红外探针检测器

电子探针简介：电子探针(EPMA)是用极细的电子束对样品表面进行照射产生特征性X射线，对特征性X射线进行分光和强度测定，得到微小区域的元素组成及样品表面元素浓度分布的分析装置。EPMA 采用波长色散型X 射线分光器（WDS），与能量色散型X 射线分光器（EDS）相比，具有高分辨率的特点。因此，EPMA与扫描型电子显微镜（SEM）配置EDS 检测器比较，可以进行更高精度和更高灵敏度的分析。 技术特点：岛津电子探针EPMA-1720系列优势在于传承52.5°的高X射线取出角技术，可以进行高灵敏度的X射线测定。高速稳定驱动的样品台，可以高精度设定分析位置和分析区域。配备各种自动功能和联动功能，电子束的设定简单易行。集多年分析经验于一体的控制?分析软件，实现了从数据采集到数据解析及报告制作的清晰易懂、操作便捷的良好操作环境。对于初学者，装备了从SEM 观察到定性分析?成图分析的简易可行的简单模式。数据浏览程序可以方便地进行数据的批次管理。

1：四探针测试仪 四探针检测仪 四探针测定仪/四探针电阻率测定仪 型号：HARTS-8HARTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法家标准并参考美 A.S.T.M 标准而的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了电子行、装配。具有能选择直观、测量取数快、度、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、等院校对半导体材料的电阻性能测试。　术　　标 ： 测量范围 电阻率：10-5～105 &Omega .cm(可扩展)； 方块电阻：10-4～106 &Omega /□(可扩展)； 电导率：10-5～105 s/cm； 电阻：10-5～105 &Omega ； 可测晶片直径 140mmX150mm(配S-2A型测试台)； 200mmX200mm(配S-2B型测试台)； 400mmX500mm(配S-2C型测试台)；恒流源 电流量程分为1&mu A、10&mu A、100&mu A、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10&mu V； 输入阻抗：1000M&Omega ； 度：± 0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；性、量程自动显示；四探针探头基本标 间距：1± 0.01mm； 针间缘电阻：&ge 1000M&Omega ； 机械游移率：&le 0.3%； 探针：碳化钨或速钢Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)；四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87行) 0.01&Omega 、0.1&Omega 、1&Omega 、10&Omega 、100&Omega 、1000&Omega 、10000&Omega &le 0.3%± 1字整机测量相对误差(用硅标样片：0.01-180&Omega .cm测试)&le ± 5%整机测量标准不确定度 &le 5%计算机通讯接口 并口，速并行采集数据，连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5 秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时）。连接电脑使用时带自动测量 能，自动选择适合样品测试电流量程；标准使用环境 温度：23± 2℃； 相对湿度：&le 65%； 无频干扰； 无强光直射；配置 四探针测试仪主机、探针台、四探针探头、 2：多种气体采样器/多种气体取样器/多种气体出样器（100ml） 型号：HAD/CZY-100产品介绍：主要用于检查空气中各种气体的含量。配合气体检测管使用。配套使用检测管的方法及优势：1、用砂片稍用力将检测管两端各划圈割印。2、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端，沿切割印掰断，用同样方法掰断另端。3、用硅胶管套套住检测管上的箭头所端（防止漏气），插入所要检测标注的气体通道口上（稍用力插紧）。注意方向性，箭头方向代表气体流过方向。4、将所需检测的若干项的检测管，按以上方法均插好之后，接通电源，即可正常使用。5、调节所需检测气体对应的时间控制器，使其符合标（见附表）。6、检测结束，拔出检测管。7、手持检测管箭头朝下，并垂直于地面放在与目光基本不平的位置，观察管上颜色变化所刻度，既为被检测气体的浓度。 （1）双重优点：测量气体的检测管实际是将化学分析方法仪器化，是种定量、定性、定值的检测方式,具有化学分析和仪器分析的双重优点。（2）适应性好：检测管现有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三种，从零点到几个PPM（10-6）到百分之几十，适用范围很大，为分析作提供了很大方便。（3）操作简便：为专业检验人员提供了很大的方便，操作人员按照使用说明书操作方法行测试即可。（4）使用安：使用时手动操作，无需要电源、热源，在有易燃易气体存在的场所能安使用。（5）分析速度快：由于操作方便，使得每次分析所需时间大为缩短，般仅需十几分钟即可得知结果，其分析速度是何化学分析和仪器方法不能比拟的。（6）测量度：在检测管含量标度的确定上模拟了现场分析条件，采用不同标准气标定，克服了化学分析中易带入的方法误差。同时减少了人为误差。 温馨提示：以上产品资料与图片顺序相对应。

1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A概述便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。本仪器按照半导体材料电阻率的际及家标准测试方法有关规定。它主要由电器测量份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由宽的恒流源提供，随时可行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分材料也可以用来作产品检测。对1～100&Omega &bull cm标准样片的测量瓿差不过± 3%，在此范围内达到家标准机的水平。测量范围：可测量 电阻率：0.01～199.9&Omega &bull cm。可测方块电阻：0.1～1999&Omega /口当被测材料电阻率&ge 200&Omega &bull cm数字表显示0.00。（2）恒流源：输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档10mA量程：0.1～1mA 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调恒流度：各档均优于± 0.1%适合测量各种厚度的硅片（3） 直流数字电压表测量范围：0～199.9mv灵敏度：100&mu v准确度：0.2%（± 2个字）（4） 供电电源：AC：220V ± 10% 50/60HZ 率8W（5） 使用环境：相对湿度&le 80%（6） 重量、体积重量：2.2 公斤体积：宽210× 100× 深240（mm）（7）KD探针头压痕直径：30/50&mu m间距：1.00mm探针合力：8± 1N针材：TC2:· 数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照家标准GB/T1553&ldquo 硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法&rdquo 。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、配置两种波长的红外光源：a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深&ge 500&mu m，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅&asymp 30&mu m，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。5、测量范围宽广测试仪可直接测量：a、研磨或切割面：电阻率&ge 0.3&Omega &bull ㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01&Omega &bull ㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25&mu S&mdash 10ms 温馨提示：以上产品资料与图片相对应。