁感应线圈加热石墨坩埚,石墨坩埚通过热传导将碳化硅原料加热至升华,气相碳化硅在轴向温度梯度作用下输送到籽晶位置开始生长,在特定温度下可生长单晶碳化硅。碳化硅晶体生长中,坩埚是主要的发热源,粉料通过吸收坩埚壁的热量实现升华。由于热量通过粉料间热传导的方式从石墨壁向粉料中心传递,这导致粉料中心的温度始终低于边缘温度。发明内容本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置,涉及碳化硅单晶材料的制造技术领域,为解决坩埚内的粉体温度均匀性差的问题而设计。碳化硅晶体生长装置包括坩埚、感应线圈组件和盖设于坩埚上方的盖板,盖板用于在盖板的中心设置籽晶,坩埚内设置有至少一个的感应加热件;感应加热件具有封闭连续的外周面,且能够在感应线圈组件的作用下产生感应涡电流。本发明提供的碳化硅晶体生长装置可以改善坩埚内的粉体温度均匀性。
  • 科学岛团队在静态磁场法拉第旋转光谱研究方面取得新进展
    近日,中科研合肥研究院安光所高晓明研究员团队在静态磁场法拉第旋转光谱研究方面取得新进展,相关研究成果以《基于环形阵列永磁体的法拉第旋转光谱NO2传感器》为题发表在国际TOP期刊Analytical Chemistry上。法拉第旋转光谱(FRS)通过检测沉浸在外部纵向磁场中的气体介质所引起的线偏振光偏振状态的变化,从而实现对基态或上电子态具有磁偶极矩的顺磁性分子的高灵敏度检测。该光谱检测方法对水汽、CO2等抗磁性分子具有天然的免疫力,这使得其表现出高度的样品特异性。同时,由于采用了一对相互接近正交的偏振器极大抑制了激光噪声,法拉第旋转光谱具有非常高的检测灵敏度。目前法拉第旋转光谱信号主要由螺线管线圈产生的交流磁场调制样品吸收线的塞曼分裂而产生。针对正弦电磁场在激发磁光效应时所存在的高功耗、电磁干扰、产生大量焦耳热等缺陷,团队刘锟研究员,博士后曹渊等人提出了一种基于稀土永磁体的静态磁场法拉第旋转光谱传感装置。研究团队将十四个完全相同的环形钕铁硼(NdFeB)永磁体按照非等间距的形式同轴组合,从而在380 毫米长度范围内产生了一个平均磁场强度为346 高斯的外部纵向静态磁场。通过将赫里奥特(Herriott)池与非等间距永磁体阵列同轴配合,极大地增强了线偏振光与样品之间的相互作用。实验以NO2为检测对象,探测了1613.25 cm-1处NO2的ν3基带的Q支光谱特征,在23.7 米的光程范围实现了0.4 ppb的检测极限。本研究工作得到了中国科学院科研装备研制项目、国家自然科学基金、先进激光技术安徽省实验室开放基金、合肥研究院院长基金以及中国博士后面上基金等项目的资助。  静态磁场法拉第旋转光谱传感装置  环形阵列永磁体及其纵向磁场分布特性  法拉第旋转光谱信号及其信噪比与检偏器偏转角度的变化关系
  • 《焦点访谈》:国家重大科技基础设施稳态强磁场实验装置顺利验收,综合极端条件实验装置启动建设
    近期,重大科技基础设施“稳态强磁场实验装置”在合肥通过验收,使我国成为继美国、法国、荷兰、日本之后五个拥有稳态强磁场的。而在北京怀柔,另一个大科学装置——“综合端条件实验装置”也启动建设。听起来,“稳态强磁场”“综合端条件”都很陌生,它们都属于重大科技基础设施。为什么要建这样的设施,对于科学研究来说,这两个大装置有着什么样的重要意义呢? 稳态强磁场实验装置 磁现象是物质的基本现象之一。科学研究早已证实,当物质处在磁场中,其内部结构可能发生改变,磁场因而一直是研究物理等诸多学科的一种非常有用的工具。物质结构和状态在强磁场环境下都可能发生变化,呈现出多样的物理、化学现象和效应。磁场强度越高,物质的变化就越为明显,也就越有利于新的科学发现,就像显微镜放大10000倍比放大10倍能告诉研究人员更多一样。但是,磁场强度的提高,每一步都走得很艰难。强磁场中心的“稳态强磁场实验装置”达到了40万高斯的磁场强度,这是二十几年来,上几个有实力的都在尝试的目标。中国科学院强磁场科学中心(图中设备为磁性测量设备mpms,图片来源于网络)混合磁体装置(已产生稳态磁场强度达40t、二高场强,图片来源于网络) 强磁场是现代科学实验重要的端条件之一。在强磁场这种端条件下,物质的特性可以被调控,这就给科学家提供了研究新现象、发现新技术的机遇。因此场也被称为诺贝尔奖的摇篮,包括1985年和1998年诺贝尔物理奖的整数和分数量子霍尔效应、2003年获得诺贝尔奖的核磁共振成像技术。从生命科学到医疗技术,从化学合成到功能材料̷̷在各个科学领域,强磁场都是科学家们渴求的研究环境。 ”稳态强磁场实验装置”运行期间,为清华、北大、复旦、中科大等106家用户单位的1500余项课题提供了实验条件,产出了一大批具有国际影响力的科研成果。综合端条件实验装置 任何物质都是在一定的物理条件下形成的,通过使物理实验条件达到端状态,可以形成许多在常规物理条件下不能得到的新物质和新物态。综合端条件实验装置是指综合集低温、超高压、强磁场和超快光场等端条件为一体的用户装置。就在“稳态强磁场实验装置”通过验收的二天,我国在北京市怀柔科学城启动建设“综合端条件实验装置”,比“稳态强磁场实验装置”更进一步。 综合端条件实验装置启动(图片来源于网络) 项目席科学家、中科院物理研究所研究员吕力(quantum design 公司产品用户)说:“比如低温可以抑制物质中电子、原子的无规运动;强磁场作为可以调控的热力学参量,能够改变物质的内部能量;超高压可以有效缩短物质的原子间距,增加相邻电子轨道的重叠,从而改变物质的晶体结构,以及原子间的相互作用,形成全新的物质状态;超快激光则具有无与伦比的超快时间特性,快速变化的光场是人们能够操作并且控制的快物理量。” 综合端条件实验装置建成之后,将是国际上集低温、超高压、强磁场和超快光场等端条件为一体的用户装置,在非常规超导、拓扑物态、量子材料与器件等领域,提供实验手段的支撑,进而为相关材料的人工设计与制备,以及诸多科学难题的破解提供前所未有的机遇。 稳态强磁场实验装置、综合端条件实验装置等的重大科技基础设施,是科学家们进行科学研究的重要平台,也是提升科研水平的利器。它们的建成,既是我国科研人员创新进取的成果,也将以巨大的磁力,吸引更多人才从事相关领域的研究,推动我国基础领域的科学研究进一步走向前沿。文章原文部分摘自:cctv焦点访谈、人民网 相关产品链接: mpms3-新一代磁学测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c17089.htmppms 综合物性测量系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c17086.htm完全无液氦综合物性测量系统 dynacool:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c18553.htm多功能振动样品磁强计 versalab 系统:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c19330.htm超精细多功能无液氦低温光学恒温器:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c122418.htm低温热去磁恒温器:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c201745.htmmicrosense 振动样品磁强计:http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c194437.htm智能型氦液化器 (ATL):http://www.instrument.com.cn/netshow/sh100980/c180307.htm

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  • 【分享】英美高温自旋场效应晶体管 将助推电子信息领域

    美国得克萨斯A&M大学物理学家杰罗·斯纳夫领导的一个国际科研小组在23日出版的《科学》杂志上宣布,他们研制出了首个能在高温下工作的自旋场效应晶体管(FET),该设备由电力控制,其功能基于电子的自旋,其中包含一个与门逻辑设备。新突破将给半导体纳米电子学和信息技术领域带来新气象。  英国日立剑桥实验室、剑桥大学、诺丁汉大学、捷克科学院和查尔斯大学的研究人员首次将自旋—螺旋状态和异常霍尔效应结合在一起,制造出了这种自旋FET,其中包括一个与门逻辑设备,自旋FET的概念于1989年首次提出,这是科学家首次在其中实现与门逻辑设备。   晶体管发现60年来,其操作仍然基于与半导体内的电子操作和电子电荷探测同样的物理原理。随着晶体管的尺寸越来越小,小到已接近极限点,科学家们开始专注于建立新的物理操作规则,即使用电子基本的磁运动(自旋)代替电荷作为逻辑变量。20年来,科学家一直认为,在半导体内操作电子并探测到电子自旋(突破这一点将有助于研发出自旋晶体管)很难在实验室实现。现在,新研究使用最近在自旋操作和探测上发现的量子相对论现象证实,自旋晶体管这一概念可以成为现实。为了观察电子的操作并探测自旋,该研究团队特别设计了一个平板光子二极管(同一般使用的圆极化光源相反)并将其放置在晶体管隧道附近。通过在二极管上照射光线,研究人员朝晶体管内注射了光激发电子,而不是通常的自旋极化电子。接着朝其输入门电极施加电压,通过量子相对论效应来控制电子的自旋运动。这些效应同时负责在该设备内生成横向电压(代表输出信号),其取决于晶体管管道内运动电子的自旋方向。  日立剑桥实验室的高级研究员约尔格·文德利希强调,观察到的输出电子信号在高温下也很强,并且线性依赖于入射光圆极化的程度。这个设备因此也表明,科学家实现了电力控制的固态偏振光计,该偏振光计可直接将光偏振转变成电压信号。他表示,未来医生可能会利用该设备探测手性分子的浓度,以测量病人的血糖浓度或酒中的糖分浓度。新设备在自旋电子学研究领域有广泛的应用,它可以作为一个有效工具来操作和探测半导体内的电子自旋而不会破坏自旋极化电流。  文德利希承认,现在还不知道其基于自旋的设备能否替代目前信息处理设备中普遍使用的基于电子电荷的晶体管,然而新研究将科学家的关注点从理论猜测转移到研发出微电子设备模型上来。

  • 【转帖】美研制出新式超导场效应晶体管

    2011年04月29日 来源: 科技日报 作者: 刘霞  本报讯(记者刘霞)据美国物理学家组织网4月28日(北京时间)报道,美国科学家使用自主设计的、精确的原子逐层排列技术,构造出了一个超薄的超导场效应晶体管,以洞悉绝缘材料变成高温超导体的环境细节。发表于当日出版的《自然》杂志上的该突破将使科学家能更好地理解高温超导性,加速无电阻电子设备的研发进程。  普通绝缘材料铜酸盐在何种情况下从绝缘态跃迁到超导态?这种跃迁发生时,会发生什么?这些问题一直困扰着物理学家。探究这种跃迁的一种方法是,施加外电场来增加或减少该材料中的自由电子浓度,并观察其对材料负载电流能力的影响。但要想在铜酸盐超导体中做到这一点,还需要构建成分始终如一的超薄薄膜以及高达100亿伏/米的电场。  美国能源部物理学家伊万·博若维奇领导的布鲁克海文薄膜研究小组之前曾使用分子束外延技术制造出这种超导薄膜,该技术在一次制造一个原子层时还能精确控制每层的厚度。他们最近证明,用分子束外延方法制造出的薄膜内,单层酮酸盐能展示出未衰减的高温超导性,他们用该方法制造出了超薄的超导场效应晶体管。  作为所有现代电子设备基础的标准场效应晶体管内部,一个半导体材料将电流从设备一端的“源”电极运送至另一端的“耗”电极;一个薄的绝缘体则作为第三电极“门”电极负责控制场效应晶体管。当在绝缘体上施加特定的门电压时,该门电极会打开或关闭。但没有已知的绝缘体能对抗诱导该酮酸盐内部高温超导性所需的高电场,因此,标准场效应晶体管的设计并不适用于高温超导场效应晶体管。  博若维奇团队用一种能导电的液体电解质来分离电荷。当朝电解液施加外电压时,电解质中的正电荷离子朝负电极移动,负电荷离子朝正电极移动,但当到达电极时,离子会突然停止移动,就像撞到“南墙”一样。电极“墙”负载的等量相反电荷之间的电场能超过100亿伏/米。  新研制的超导场效应晶体管中,高温超导体化合物模型(镧-锶-铜-氧)的临界温度可达30开氏度左右,为其最大值的80%,是以前纪录的10倍。科学家可使用该晶体管来研究与高温超导性有关的物理学基本原理。  超导场效应晶体管的应用范围很广泛。基于半导体的场效应晶体管能耗大,而超导体没有电阻也无能耗。另外,原子逐层排列制造出的超薄结构也使科学家能更好地使用外电场来控制超导性。  博若维奇表示,这仅仅只是一个开始,高温超导体还有很多秘密有待探寻,随着其神秘“面纱”逐一揭开,将来能制造出超快节能的高温超导体。   总编辑圈点:  辛亥革命爆发、乔治五世加冕、普利策逝世……这是历史书上的1911年。但同年,一个平常的4月天里,荷兰一所实验室内人类首次发现了超导体,于今恰好百年。这种进入超导态就会电阻趋0的材料,尚未露真容,却承载了一个世纪的无热损和强磁场之梦,直接涉及超导电性的诺奖就有4起,1987年临界温度的速提甚至成为了科技史之奇迹。于是,人们谈起那年4月的荷兰小城,会说:超导百年,对人类社会的影响,不亚于和它同年发生之事。

  • 氯离子敏感场效应晶体管电极的研制

    [font=&]【题名】: 氯离子敏感场效应晶体管电极的研制(请帮忙尽可能给清晰图的文章,谢谢)[/font][font=&]【全文链接】: https://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTOTAL-HNLG199301011.htm[/font]

晶体磁光效应实验装置相关的耗材

  • 光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体
    光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中,相干光彼此干涉时,可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应,在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器,4波混频,相位共轭,光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20(BSO)和Bi12GeO20(BGO)显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体,具有低暗电导率,允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器,动态实时全息记录设备,相位共轭波混合,光学相关器和光学激光系统,用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件,如光学调制器,开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导,集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射(通常到波导平面)。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究,并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体,我们还提供带有ITO(氧化铟锡)涂层的孔径高达30x30 mm2,厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐(SrxBa(1-x)Nb2O6)SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯,由Ce,Cr,Co,Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学,声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶,没有生长条纹,夹杂物和其他不均匀性,以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术,可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元,Fe:LiNbO3(其他掺杂剂可用)。 铁掺杂铌酸锂晶体(Fe:LiNbO3)是一种常用的具有高电光(EO)系数,高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比,它具有易于操作和存储,成本低,尺寸利用率大等突出优点,使其更适用于批量制造和实用设备。因此,Fe:LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度,尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20(BSO) Bi 12 GeO 20(BGO)Fe:LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方,点组:23立方,点组:23 三角形,3m4mm4mm晶格(胞)参数,?10.10 10.15-a = 12.46,c = 3.946a = 12.43024,c = 3.91341透射范围,μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20(ne),2.29(no)n e = 2.33,n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35,n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41,pm / V53.5r22 = 6.8,r31 = 10,r33 = 32r 13 = 47,r 33 = 235r 13 = 67,r 33 = 1340光学活性,500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度,g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点,C8909201255(Tc = 1140)1500±10°C1500±10°C介电常数564085(e11)30(e33) 8803400暗电阻,欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片,由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体:SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
  • 键合晶体
    我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂(光胶)的晶体粘结技术,基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体,We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术,我们提供先进的键合晶体,这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光(microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体,YAG+Tm:YAG键合晶体,YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体,YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒,由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应,特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如:Nd:YAG复合晶体,5x(4+8)mm规 格,二极管轴向泵浦的效率超过29.5%。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件,Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面,这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.
  • 碲化锌晶体ZnTe
    [110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应,也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲,拥有非常宽的频率分量,这些分量间的相互作用(主要是差频)将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射,因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在(ZnTe)碲化锌晶体中直线传播时,可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片,偏振分光体,以及平衡光电二极管,我们可以完成对可见光的偏振状态的监控,从而得知太赫兹光脉冲的振幅,延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息(振幅和相位延迟)的能力,是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体,通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点: — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据:产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm,探测端晶体厚度分别为0.5mm,1mm,2mm碲化锌晶体参数规格:晶格结构:立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K):2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率:109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率:a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度: 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度: 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品:碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长:1-50 mm厚度/长度:0.1-150 mm晶向:(110), (100), (111)表面质量:As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830
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