布里奇曼晶体生长炉

仪器简介：采用TurboCorr数字相关器，通过动态光散射的方法可以测量小至1nm的纳米颗粒分布情况，通过静态光散射的方法可测量高分子材料的Zimm、Berry、Debye曲线、分子量、均方根回旋半径及第二维里系数。经国内外众多顶级实验室使用，证明BI-200SM是研究聚合物、胶束、微乳液以及复杂溶液等体系最理想的测试仪器。技术参数：1.粒度范围：1nm-6um2.分子量范围：500～109Dalton3.分子大小范围：10～1000nm4.角度范围：8-162° ,± 0.01° 5.温控范围：-20 ～ 80℃（选件-20 ～ 150℃），± 0.1℃6.滤光片轮：632.8nm, 532nm, 514.5nm，488nm7.孔径轮：100 um,200 um,400um,1 mm,2 mm,3mm主要功能：1.动态光散射（DLS）功能 动态光散射又被称为光子相关谱法（PCS）或者准弹性光散射法，该方法使用自相关方程，自相关方程中包含了悬浮颗粒或者溶液中高分子的扩散系数的平均值及其分布等信息。从扩散系数的分布中可以得到：1)粒度大小及其分布2) 其它动力学参数2.静态光散射(SLS）功能： 对于悬浮于液体中的颗粒，利用Mie散射形成光强与角度的函数关系，从而得到颗粒粒度大小与形状的信息。 对于高分子溶液，光强与角度、浓度形成的依赖关系（即浓度依赖性与角度依赖性），利用Zimm图（或其他类似的方法）可以得到以下参数：1）Mw绝对重均分子量2）Rg均方根回旋半径或均方末端矩3）A2第二维里系数主要应用：高分子特性研究（以动静态、静态光散射原理为基础）一、囊泡及脂质体 微胶囊技术在现代科技与日常生活中有重要作用，如药物、染料、纳米微粒和活细胞等都可以被包埋形成多种不同功能的微胶囊。利用动静态光散射表征技术，可以对微胶囊的几何形状、粒径大小和分子量大小进行表征，进而人为对微胶囊的囊壁组成和结构进行精确的控制与调控，从而调控微胶囊的各种性能。二、胶束的研究 胶束的大小、结构、温敏性、pH值敏感度等决定着胶束的性能及应用前景。而胶束体系DLS测量时具有明显的角度和浓度依赖性，将不同角度和不同浓度的DLS数据外推才能得到准确的扩散系数D0。三、聚电解质共聚物的研究 聚电解质具有高分子溶液的特性，例如粘度、渗透压和光散射等。由于它带有电荷，并且这三方面的性质又不同于一般的高分子。在光散射测量方面，通常把聚电解质溶解在一定浓度的盐溶液中，再在不同角度下测量样品光强，从来评价样品是否已被屏蔽掉库伦力影响。四、体系聚集与生长 由于体系的变化可以通过粒度、光强、扩散系数、相关曲线等的变化加以表征，所以通常我们可以用光散射的方法来表征，从而得到体系的聚集、解离以及生长等信息。如在蛋白质晶体生长过程中，连续采集其光散射信号，通过对其光强、粒度、扩散系数及相关曲线等变化数据进行对比与分析，了解蛋白质晶体生长的情况及其性能变化的情况。如外加温控设备可以进一步研究体系的相变温度等溶液行为。五、超高分子量聚合物的表征 超高分子量聚合物（如PAM、烯烃等）因其具有极高的粘度性，采用传统的测量方法（如GPC与光散射联用技术，粘度法等）难以保证准确性，而采用特殊匹配液池设计的广角光散射仪完全避免了管路堵塞、杂散光影响等问题，成为此类样品测量最适合的仪器。六、自组装影响组装体系稳定性的因素有：分子识别、组分、溶剂、温度及热力学平衡状况。而通过测定组装体系的扩散系数、粒径、分子量、均方根回旋半径，第二维利系数等变化，可以方便地表征自组装体系的这些性能。七、DLS和SLS技术还可以用来进行以下表征：1）微乳液2）液晶3）本体聚合物及晶体转变4）复杂聚合物与胶体体系蛋5）白质和DNA

PTL-HT-B是一款小型的1100℃布里奇曼单晶生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。 技术参数立式双温区管式炉 小型双温区立式管式炉工作电压：AC220V 单相最大功率: 1.5 KW两个加热区: 每个加热区长度100 mm ，总加热区长度200 mm L 最高工作温度: 1200°C连续工作温度: 1100°C两个温区都采用PID方式调节温度，可程序控温，分别由2个独立的温控系统控制最大温度梯度: 1oC/Cm用户需要探索所长晶体最合适的温度梯度调节两个加热区的温度，来形成不同的温度梯度调节炉体的开启大小，也可以改变温度梯度所配石英管尺寸 ：50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L悬挂丝配有3套Ni-SS悬挂丝，最高可承受温度800℃可选购能承受更高温度的悬挂丝Ni-Cr-Al 丝：最高可承受温度1100℃铂丝：最高可承受温度1600℃悬挂丝可穿过法兰，若炉管内保持正压，可在气氛保护环境下生长晶体对于氧敏感材料，样品可封装在小的石英管内 电机和控制采用6"L x 4"W的触摸屏来控制直流电机转动上升和下行速度可以设置3个程序速度范围: 1-500 um/sec （可调），精度：+/- 0.05% 可选购更精确的提拉机构，速度为：0.4mm/hr总移动行程: 450mm电机功率: 50W产品尺寸560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护（不包含石英，密封圈，加热元件和悬挂丝）净重105kg

BV-HTRV是根据布里奇曼方法用于晶体生长的管式炉。布里奇曼方法是用预合成材料缓慢地下降，通过一个具有温度梯度的区间。被熔化的材料通过一个较低的温度梯度区间，形成单晶。BV-HTRV管式炉装有用于布里奇曼方法的特殊设计的结构。标准型号，如HTRV 70-250或HTRV 100-250的工作管装有一个升降装置上，需要注意的是，所有的管式炉都可以装这个装置。最常见的有两种炉型，HTRV 70-250和HTRV 100-250。优势在于加热区短，根据布里奇曼方法，可获得较理想的温度梯度。温度向管式炉底部递减。拉伸结构向着低温区的位移速度可调。样品热电偶紧靠着样品，能精确了解样品的温度。样品和控温热电偶安装在升降装置底部。装载和卸载时，机构可快速反应。或者根据用户指定的晶体生长速度移动。样品热电偶和控温热电偶在陶瓷工作管附近。工作管两端是水冷法兰。工作管上面的法兰是固定的，底部的螺纹管，连接着工作管和升降装置。当样品向下移动时，螺纹管开始延伸。即使在真空下，样品也可以向下移动。工作管顶部是连接着真空泵。真空阀门可手动开关。真空度由压电陶瓷真空计控制。惰性气体流量由转子流速计手动控制。为了在工艺开始前降低氧含量，需要进行反复多次的预抽真空和惰性气体冲刷。该系统可以连接计算机，可记录运行时的所有数据。如，样品位置、热电偶温度。装载和卸载样品时，夹具必须打开。机构可现实快速移动，样品方便拿取。升降装置用于布里奇曼晶体生长，同时可结合不同的单区或多区控温管式炉。标准参数布里奇曼方法—晶体生长真空环境最高工作温度1450 °C惰性气氛环境最高工作温度1800 °C拉伸机构精度高手动操作可选数据记录功能技术参数布里奇曼晶体生长炉的加热元件是二硅化钼，垂直安装。矩形炉壳内的保温材料为真空成型的纤维板。炉壳上还有用于同外部对流冷却的孔。考虑到样品的熔点，炉子的最高温度有 1600 °C、1700 °C、1800 °C。升降装置的两个马达，可实现不同的齿轮比。如：可达到约10 mm/s的移动速度；鉴于布里奇曼生长工艺，拉伸速度仅为0.00001 mm/s (10 nm/s)。水冷法兰的水管都套在护套内。控温热电偶型号为B型。可根据要求选配过温保护器。推荐安装过温保护器，因为晶体生长工艺时间长，多数处于无人看守的状态。如果布里奇曼晶体生长所需的温度要高于1800℃，Carbolite Gero可提供合适的解决方案。请联系我们获取详细信息。 BV-HTRVBV-HTRV 70-250BV-HTRV 100-250Tmax (°C)1600, 1700, 18001600, 1700, 1800最大外管径（mm）70100加热长度 (mm)250250外部尺寸H x W x d（mm）1800 x 950 x 7501800 x 950 x 750重量（KG）300300控制柜尺寸H x W x d（mm）850 x 560 x 600850 x 560 x 600控制柜重量（KG）6060功率 (kW)56.5

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒

SKJ-50晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶及金属单晶，如蓝宝石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可长出晶体尺寸达3" 。 产品型号SKJ-50晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点1、与同类相比属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。2、电子称在生长过程中可自动控制晶体的直径。技术参数1、电源：三相380V 25KW2、感应射频：功率25KW，射频0.2KHz-20KHz3、真空腔体：?500mm×700mm4、真空度：10-3torr（机械泵），10-5torr（扩散泵）5、最大提拉行程：500mm6、提拉速度：0.1mm/h-20mm/h7、籽晶杆旋转速度：0-40rpm8、最大可熔融温度：2100℃9、控温精度：±0.2℃10、冷却水：所需水压0.13MPa-0.18MPa，所需流量60L/min11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr产品规格1、炉体：880mm×1250mm×2850mm2、控制柜：680mm×540mm×1700mm3、中频柜：1100mm×500mm×1500mm4、总重：1500kg

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm 下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g)发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

产品名称SKJ-BG1650-1650℃布里奇曼单晶生长炉主要特点1、Φ42的氧化铝样品台，一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布2、电动升降样品台，便于客户放样/取样3、当客户需要大的温度梯度时，可选用三温区炉体，采用莫来石炉管，具有较好抗热震性技术参数1、电源AC220V 50/60Hz,单相最大功率：9.5KW 2、工作温度最高工作温度：1650℃（1小时）连续工作温度：1600℃3、加热元件：硅钼棒4、炉管&法兰 高纯氧化铝炉管，其尺寸问Φ80×1000mm 配有一套不锈钢密封法兰，允许在真空或气氛保护环境下进行晶体生长 5、样品台Φ42×40mm氧化铝样品台B型热偶插入到样品台底部，可实时测量坩埚温度6、坩埚装载自动样品台升降，便于坩埚放置/取样最大行程700mm7、加热区单温区，温区长度200mm可选购三温区炉体，形成较大的温度梯度（每个温区长度100mm,总温区300mm）8、控温系统采用PID方式控温，可设置24段升降温程序带有超温和断偶保护采用欧陆仪表（Eurotherm），控温精度可达：±0.1℃热电偶：B型热偶（一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布）控制界面：在一触摸屏上设置和检测各参数，如加热温度，加热速率，移动速度和移动位移等9、炉体移动行程&速度炉体最大移动行程为200mm移动速度：0.03~3mm/小时10、真空泵（可选）真空度：10E-3Torr(采用机械泵） 10-5Torr(采用分子泵)可在本公司选购各种真空泵产品规格设备尺寸：1155（L）×930（W）×2300mm（H）

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Ruby 红宝石激光晶体1960年，梅曼采用红宝石晶体实现了人类首台激光器。红宝石晶体利用两个吸收带可以很方便被闪光灯泵浦，输出波长为694.3nm。红宝石是超可靠的晶体之一，耐冲击性是Nd:YAG的三倍。输出波长适用于医疗应用，例如脱毛和祛除纹身。结构和热效应特性基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron标准规格直径公差+.000”/-.002”倒角0.005”±0.003”@ 45°滚光30±5 μinches垂直度Within 5 minutes of arc平行度30 arc-seconds or less端面面型Within λ/10 Wave at 632 nm wavelength表面光洁度10-5 scratch-dig per MIL-O-13830A波前误差Less than 1/2 wave per inch of length (meausred @ 1micron)标准镀膜Anti-reflection where R0.25% @ 694 nm激光棒朝向60±5°from the c-axis光学特性 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm

河北华凯光子科技有限公司 河北华凯光子科技有限公司于2017年6月由北京市海淀区迁至河北省保定市，公司主要经营溴化镧闪烁晶体与探测器的研发、生产和销售，我公司为国内首个成功研制并稳定量产大尺寸溴化镧闪烁晶体的公司，也因此打破了美国独家垄断地位，使我国成为世界上除美国外，第二个能工业化生产溴化镧晶体的国家。 目前公司是国家认定的科技型中小企业、河北省认定的科技型中小企业、河北省军民融合型企业、研发生产基地被评选为“保定市溴化镧闪烁晶体与探头工程技术研究中心”， 溴化镧闪烁晶体与探头研发及产业化”项目获批河北省发改委战略性新兴产业发展项目，并在第七届中国双创大赛中荣获20强，是河北省新材料领域唯一进入国家优秀企业的项目。2018年2月我公司已完成环保验收，目前正在积极申请国家高新技术企业。 公司拥有中国发明专利《溴化镧铈闪烁晶体》，及其它38项相关专利。 通过不断的自主研发创新，目前我们拥有溴化镧晶体生长、加工和封装的非专利技术、自主研发的晶体生长设备、以及集长晶、切割、研磨、抛光、封装为一体的完整的溴化镧探测器生产线。目前公司拥有55台长晶炉，2019年计划年产500件溴化镧探测器。 溴化镧闪烁晶体具有光产额高、能量分辨率好、衰减时间短、非线性响应小等优点，目前我公司能生产各种规格的晶体以及探测器，主要有1英寸、1.5英寸、2英寸、3英寸及不规则形定制产品。 溴化镧探测器被称为“高能射线的眼睛”， 是射线探测仪器的关键组成部分，主要进行材料元素种类与含量的分析。我们的产品也可以说是一件有关国计民生的产品，现已被应用于军工、安全检查、环境监测、核医学、工业计量、石油测井等国民经济的各个领域。目前比较成熟的客户重庆建安仪器有限公司（国营759厂）也在批量采购我公司探测器，另外在边境探测无人机上也应用过溴化镧探测器。 公司产品供不应求，目前我们也在积极进行二期生产基地建设的相关工作，新基地计划年产3000件探测器与核仪器仪表设备，总用地40000平方米，预计总投资为2-2.5亿元。同时也在进行例如溴化铈、溴化镧锂铯等更高性能晶体的研发。目前产品销售主要集中在国内市场，计划于2021年全面进入国际市场。未来将打造中国核探测新技术研发基地、中国核探测技术人才培训基地、中国新型核探测器制造基地，建立国际型的企业及研发基地。

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Er:YAG晶体 Er:YAG在600-800nm光谱范围均可被泵浦，广泛应用于医疗和牙科。Er:YAG优点：* 宽的泵浦带600-899nm；* 高的光学质量；* 可以输出长波，高的水吸收区；* 理想的硬组织切除工具 标准规格 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”滚光55 ±5 micro-inch倒角0.005”±0.003”@ 45°±5° 端面标准规格面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Within 5 minutes of arc光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场KTF 激光晶体KTF晶体相对于TGG晶体拥有更低吸收系数和热光系数，该晶体非常适合用于高功率法拉第旋光器和光隔离器。KTF标准规格晶轴朝向100 standard111 available直径公差+ 0.000’’/-0.002’’倒角0.005’’±0.003 @ 45°滚光55 μinches垂直度within 10 arc minutes平行度60 arc-seconds or less端面面型Within λ/10 wave at 633 nm wavelength表面光洁度10-5透过波前误差less than 1/4 wave per inch oflength (measured at 633 nm)标准镀膜Anti-Reflection with R 0.25%TGG与KTF晶体特性对比组分TGG Tb3Ga5O12KTF KTb3F10晶格结构Cubic Cubic 透过光谱范围400-1500 nm 400-1500 nm 费尔德常数，1064nm39 396折射率，1064nm1.944 ~1.5密度（g/cc）7.2 5.86吸收，1064nm~0.16%/cm~0.02%/cm热光系数17.9 x 10(-6)K(-1)~1 x 10(-6)K(-1)非线性折射率~2 x 10(-19) m(2)/W~1x 10(-19) m(2)/W热导率（W/m.K）7.4 1.67热膨胀×10(-6)℃(-1)7.313.7

产品名称：氟化钙(CaF2)晶体基片产品简介：氟化钙广泛应用于红外窗口，棱镜和透镜技术参数：晶体结构：Cubic晶格常数：5.462熔点(oC)：1418密度(g/cm3)：3.18硬度： 4热膨胀系数(oC-1x 10-6)：18.85折射率：ho 1.43382透过波段 (microns)：0.11 - 12.00透过率： 94% @ 5 m 85% @ 0.2 m色彩离差(hf-hc)： 0.00455温度系数( dh / dt x 10-6 )： -10. 6 @ 0.8 m晶体生长方法： Bridgeman产品规格：常规晶向：100、111；常规尺寸：5x5x0.5mm,10x10x0.5mm,dia1"x0.5mm,dia4"x0.5mm；抛光情况：单抛、双抛；表面粗糙度Ra:5A注：可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品： A~Z系列晶体列表等离子清洗机基片包装盒系列 切割机旋转涂层机

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Nd:YAG晶体 棒长度：3 mm -152.4 mm 棒直径：2 mm - 32 mm板条Max尺寸(mm)： 7 x 26 x 250 Nd:YAG优点1、高增益变2、低出光阈值2、高效率4、好的热导率和热冲击特性5、好的机械特性6、可工作在连续、脉冲、调Q、锁模和腔倒空 Nd:YAG棒的标准规格Nd掺杂浓度0.2-1.4±0.1 @ % at透过波前畸变λ/4 per inch of rod length (λ=632 nm) standard λ/16 per inch of rod length Opto-Lase消光比25 dB minimumNd:YAG特性@25℃(1.0@%Nd)尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”棒端抛光面型λ/10端面平行度Within 10 arc seconds端面垂直度Within 5 arc minutes倒角0.005” ± 0.003” x 45°表面光洁度10-5 scratch-dig per MIL-O-13830A滚光55±5 microinches (other finishes available on request)标准镀膜（高反&部分反射）Anti-Reflection where R 0.25%Durability per MIL-C-48497Damage Threshold exceeds 10 J/cm2YAG的物理/化学特性 YAG的折射率（波长：um）

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Cr4+:YAG 激光晶体 被动调Q或者饱和吸收体饱和提供了一种不采用电光开关就可以获得高功率激光脉冲的方法，因而可以减少包装尺寸并消除了高压电源。Cr4+:YAG比染料或色心更可靠，是1微米激光材料的理想选择。YAG中少量的Cr离子可以将正常的Cr3+的价态改变为Cr4+，这是由于杂质Mg2+或者Ca2+的额外电荷补偿。Cr4+的浓度是1064nm的吸收系数a。典型a值为1.5cm-1到3-6cm-1。被动调Q开关通常利用低功率光学密度在特定波长（或者%T）来标定。Synoptics测量了Cr4+:YAG的a值，通过改变厚度标定光学密度。厚度可以任意改变，但是，通常是1-5mm。 Cr4+:YAG规格SYNOPTICS Standards朝向100表面flat/flat镀膜AR 0.2 % at 1064 nm地址损伤阈值500 MW/cm2直径Typical: 3-10 mm 光学密度0.30, 0.40, 0.50, ±10%@ 1064 nm

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SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场TGG 激光晶体RodTGG晶体广泛应用于光学隔离器。光学隔离器利用的是TGG晶体的法拉第效应，法拉第的旋光性与入射光的方向无关，仅允许一个方向的光通过。TGG优点（优于铽掺杂的玻璃）* TGG的费尔德常数是铽掺杂玻璃的两倍* TGG的热导率比铽掺杂玻璃高一个量级* TGG的光学损耗低于铽掺杂玻璃基于以上优点，TGG适用于高平均功率激光的应用，高功率激光主要的限制因素是热效应导致的光畸变。在相同功率下，TGG晶体的光畸变低于铽掺杂玻璃 TGG晶体与铽掺杂玻璃在1064nm处的对比TGGTb-Glass费尔德常数，V1064nm632nm-40-134-20-70RadT-1m-1RadT-1m-1 吸收系数，a0.0015 0.003 cm-1热导率7.4 0.7Wm-1K-1折射率，n1.95 --非线性折射率，n28.0 2.4510-13esu品质因子，V/a27 7-品质因子，V/n58- 棒的标准规格,材料参数晶体Terbium Gallium Garnet (Tb3Ga5O12 )朝向[111] within 5 degrees透过波前畸变@632nm大晶体棒：直径3mm或长度25.4mm小晶体棒：直径3mm或长度25.4mm1/8 wave / inch1/8 wave total消光比25 dB minimum尺寸公差直径公差+.000”/-.002”长度公差+0.010”/-0.010”滚光55±5 μinch (RMS)倒角0.005” ± 0.003”@45°±5° 端面反射率 0.25% @ 1064 nm附着力和耐用性Meets MIL-C-48497A Standards脉冲损伤阈值10J/cm2

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Cr, Tm, Ho:YAG 激光晶体CTH:YAG是一种新的能用来产生2080nm的晶体，可以应用在医疗、军事和气象领域。该晶体的能量转换过程主要产生于Cr, Tm, Ho三种掺杂离子之间的能量转换。Cr3+的作用是用来吸收闪光灯的能量，随后传递能量给Tm3+,转换效率90%。Tm3+:Tm3+之间交叉弛豫，转换能量给Ho离子，量子效率接近2。Cr, Tm, Ho:YAG优点* 高效率2 μm激光源* 可室温下运转* 闪光灯或者二极管均可泵浦* 在780nm处有一个Tm3+的强吸收线，可以被激光二极管吸收* 吸收线宽4nm，是Nd:YAG二极管泵浦线宽的4倍* 对人眼安全* 可应用于医疗，军事和科研Cr, Tm, Ho:YAG激光特性激光跃迁能级5I7-5I8激光波长2080nm荧光寿命8.5ms受激发射截面7×1021cm2 光谱特性折射率1.8（@2080nm）二极管泵浦波长781nm吸收线宽 4nm主要的泵浦波长400-800nm 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet (Y3Al5O12 )标准质量掺杂Chromium (Cr 3+) 0.85@ %Thulium (Tm3+ ) 5.90@ %Holmium (Ho3+ ) 0.36@ %朝向 [111] crystallographic directions ± 5°波前畸变Less than 1/2 wave per inch of length @ 1064 nm 尺寸公差直径公差+.000”/-.002”长度公差+0.010”/-0.010”滚光55±5 μinch (RMS)倒角0.005” ± 0.003”@45°±5° 端面面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Less than 5 minutes of arc表面光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A端面减反膜反射率Less than 0.25% @ 2080 nm附着力和耐用性Meets MIL-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2主要泵浦带400-800nm

CarboliteGero卡博莱特盖罗HTRV垂直管式炉最高工作温度可达1800°C。 高等级真空成型纤维板材保温制成的隔热材料热导率低，保证了低能耗、高加热效率。硅钼棒(MoSi2)加热元件和保温材料一起填充在正方形外壳中。 加热元件悬挂在内部（如结构图所示）可以轻松置换。在高温有氧环境下，MoSi2会生成致密氧化层保护加热元件不受高温和化学腐蚀影响。HTRV配件种类齐全，可提供完善的高温热处理方案。 Carbolite&Gero卡博莱特盖罗HTRV垂直管式炉真空和气氛操作附件在真空或气氛条件的应用，标准管式炉需要多种的附件。 高纯度Al2O3和Al2O3/SiO2工作管，不锈钢水冷法兰，供气装置可提供特殊气氛下的热处理。在这种操作条件下，气体流量可以用手动控制流量计（经济型）或自动流量控制器来控制。 真空泵系统（转子泵，涡轮泵），数据记录系统和图形化操作软件都可以帮助完善工艺。 模块化的系统组件（炉，管，法兰，支架，气体供应）几乎能在实验室条件下提供所有的高温应用智能解决方案。 Carbolite&Gero卡博莱特盖罗HTRV垂直管式炉应用案例 晶体生长 GERO为晶体生长系统在研发领域和中小型生产领域的建设提供完美的专业解决方案。 我们的晶体生长系统有着精确的机械装配，平衡性好的加工部件，温度均匀性好，优化的加热梯度，控温和监测系统精密度高。GERO同时也提供II-VI副族材料，金属和合金，光学单晶如氟化物生长系统，采用布里奇曼晶体生长法，熔融法，区域熔融法，化学传输和升华法。多年来的晶体生长炉的建设使GERO获得了丰富的经验，可以根据客户要求提供各种各样的配件。

1500℃布里奇曼炉（针对多晶锭定向凝固）CYKY-BG1500是一款最高温度可达1500℃的布里奇曼炉，针对于多晶锭的定向凝固（最大直径25mm）。加热模块& 转速可调的冷却风扇有益在熔融态/结晶态界面处创造大的温度梯度。电动坩埚放置系统，便于方便放样和取样。可选购旋转样品台进行单晶锭的生长。技术参数设备特点● 单温区加热模块以及两个转速可调的冷却风扇，在炉体的风道处，可调节熔融物/结晶处界面的温度梯度● Φ25mm氧化铝样品台，带有温度测试，可精确显示坩埚底部的温度和测出炉膛内的温度分布图。● 电动升降样品台便于客户放样和取样 电源需求● 电压：AC380V 三相● 功率：9.5KW工作温度● 最高工作温度：1500℃● 连续加热温度：1450℃● 加热元件：硅钼棒炉管&法兰● 刚玉管：尺寸φ40 x 1200 mm L● 配有一套不锈钢密封法兰，可保证在真空或惰性气氛下进行单晶生长 样品台● 氧化铝样品台：Φ25*25mmH● 一个S型热偶嵌入在样品台底部，可实时测量样品的温度 加热区1个加热区，加热区总长度240mm温控系统● 采用PID方式调节温度，可设置30段升降温程序● 带有超温和断偶保护● 控温精度：+/-2℃.● S型热电偶冷却风扇速度可调的冷却风扇安装在炉体底部出口炉体移动行程 & 速度● 炉体向上移动，样品就相对于炉体向下移动● 炉体移动行程200mm● 移动速度：0.03-3mm/hr

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Alexandrite(紫翠玉) 激光晶体Alexandrite(紫翠玉)是可调谐系列固体激光材料的典型晶体。经过多年的研究和发展，该晶体可以在710-800nm可调谐，支持数焦耳量级的脉冲能量输出。该晶体是最可靠的固体激光材料之一，抗热冲击性是Nd:YAG的五倍。Alexandrite独有的特性可以用于多个领域，例如皮肤病、碎石术、光谱学、大气激光雷达，光纤测试、光电探测器、材料加工、泵浦染料激光器、非线性光学研究和半导体的退火。 Alexandrite的一般规格直径公差+.000”/-.002”倒角0.005” ± 0.003”@45°滚光55±5 μinches垂直度within 5 arc minutes平行度30 arc-seconds or less端面面型within λ/10 wave at 632 nm wavelength表面光洁度10-5 scratch-dig per MIL-O-13830波前畸变less than 1/2 wave per inch oflength(measured at 1 micron)端面镀膜Single-layer MgF2Single wavelength and broad bandanti-reflection coatings availableCr 掺杂Reflection standard range: 0.10--0.17 @ %Special order: 0.10 or 0.17-0.20 @ %optimum chrome concentration: 0.83/d @ % (diameter in mm)Alexandrite结构/机械特性化学式Be (Al1-x Cr x ) 2 O4晶格Orthorhombic晶格尺寸a=5.476 ? per ASTM 10-32b=9.404 ?c=4.427 ?X-射线密度3.7g/cm3熔点1870 °C热膨胀||a 5.9 x 10-6 K-1||b 6.1 x 10-6 K-1||c 6.7 x 10-6K -1热导率0.23 W/cmK硬度（Vickers）2000 kg mm-2杨氏模量469 GPa断裂应力0.457-0.948 GPa抗热冲击性能35-74W/cm铬浓度范围0.01-0.2 @ %铬离子浓度 (0.1 @ %) 3.51x10cm-3折射率(750 nm) (双轴) E ||a = 1.7367E ||b = 1.7421E ||c = 1.7346掺杂位置对称性78% mirror (laser active)22% inversion非线性折射率，n2~10-13 esuFindlay-Clay 插入损耗0.3% cm-1折射率温度变化8x10-6 K-1

产品名称：氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介：氧化锆（ZrO2）由于ZrO2单晶需掺入钇（Y）以稳定其结构， 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好，价格较低因而得以广泛应用。技术参数： 化学分子式 (Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9 晶体结构 立方 晶格常数 a = 5.125 ? 密度 5.8 g / cm3 纯度 99.99% 熔点 2800 oC 热膨胀系数 10.3 x10-6/ oC 介电常数 27 晶体生长方法 弧熔法产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

总览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。砷化镓（GaAs）窗片 2-16μm,砷化镓（GaAs）窗片 2-16μm产品特点● 化学稳定性好● 硬度高● 抗恶劣环境能力很强技术参数传输范围：1-16μm折射率：3.2727 @10.33μm反射损失：44％@10.33μm吸收系数：0.01cm-1吸收峰：n / adn / dT：147×10-6/℃ @ 10μm for derivationdn /dμ= 0：6.3μm密度：5.315g/cm3熔点：1511℃热导率：48 W m-1K-1@273K热膨胀：5.7×10-6/℃@300K硬度：Knoop 750比热容：360 JKg-1K-1介电常数：在低频下为12.91杨氏模量（E）：84.8GPa剪切模量（G）：n / a体积模量（K）：75.5GPa弹性系数：n / a表观弹性极限：71.9 MPa泊松比：0.31溶解性：不溶于水分子量：144.64类/结构：立方ZnS，F43m，（100）裂解折射率（O光）µ mNoµ mNoµ mNo1.0333.4921.5503.37372.0663.3382.4803.3243.1003.31254.1333.30274.9593.29786.1993.29217.2933.28748.2663.28319.5373.276910.333.272711.273.267112.403.259713.783.249315.503.233617.713.208119.073.1866光谱透射曲线产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 科学实验室研究● 远红外光学● 高功率CO2激光器● 热红外成像系统● FLIR系统订购信息订购型号规格(D×L)(mm)光谱范围GAASP10-0.310.0×0.3mmIRGAASP25.4-225.4×2.0mmIR

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。 偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。