布里奇曼晶体生长炉

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布里奇曼晶体生长炉相关的厂商

  • 南京光宝光电科技有限公司
    南京光宝光电科技有限公司成立于2014年，是由南京市领军型科技人才创办的高科技企业，属于中科院上海光学精密机械研究所南京先进激光技术研究院孵化企业，于2018年成功申报国家高新技术企业。南京光宝光电以光学晶体材料的生产制造起家，包括激光晶体，非线性晶体，调Q晶体，闪烁晶体等，随着企业的不断发展，除了晶体材料的业务，依靠自己生长晶体的优势，现已研发生产晶体材料的下游产品，包括普克尔盒，不同种类及用途的固体激光器及晶体生长设备等。其中，由公司自主研发生产的1535nm用于测距和目标识别的人眼安全激光器已投入市场，凭借其各方面优势与许多厂家达成合作，用于军工领域。
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  • 合肥科晶材料技术有限公司 金牌12年
    400-860-5168转2205
    合肥科晶材料技术有限公司是美国MTI公司与中科院合肥物质科学研究院于1997年合资(MTI公司占80.23%的股份)兴办的高新技术企业，位于安徽省合肥市科学路10号，注册资金4200万元, 公司董事长江晓平博士毕业于东北大学（1981）。在中科院金属所授教师昌绪院士获博士学位（1988），并在美国麻省理工学院师从M.C.Flemings教授任博士后研究员（1988-1991）。是较早回国创业的留学生之一。曾获教育部“优秀留学生”称号。　 公司专业从事光电晶体材料的生长、定向、切割、研磨、抛光、镀膜等，拥有成套先进加工设备和工艺。公司员工大都具有10年以上晶体生长、定向、切割、研磨、抛光等丰富而专业的加工经验，公司率先在行业内成立了MgAl2O4，LaAlO3, SrTiO3等十多种氧化物基片质量标准。拥有先进而完善的检测手段: 万能工具显微镜、rocking curve摇摆曲线测定仪、X Ray定向仪、AFM原子力显微镜、XRD粉末衍射仪等，加工的产品达到超光滑(小于5A)、超洁净(1000级超净室检验、100级超净台和100级超净袋封装）、超平（厚度公差最高达3um）。 目前主要产品有高温超导薄膜基片；磁性铁电/压电外延薄膜基片；半导体基片；金属单晶/多晶基片；溅射靶材（包括近50余种陶瓷靶材、单晶靶材、金属靶材和合金靶材等）以及各种粉料、包装盒等。晶体基片从A~Z达上百种，规格型号上千种，是目前全球最大的能批量生产单晶基片的厂家之一；产品从原材料采购、生产制作、包装检验，每一步都严格控制，确保品质。从而保证了产品质量优、价位低、交货迅速。　 为满足客户需求，公司从01年开始推出材料实验室成套设备，包括“混料-压料-烧料-分析料”(混料机、压片机、箱式炉、真空管式炉和小型X射线衍射仪)以及“定向-切割-研磨-抛光”(X射线定向仪、低速外圆锯、金刚石线切割机、802自动抛光机和1502自动抛光机等)。在过去的一里年又新增添了成套新型能源材料制备相关设备产品，其中包括“混料-烧料-分析-涂层-成型-封装-测试”（球磨机、高温高压炉、材料分析仪、涂层机、轧机、切片机、封装机、电池分析仪）。公司自主研发生产可提供上百款产品不同规格尺寸、温度、高温高压及超快速升温产品其中包括：箱式炉、气氛炉、管式炉、井式炉、RTP快速升温炉、高温高压炉及电池研发相关等实验室设备，设计独特、人性化，性能优异，质量可靠，性价比高，环保节能、返修率低，广泛应用于材料、物理、化学、冶金、灰化、齿科、新型能源研发等领域，受到客户极端好评，同时，由于我们产品的优良性能，科晶的设备更是远销美国，欧洲，日本等许多国家，令挑剔的外国客商也称赞不已。　　 为了更好的服务客户，我公司设有材料制备体验中心、电池研发制备体验中心及材料检测中心，可对外提供晶体材料生长、切磨抛、样品检测等相关服务，欢迎客户带样品来我公司实验室进行试加工，以方便客户了解我们产品的性能；同时我公司的专业技术人员也可以提供技术建议与方案，使客户能够了解买到最适合的加工工艺及设备；另外，我公司还提供完善的售后服务，您在购买产品后遇到疑难问题时，我们将全力为您排忧解难。　 科晶公司成立二十年来，我们正以实际行动努力将自己打造成国内晶体材料及材料制备相关设备领域的第一品牌。相信不久的将来，科晶的品牌同样会在国际市场上成为专业与杰出性价比的代名词。美丽的科学岛期待您的光临，科晶期待您的光临。
    主营产品： 马弗炉   切割机   干燥箱   磨抛机  
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  • 上海慧品仪器
    上海慧品仪器设备有限公司自2004年成立至今，已拥有4000多平方米的现代化标准厂房，成套的加工设备，完善的质量检测体系；汇萃了一批长期从事实验电炉、真空炉及特种炉制造和服务的技术精英，其中，研究生、本科以上学历的工程技术人员26人，技术工人65余人的精英团队，具备年产1000套实验电炉、300套真空炉的生产能力。并与上海复旦大学、上海同济大学建立了长期友好的科技合作与人才培养基地。 公司自成立之初，就确定了依托技术开拓市场空间的经营策略，在秉承传统工艺的基础上，不断创新、稳步发展。以“科技创新、共享文明”为企业核心理念，以“质量第一、以人为本、服务至上”为经营目标，多年来企业获得了长足的进步与发展。如今公司已成立了二大事业部，一是实验用电炉：高温炉、管式炉、真空炉、钟罩炉、箱式气氛炉、真空箱式炉，真空管式炉等，超高温电阻炉，真空烘箱，高温烘箱等。二是真空炉及特种炉：真空炉及特种炉事业部主要产品为真空烧结炉、真空钼丝炉、真空碳管炉、真空热压炉、真空钨丝炉、晶体生长炉、微波烧结炉、SPS等离子烧结炉等。公司2005年荣获ISO9001国际质量管理体系认证，次年通过国家高新技术企业认定，所提供的产品技术先进，质量可靠，品种齐全。公司成立以来在市场上巳获得用户认可，其产品质量及服务得到用户的肯定，我们的优势不仅体现在高精度的温度控制领域，更多的是我们在真空系统，自动化控制及计算机温度分析系统有杰出的专业人才。企业定位：服务全球工业，品质成就品牌公司精神：开拓、进取、创新、发展经营理念：科技创新、共享文明经营目标：质量第一、以人为本、服务至上核心价值观：成就客户—我们致力于每位客户的满意和成功。创业创新—我们追求对客户和公司都至关重要的创新，同时快速而高效地推动其实现。 诚信正直—我们秉持信任、诚实和富有责任感，无论是对内部还是外部。 多元共赢—我们倡导互相理解，珍视多元性，以全球视野看待我们的文化。
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布里奇曼晶体生长炉相关的仪器

  • 布鲁克海文广角动/静态激光散射仪BI-200SM 400-860-5168转0165
    仪器简介：采用TurboCorr数字相关器，通过动态光散射的方法可以测量小至1nm的纳米颗粒分布情况，通过静态光散射的方法可测量高分子材料的Zimm、Berry、Debye曲线、分子量、均方根回旋半径及第二维里系数。经国内外众多顶级实验室使用，证明BI-200SM是研究聚合物、胶束、微乳液以及复杂溶液等体系最理想的测试仪器。技术参数：1.粒度范围：1nm-6um2.分子量范围：500～109Dalton3.分子大小范围：10～1000nm4.角度范围：8-162° ,± 0.01° 5.温控范围：-20 ～ 80℃（选件-20 ～ 150℃），± 0.1℃6.滤光片轮：632.8nm, 532nm, 514.5nm，488nm7.孔径轮：100 um,200 um,400um,1 mm,2 mm,3mm主要功能：1.动态光散射（DLS）功能 动态光散射又被称为光子相关谱法（PCS）或者准弹性光散射法，该方法使用自相关方程，自相关方程中包含了悬浮颗粒或者溶液中高分子的扩散系数的平均值及其分布等信息。从扩散系数的分布中可以得到：1)粒度大小及其分布2) 其它动力学参数2.静态光散射(SLS）功能： 对于悬浮于液体中的颗粒，利用Mie散射形成光强与角度的函数关系，从而得到颗粒粒度大小与形状的信息。 对于高分子溶液，光强与角度、浓度形成的依赖关系（即浓度依赖性与角度依赖性），利用Zimm图（或其他类似的方法）可以得到以下参数：1）Mw绝对重均分子量2）Rg均方根回旋半径或均方末端矩3）A2第二维里系数主要应用：高分子特性研究（以动静态、静态光散射原理为基础）一、囊泡及脂质体 微胶囊技术在现代科技与日常生活中有重要作用，如药物、染料、纳米微粒和活细胞等都可以被包埋形成多种不同功能的微胶囊。利用动静态光散射表征技术，可以对微胶囊的几何形状、粒径大小和分子量大小进行表征，进而人为对微胶囊的囊壁组成和结构进行精确的控制与调控，从而调控微胶囊的各种性能。二、胶束的研究 胶束的大小、结构、温敏性、pH值敏感度等决定着胶束的性能及应用前景。而胶束体系DLS测量时具有明显的角度和浓度依赖性，将不同角度和不同浓度的DLS数据外推才能得到准确的扩散系数D0。三、聚电解质共聚物的研究 聚电解质具有高分子溶液的特性，例如粘度、渗透压和光散射等。由于它带有电荷，并且这三方面的性质又不同于一般的高分子。在光散射测量方面，通常把聚电解质溶解在一定浓度的盐溶液中，再在不同角度下测量样品光强，从来评价样品是否已被屏蔽掉库伦力影响。四、体系聚集与生长 由于体系的变化可以通过粒度、光强、扩散系数、相关曲线等的变化加以表征，所以通常我们可以用光散射的方法来表征，从而得到体系的聚集、解离以及生长等信息。如在蛋白质晶体生长过程中，连续采集其光散射信号，通过对其光强、粒度、扩散系数及相关曲线等变化数据进行对比与分析，了解蛋白质晶体生长的情况及其性能变化的情况。如外加温控设备可以进一步研究体系的相变温度等溶液行为。五、超高分子量聚合物的表征 超高分子量聚合物（如PAM、烯烃等）因其具有极高的粘度性，采用传统的测量方法（如GPC与光散射联用技术，粘度法等）难以保证准确性，而采用特殊匹配液池设计的广角光散射仪完全避免了管路堵塞、杂散光影响等问题，成为此类样品测量最适合的仪器。六、自组装影响组装体系稳定性的因素有：分子识别、组分、溶剂、温度及热力学平衡状况。而通过测定组装体系的扩散系数、粒径、分子量、均方根回旋半径，第二维利系数等变化，可以方便地表征自组装体系的这些性能。七、DLS和SLS技术还可以用来进行以下表征：1）微乳液2）液晶3）本体聚合物及晶体转变4）复杂聚合物与胶体体系蛋5）白质和DNA
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    厂商： 美国布鲁克海文仪器公司
    品牌： 布鲁克海文仪器/Brookhaven
    型号： BI-200SM
    价格： 70万 - 100万元
  • 1100℃小型布里奇曼晶体生长炉 400-860-5168转2205
    PTL-HT-B是一款小型的1100℃布里奇曼单晶生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。 技术参数立式双温区管式炉 小型双温区立式管式炉工作电压：AC220V 单相最大功率: 1.5 KW两个加热区: 每个加热区长度100 mm ，总加热区长度200 mm L 最高工作温度: 1200°C连续工作温度: 1100°C两个温区都采用PID方式调节温度，可程序控温，分别由2个独立的温控系统控制最大温度梯度: 1oC/Cm用户需要探索所长晶体最合适的温度梯度调节两个加热区的温度，来形成不同的温度梯度调节炉体的开启大小，也可以改变温度梯度所配石英管尺寸 ：50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L悬挂丝配有3套Ni-SS悬挂丝，最高可承受温度800℃可选购能承受更高温度的悬挂丝Ni-Cr-Al 丝：最高可承受温度1100℃铂丝：最高可承受温度1600℃悬挂丝可穿过法兰，若炉管内保持正压，可在气氛保护环境下生长晶体对于氧敏感材料，样品可封装在小的石英管内 电机和控制采用6"L x 4"W的触摸屏来控制直流电机转动上升和下行速度可以设置3个程序速度范围: 1-500 um/sec （可调），精度：+/- 0.05% 可选购更精确的提拉机构，速度为：0.4mm/hr总移动行程: 450mm电机功率: 50W产品尺寸560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护（不包含石英，密封圈，加热元件和悬挂丝）净重105kg
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    厂商： 合肥科晶材料技术有限公司
    品牌： 合肥科晶
    型号： PTL-HT-B
    价格： 5万 - 10万元
  • 卡博莱特-盖罗Carbolite-Gero 布里奇曼晶体生长炉BV-HTRV 特殊应用马弗炉 400-875-7300
    BV-HTRV是根据布里奇曼方法用于晶体生长的管式炉。布里奇曼方法是用预合成材料缓慢地下降，通过一个具有温度梯度的区间。被熔化的材料通过一个较低的温度梯度区间，形成单晶。BV-HTRV管式炉装有用于布里奇曼方法的特殊设计的结构。标准型号，如HTRV 70-250或HTRV 100-250的工作管装有一个升降装置上，需要注意的是，所有的管式炉都可以装这个装置。最常见的有两种炉型，HTRV 70-250和HTRV 100-250。优势在于加热区短，根据布里奇曼方法，可获得较理想的温度梯度。温度向管式炉底部递减。拉伸结构向着低温区的位移速度可调。样品热电偶紧靠着样品，能精确了解样品的温度。样品和控温热电偶安装在升降装置底部。装载和卸载时，机构可快速反应。或者根据用户指定的晶体生长速度移动。样品热电偶和控温热电偶在陶瓷工作管附近。工作管两端是水冷法兰。工作管上面的法兰是固定的，底部的螺纹管，连接着工作管和升降装置。当样品向下移动时，螺纹管开始延伸。即使在真空下，样品也可以向下移动。工作管顶部是连接着真空泵。真空阀门可手动开关。真空度由压电陶瓷真空计控制。惰性气体流量由转子流速计手动控制。为了在工艺开始前降低氧含量，需要进行反复多次的预抽真空和惰性气体冲刷。该系统可以连接计算机，可记录运行时的所有数据。如，样品位置、热电偶温度。装载和卸载样品时，夹具必须打开。机构可现实快速移动，样品方便拿取。升降装置用于布里奇曼晶体生长，同时可结合不同的单区或多区控温管式炉。标准参数布里奇曼方法—晶体生长真空环境最高工作温度1450 °C惰性气氛环境最高工作温度1800 °C拉伸机构精度高手动操作可选数据记录功能技术参数布里奇曼晶体生长炉的加热元件是二硅化钼，垂直安装。矩形炉壳内的保温材料为真空成型的纤维板。炉壳上还有用于同外部对流冷却的孔。考虑到样品的熔点，炉子的最高温度有 1600 °C、1700 °C、1800 °C。升降装置的两个马达，可实现不同的齿轮比。如：可达到约10 mm/s的移动速度；鉴于布里奇曼生长工艺，拉伸速度仅为0.00001 mm/s (10 nm/s)。水冷法兰的水管都套在护套内。控温热电偶型号为B型。可根据要求选配过温保护器。推荐安装过温保护器，因为晶体生长工艺时间长，多数处于无人看守的状态。如果布里奇曼晶体生长所需的温度要高于1800℃，Carbolite Gero可提供合适的解决方案。请联系我们获取详细信息。 BV-HTRVBV-HTRV 70-250BV-HTRV 100-250Tmax (°C)1600, 1700, 18001600, 1700, 1800最大外管径（mm）70100加热长度 (mm)250250外部尺寸H x W x d（mm）1800 x 950 x 7501800 x 950 x 750重量（KG）300300控制柜尺寸H x W x d（mm）850 x 560 x 600850 x 560 x 600控制柜重量（KG）6060功率 (kW)56.5
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    厂商： 弗尔德(上海)仪器设备有限公司
    品牌： 卡博莱特-盖罗/Carbolite-Gero
    型号： BV-HTRV
    价格： 面议
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  • 半导体晶体生长设备供应商南京晶升装备29号上会
    南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升装备”）9月21日正式发布上会稿，9月29号上会。晶升装备聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等定制化的晶体生长设备。其产品半导体级单晶硅炉下游行业为硅片厂商，下游应用行业具有技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长等特点，市场集中度较高。根据 Omdia 统计1，全球硅片市场份额主要被日本信越化学、日本胜高、中国台湾环球晶圆、 德国世创和韩国 SK 五大企业占据，五大企业占全球硅片市场份额约为 90%，由于国内半导体硅片行业起步较晚，国内硅片市场份额不足 10%，相对较低，增速及进口替代空间巨大。中国大陆半导体硅片厂商技术发展相对落后，国内主要硅片厂商以生产 200mm（8英寸）及以下抛光片、外延片为主，300mm（12英寸）产能规模占比相对较低，仅有沪硅产业（上海新昇）、TCL 中环（中环股份）、立昂微（金瑞泓）、奕斯伟等少数厂商可实现12 英寸半导体级硅片批量供应。目前国内自产12英寸产能仅为54万片/月，总需求为150万片/月至200 万片/月，自产供给和需求之间存在较大差距，主要依赖进口。从全球趋势来看，由于成本和制程等原因，国内12 英寸需求也将越来越大。因此，12英寸半导体级硅片成为未来国内硅片市场主要增长点，带动上游晶体生长设备行业实现规模化增长。晶升装备在三轮问询回复中表示，公司已于2018年率先实现了12英寸半导体级单晶硅炉国产化。虽然产品设备规格指标参数、晶体生长控制指标参数与国外厂商基本处于同一技术水平，但因产业应用时间较短，验证经验相对不足，目前与国外厂商的竞争中还处于相对劣势。以国内12英寸硅片龙头企业沪硅产业（上海新昇）为例，其采购国外厂商S-TECH Co., Ltd半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例超过85%，采购晶升装备12英寸半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例约为10%-15%。然而，相比国内厂商，晶升装备具有先发及领先优势。其12英寸半导体级单晶硅炉产品技术水平、市场地位及市场占有率国内领先，随着产业应用时间及下游认证的逐步推进，晶升装备将在半导体级单晶硅炉国产化替代进程中具备较强的竞争优势。根据三轮问询回复，目前晶升装备在半导体级单晶硅炉的国内竞争对手主要为晶盛机电及连城数控。晶盛机电及连城数控的的晶体生长设备下游应用领域主要为光伏级硅片领域，晶升装备产品聚焦于半导体级单晶硅炉领域。晶升装备的12英寸半导体级单晶硅炉已实现为国内领先半导体硅片企业沪硅产业（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）的批量化销售。其产品的定制化能力、可应用制程工艺、下游量产进度较国内竞争对手具有领先性。晶升装备根据国内硅片行业整体预计新增产能对公司半导体级单晶硅炉市场空间进行测算，预计未来2-3年，公司半导体级单晶硅炉市场空间可达约9-29亿元。
    时间： 2022-09-30
    作者： KPC
  • 新一代高功率激光浮区法单晶炉助力哈尔滨工业大学 极端材料晶体生长实验及相关研究
    Quantum Design公司近期推出了激光浮区法单晶生长系统，该系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，具有更高功率、更均匀的能量分布和更加稳定的性能，其优越的技术性能将助力同行学者和专家的晶体生长工作！浮区法单晶生长技术因其在晶体生长过程中具有无需坩埚、样品腔压力可控、生长状态便于实时观察等诸多优点，目前已被公认为是获取高质量、大尺寸单晶的重要手段之一。激光浮区法单晶生长系统可广泛应用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合端材料（诸如：高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等），以及常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作！跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：■ 功率更高，能量密度更大，加热效率更高■ 采用技术五路激光设计，确保熔区能量分布更加均匀■ 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力■ 采用了特的实时温度集成控制系统新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数：加热控制激光束 5束激光功率 2KW熔区高温 ～3000℃*测温范围 900℃～3500℃温度稳定性 +/-1℃晶体生长控制大位移距离 150mm*晶体生长大直径 8mm*晶体生长大速度/转速 300 mm/hour 100rpm晶体生长监控 高清摄像头晶体生长控制 PC控制其它 占地面积 D140 xW210 x H200 (cm)* 具体取决于材料及实验条件哈尔滨工业大学科学工程专项建设指挥部暨空间基础科学研究中心致力于各种高熔点、易挥发的超导、磁性、铁电、热电等材料的单晶生长实验及相关物性研究，近日，我司再次同院校哈尔滨工业大学合作，顺利完成新一代高功率激光浮区法单晶炉设备采购订单，推动单晶生长工作迈向更高的台阶，我们也将一如既往，秉承精益求精的研发、设计和加工理念，为用户提供优质的技术和服务，助力用户科研事业更上一层楼!RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物图 采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
    时间： 2019-09-30
    作者： QUANTUM量子科学
  • 上海微系统所在300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究方面取得重要进展
    300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。 　　近日，中科院微系统所魏星研究员团队，在300mm晶体生长的数值模拟研究领域取得重要进展。该团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制，相关成果于2023年05月以 “Effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm Czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field”为题，发表在美国化学会旗下晶体学领域的旗舰期刊《Crystal growth & design》上。 　　在本工作中，通过对比三组仿真结果，系统的分析了晶体电导率、磁场强度、晶转速率这三个关键参数对晶体内感应电流的影响，进而分析了其对熔体对流、温度分布和界面形状的影响。结合实验数据，模型准确性得以验证，并预测了建模所需的合理的晶体电导率。研究结果表明，当晶体中感应电流增加时，界面下强制对流的驱动力逐渐从离心力转变为洛伦兹力，并改变强制对流的旋转方向，从而影响固液界面形状。这项研究弥补了传统模型的忽略晶体感应电流的不足，首次系统地揭示了晶转引起的感应电流以及关键工艺参数对传热传质、固液界面等的影响，大大提高了仿真结果的准确性，为近零缺陷硅片产品晶体生长技术的优化提供了理论支撑。 　　中科院上海微系统所陈松松助理研究员为文章的第一作者，魏星研究员为通讯作者。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所原名中国科学院上海冶金研究所，前身是成立于1928年的国立中央研究院工程研究所，是中国最早的工学研究机构之一。中国科学院上海微系统与信息技术研究所学科领域为：电子科学与技术、信息与通信工程；学科方向为微小卫星、无线传感网络、未来移动通信、微系统技术、信息功能材料与器件。图 1 模型示意图2 (a)晶体感应电流，(b)强制对流驱动力示意图和熔体自由液面温场、流场分布图
    时间： 2023-06-09
    作者： 情绪波动
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  • 【求助】有关晶体生长方向的疑问

    对于三斜硼酸镁，如果只观测到了(210)的晶格纹，则可以判定晶体平行(210)生长。能否判定其沿[001]生长？如果需要判定其沿[001]生长，还需要什么条件？能否通过电子衍射的衍射斑以及它与相应TEM照片的几何关系，直接判断晶体生长方向？

  • XRD图谱的衍射峰强度能看出涂层晶体生长完整性吗？

    8.0%),其(111)衍射峰的强度又逐步降低,表明少量氧的加入不但没有改变TiN涂层的晶体结构,而且还可以促进涂层晶体生长完整性的提高。” 我不太明天最后一句话，晶体生长完整性如何从XRD图谱中看出？看作者的意思 似乎是从衍射峰的强度判断的。。能推出这样的结论吗？

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  • Nd:YAP晶体
    Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。I)Nd:YAP晶体棒标准产品为0.7 at.％ Nd:YAP（连续激光）和0.9 at.％ Nd/Y（脉冲激光），都是b定向产品，可根据用户要求提供其他掺杂浓度的产品；II）掺钕铝酸钇晶体在1079nm的斜效率与Nd：YAG在1064nm的类似；III) Nd:YAP晶体b轴定向切割适合多种应用； IV) Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体线性极化，无热双折射问题，易于产生1.3微米激光。Nd：YAG晶体和Nd：YAP晶体比较 晶体名称Nd:YAP晶体Nd:YAG晶体介质主体YAlO3Y3Al5O12掺杂离子NdNd晶体结构正交，斜方晶系立方晶胞体积a0=0.518nm b0=0.531nm c0=0.736nmak=1.201nm折射率（1064nm) a:1.914 b:1.925 c:1.940 1.816热导率0.11W/cm K0.11W/cm K密度5.35g/cm3 4.56g/cm3莫氏硬度8.58.25荧光寿命（1％Nd）170微秒235微秒激光波长930nm 1079nm 1340nm946nm 1064nm 1319nm我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • SBN晶体
    SBN晶体又名铌酸锶钡是一种非常优异的光折变晶体材料。我们提供欧洲生长的高纯度SBN晶体或Ce,Cr,Co,Fe掺杂的SBN晶体。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我们提供的SBN晶体采用新的晶体生长技术 (Stepanov Method)， 提供出色的光学质量,晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均性现象。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。SBN晶体和铌酸锶钡晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的SBN晶体等光折变晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体
    光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi12SiO20（BSO）Bi12GeO20（BGO）Fe：LiNbO3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-70.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）ne= 2.33，no= 2.36@0.51μmne= 2.35，no= 2.37@0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r13= 47，r33= 235r13= 67，r33= 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400暗电阻，欧姆厘米10141014-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm-1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dne/ dT---3×10-4K-1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
    供应商： 上海屹持光电技术有限公司
    品牌： Eachwave
    价格： 面议
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