多功能校准仪制造标准

管碟法测量抗生素效价以抗生素对微生物的抗菌效力作为效价的衡量标准，具有与应用原理相一致、用量少和灵敏度高等优点，为目前抗生素效价测定的国际通用方法，在历年版中国药典中均有详细描述。为评价抗生素效价测定仪的准确性，国家质检总局于2017年颁布JJG1614-2017抗生素效价测定仪校准规范，用于校准管碟法仪器的直径示值误差与测量重复性。根据JJG 1614检定规程的要求，设计了抗生素效价测定仪校准用多功能标准圆盘。该标准圆盘集二剂量、三剂量、线性及边缘效应标准与一体，通过一件刻有数个圆周的标准圆盘实现了管碟法抗生素效价测定仪二剂量、三剂量、线性及边缘效应等参数的原位校准，一次性完成单次校准实验、明显缩短了仪器的校准时间，为抗生素效价测定仪的校准提供了一种便捷的计量器具。BIO/AB-D-II抗生素效价测定仪管碟法标准圆盘主要用于校准管碟法抗生素测定仪的直径示值误差、直径测量重复性、线性及边缘效应等。 1 外形结构BIO/AB-D-II抗生素效价测定仪管碟法标准圆盘外形结构如下图所示。2 主要技术指标2.1 外形尺寸：φ90.0mm*2.5mm；S、T、L、E同心圆周距圆盘中心分别为20.0mm、25.0mm、30.0mm、35.0mm；2.2 标称值 同心直径标称值：S组：φ12.0mm、φ16.0mm、φ20.0mm；T组：φ12.0mm、φ16.0mm、φ20.0mm；L 组：φ14.0mm、φ16.0mm、φ22.0mm；E组：φ16.0mm、φ18.0mm 2.3 扩展不确定度：优于0.03mm（k=2）

Voltera V-one 是一台多功能研发级别的桌面打印设备，通过不同的材料注入，可以满足桌面级别的电路图形制造，包括点焊锡膏，打孔等电路制造的关键步骤。V-one是一款可以满足印刷电路常规参数的操作设备。 （海外购买的重点相关客户名单）（V-one获得的相关荣誉奖项）（刚性基底电路）（PI柔性基底电极）VOLTERA电路设计相关指南 优势之一：兼容 Gerber 文件扩展名Gerber 导出会产生大量文件，V-One 的内置软件可以通过文件扩展名来确定相关文件属于哪个电路板的哪个板层。 Top层： gtl、gbr、top、cmp、artBottom层： gbl，bottom，sol，artSolder Paste层： gtp, gbp, sts, gbr, artDrill层：txt，drl，drill如果您的 CAD 软件对 gerber 格式的文件使用了不同的文件扩展名，您只需将输出文件重命名为合适的扩展名并通过V-one的软件加载即可。 V-one的优势之：超简易操作的软件电路设计规则用户在通过设计零部件将由 V-One 打印的电路时，需满足以下使用要求： 可以打印最小 8 mil (0.2mm) 走线宽度和走线间距 – 作为新接触用户，我们建议使用 10 mil。SMT IC 封装的最小引脚间距为 0.65 毫米（焊膏为 0.5 毫米）。最小为 0603 封装尺寸（焊膏为 0402）。使用阴影平面而不是实体平面。 这样可以节省墨水并减少打印时间。使用标准封装和焊盘形状。 自定义焊盘形状可能会导致处理错误。请记住：Voltera V-One 会加载需要打印的 gerber 文件中包含的任何图形功能。 因此，我们不建议在copper层中包含电路板轮廓、尺寸、丝印或其他层。 电导率注意事项导电墨水的导电性比铜低大约一个数量级。 更宽的走线将具有更低的电阻并且可以处理更多的电流。 墨水的当前容量取决于您应用的最高温度。墨水的体积电阻率为 9.5E-7 [Ohm.m]。 出于实际目的，默认情况下，薄层电阻约为 12 [mOhm/sq]。 油墨的厚度是可配置的，可以改变薄层电阻的阻值。V-One 打印机还是打印高粘度流体的出色设备之一。 您可以获得开箱即用的高质量打印效果，或者通过对软件内的打印设置进行一些小的调整，达到想要的预期效果。参数解析： Pass Spacing（通过间距）控制使用 V-One 打印的两条相邻线之间的最小点到中心距离。 Dispense height（点滴高度）打印过程中喷嘴尖端与基材表面之间的距离。 V-One 会通过动态校正高度以保持该值恒定（+/- 约 20 微米） Feedrate（进给率）点滴时的 XY 轴移动速度。在物体之间移动时不影响行进速度。 Trim Length（修剪长度）打印机在停止并重新加压墨盒（通过应用另一个“Kick”）之前将分配的最大距离。因为胶筒内的压力在分配时缓慢下降，因此V-One 需要补偿流速并在轨迹线上的位置重新加压。 Trace penetration（微量渗透）为了确保走线和焊盘正确连接，V-One 的软件呢内会提前规划路径，以便走线多走一小段距离内进入焊盘，使得走线和焊盘能够正确连接。 Anti-stringing distance（抗拉线距离）根据流体的表面能关系，液体可能更喜欢粘在喷嘴上而不是基板上，所以当喷嘴抬高上升时会产生“拉丝”的场面。 V-One 通过微控喷嘴停顿以安全地折断拉丝线来对此进行调整，而不是让拉丝线在升起/行进过程中折断。保证了打印基板表面线条的均线性。 Soft Start/stop ratio（软启动/停止比）由于流体的可压缩性和机械因素（如电机的速度），在启动 Kick（加压开始）和流速达到启动管线或其他功能的正确水平之间会存在延迟。这同样适用于终止流速/释放压力。这项参数用于适当地对此延迟进行补偿。除了特别可压缩或粘性的材料外，这项参数通常不需要调整。 Kick（流动性）此参数控制针管内活塞的冲程长度（Stroke Length）。该参数与流变设定参数有所关联，对于打印不同材料的流体来说是非常重要的点。因为高粘性的流体需要较大的反冲来启动流动并迫使流体通过喷嘴，而粘度较低的流体需要较小的反冲。无需压缩和低粘度流体的材料只需要非常小的 Kick 参数即可启动流动。 关于 Kick 和 +/- 设置经常会出现混淆——虽然两者都控制活塞，但它们做的事情却不同。 Kick 是活塞的最大位移，而 +/- 调整活塞的相对起始位置。 Rhelolgical Setpoint（流变设定点）如上所述，这个参数和 Kick 是打印一致性和质量最重要的两个参数。虽然 Kick 控制施加到流体的压力量，但流变设定点控制V-One 如何随时间补偿流量。对于高粘度可压缩流体（如导电油墨或焊膏），如果流速随时间降低，则此参数会增加。 不可压缩/低粘度流体材料：对于不可压缩的流体，此参数的使用方式略有不同 - 您需要调整它以考虑每次冲程分配的总流体量。 但是，由于与典型用例和算法有关的原因，这种方法仅适用于打印许多相同的图形——这意味着如果您要打印一个直径为 0.5 毫米的圆，而不是一个直径为 0.3毫米的圆直径，您需要更改流变设定点以获得相同的流体体积分配。 V-one线条对位优势：V-one的对位功能会通过检测基板的位置。它会将电路移动到正确的 XY 位置。或者通过检测基板的旋转。它将旋转电路以匹配基板的物理方向。关于对位首先要知道的是，它都是基于两个对齐点的测量。该软件会自动为您选择两个点，但您可以通过单击其他电路特征来选择新点。对于这个例子，虽然我们将使用我们的软件选择的默认点。这些点中的第一个是锚点。您将在加载 gerber 时选择的两个点中的较亮处看到它。 锚点（或枢轴）是电路将围绕其旋转的点。这个初始点有一个固定的 XY 位置并且永远不会移动。 在软件中加载电路时，会找到两点之间的相对位置。一旦探测到锚点，它现在也有一个固定的 XY 值。从这里我们将采用您探测的任何一点并画一条线回到锚点。这条线与绿色圆圈相交的地方就是假定您的第二点所在的位置。此外，V-one的另一实用功能就是探测实图步骤，在打印之前，我们使用探针生成板面的高度图。 这对于确保工具的尖端安全地保持在板上非常重要。 为此，我们用探针接触电路板并测量它的高度，然后将这些值相互比较。在探测过程中，您会注意到每个点在测量时都会被填充。打印高度是打印过程中喷嘴尖端与电路板之间的距离。 此打印设置对于打印质量的各个方面都至关重要——迹线分辨率、一致性、最小焊盘尺寸，尤其是对于防止喷嘴撞到电路板中。 V-One 打印的每种材料都有一个最佳的打印高度。 对于导体（Conductor paste），此印刷高度为 80 微米 (μm)，对于焊膏（Solder paste），此打印高度为 100 μm。 探针的主要作用为了保持一致的打印高度，保证V-one的打印质量。探针是一种经过精密校准的传感器，它接触电路板以创建高度图，在打印电路时将使用该高度图。 电焊锡膏功能：我们目前提供两种 T4 和 T5 颗粒尺寸的焊膏合金： T4 - Sn42 Bi57.6 Ag0.4T5 - Sn42 Bi57.6 Ag0.4T5 - Sn63 Pb37锡铋银 (Sn42 Bi57.6 Ag0.4) 符合 RoHS 标准，适用于我们的导电油墨。 锡铅 (Sn63 Pb37) 用于工厂制造的带有 HASL 表面处理的电路板。 在 V-One 上进行回流焊接之前，需确认： 您的电路板是否大于 3" x 4" (76.2 mm x 101.6 mm)？您是否正在回流连接器等大型组件？您的电路板是否有多个接地层？如果您对以上任何一项说“是”，则自动 REFLOW 模式可能无法正常工作。 该板将充当大型散热器，不会达到峰值回流温度。 相反，您应该使用手动模式。打印图例相关：

多功能台式　微米和纳米加工制造仪 适合各式纳米材料及薄膜的表面粗糙度或表面形貌量测。● 无需抽真空及快速的量测取得量测图像。● 直觉性的操作接口。● 一键扫描的快速功能。ACST为科研人员和教育工作者带来了一种先进的、多功能的台式微米和纳米制造的仪器，可以作为研究和教育工具。不仅帮助科研人员拓展他们现有的工作向不同的领域发展，而且还可以帮助教育工作者打夯实基础，教育学生掌握工业用的微米和纳米加工制造技术。COSMOS nanoFAB是一个加工制造仪器，这对我们培养纳米科学家的教育计划至关重要，也为学生在日益增长的微制造和纳米技术领域提供丰富的就业机会。 COSMOS nanoFAB采用了一种非常成熟的设计，充分考虑到其性能、成本和多样性。模块化设计理念允许在不同的技术中使用通用型的机械元件/电子元件，从而保证了使用方便和成本低廉。该仪器完全有能力成为快速j加工或新研究的实验验证工具。在教育领域，COSMOS nanoFAB可应用于表面化学、材料科学、工业应用、电子元件和半导体器件制造、生物分子固化和生物传感应用等领域的教学和应用。可被应用于高解析影像和测量需求，特别是具备次奈米级的 Z 轴分辨率。其低噪声和开回路设计于一体的扫描仪可以快速地针对样本进行扫描。独特光像散式的光路模块提供业界最小的雷射光点，让用户可运用于更小且快速的AFM 探针，COSMOS nanoFAB提供了在纳米和微米加工制造技术方面的功能，这并且在业界得到了很好的认可： ★ 紫外线光刻: 通过一系列的实验，学生们学习了紫外线光刻技术的概念；半导体行业的基本技术★ 微接触印刷（μCP）： 学生们了解这一传统简易的技术，使用有机、无机和生物材料进行纳米/微米的图案加工。★ 纳米压印加工技术（NIL）： 学生操作和实践纳米压印加工技术。业内专家认为，作为半导体行业未来的市场需求，纳米 压印加工技术（NIL）是最具前景的一项技术。 总之，COSMOS nanoFAB可以应用的领域包括：● 表面化学● 材料科学● 工业应用● 半导体器件的电子元件制造● 生物固定和生物传感应用● 直觉式的数据撷取软件 PSX 可提供用户在最基本教育训练下，即可直接操作。值得一提的是，一键扫描功能可自动地设定参数与进行扫描，用户同样能够快速获得高质量的扫描结果。PSX 内建的扫描库管理功能有效地简化扫描数据的整理，以方便用户删除或输出扫描图文件。 ● 永效性的光路校准系统---雷射点实时维持在四象限二极管中心，不须另外校正。● 一键扫描- 藉由智能预测算法，即可轻松点击按键便可进行全自动扫频、下针、做力图曲线、以及扫描样品等相关流程。 应用案例和模块信息介绍-微接触印刷（μCP）: 描述：微接触印刷(μCP)是一种非光刻技术，也是“软刻蚀技术”的前身。μCP是一种常有吸引力的、可以应用于生物技术领域的、用于微米和纳米图案/结构制备的技术。它使用弹性印章，通过将各种分子（从有机分子到大的生物物质）点印到固体基底上，以生成二维的微米和纳米结构。这项技术包括两个主要步骤：印章的制作及印刷，如图所示。包被靶标分子的弹性印章通过预施加的控制来接触基底表面，从而将靶标分子转移到基底上。不同的大小和形状的几何图形可以生成各种各样的印章，例如可以使用大的平面印章或滚动印章(类似于油漆辊)在平面和非平面表面上点印，从而轻松地对很大的区域进行图案制备。印章是由弹性体聚合物制成，如聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚氨酯，聚酰亚胺和树脂等等。 应用：微接触印刷是一个从下而上的加工技术,由于简单方便，高通量和成本低廉，现广泛应用于多个领域，如光学、MEMS、高密度分子电路、微流体、微阵列和生物传感器点印寡核苷酸、固定细胞来研究细胞-细胞和细胞-基底表面的相互作用、生成肽阵列研究免疫实验和生物传感器实验的蛋白质和生物配体。 我们客户还可以探索如何在大尺寸和纳米尺度上点印计算机芯片或者如何制作生物传感器。例如，在实验室里，可以使用大尺寸和纳米尺度的印章，用光刻技术制作纳米印章模板和聚合物。印章将被包被有机小分子与黄金等贵金属，然后点印在黄金薄膜的基底上，随后的是金的湿蚀刻，没有被有机分子保护的区域将被蚀刻。在这样的一个实验中，印章上的结构将被复制到基底上。 应用案例和模块信息介绍-光刻技术: 光刻技术是当今世界上最成功的精密加工技术之一。自1959年发明以来，它就是最有价值和最有利润的行业，最初是开发出来用于微电子工业（集成电路平面技术），现在也被用来制造微型器件（硅晶体平面的三维结构材料刻蚀)。从那以后，这个行业一直在广泛需求中不断发展，包括单个电路元件和整合的半导体材料，基本上所有的集成电路是用光刻技术制造的。光刻工艺概述如图所示，预先设计的图案是从光掩模（例如用电子束光刻法）传送到靶标的硅基底。该程序包括以下常用的步骤: 1、在硅片层基底上包被一层薄薄的紫外线敏感的聚合物抗蚀剂（光刻胶）（图2a，图2b）。 2、随后紫外光透过有图案的印章（图2c）进行照射，只有部分抗蚀剂暴露在紫外线下，这引起了抗蚀溶解度的变化。然后将印章放置于离样品尽可能近的地方但是不接触，如图2c所示。由于光衍射，辐射面积会增大一些，大于印章对应的开口区域（这将导致分辨率降低）。这种光刻蚀程序只能用于创建尺寸小于辐射波长的图案和器件。因此，半导体工业也开始使用更短波长的光线来做辐射。 3、紫外线曝光后，将样品浸入显影剂中，以便从显影剂中除去光刻胶暴露在光线下的地方（图2d）。 4. 硅晶片上的抗蚀图案随后被用来从裸片上蚀刻材料（将硅晶片暴露于蚀刻剂）（图2e）或沉积电路设计需要的其他材料。最后光刻胶完全脱离硅晶片（图2）。 在这四个步骤之后，抗蚀剂（光刻胶）上的图案特征被转移到硅晶片的基底上（步骤f）。整个过程可以按电路设计要求重复多次。 用途：光刻蚀是一种从上而下的制作工艺，选择光刻蚀工艺是因为它可以产生小到几十纳米的图案，并提供精确的控制形状，大小，并且制备成本非常低。 光刻技术被广泛应用于从微电子到生命科学的各个行业，在可预见的未来，它还将是微处理器、存储器和其他微电子设备信息技术的基础。此外，它还用于许多设备的制造业和小型化，从而带来了高性能、可移植性、节约时间、节省成本、节省试剂、提高生产通量、改善功耗、提高检测限度以及新功能的开发。 应用案例和模块信息介绍-纳米压印加工技术（NIL）: 描述：纳米压印加工技术（NIL）是基于一种与传统微加工有着根本区别的原理，该技术具有高通量，小于10纳米分辨率和低成本的优点，是目前其他现有刻蚀方法无法达到的。在压印过程中，图案被热敏或紫外光复制到抗蚀剂中，然后被转移到下面的基底上。在热敏纳米压印加工技术（NIL）(T-NIL)工艺中，将表面具有纳米结构的模具压入基底上铸造的薄层抗蚀剂中。抗蚀剂是一种热敏塑料，由于粘度低，在玻璃化温度（Tg）以上时容易变形。当抗蚀剂冷却到Tg以下时，模具被移除，模具的图案被复制在抗蚀剂中。在光固化纳米压印加工技术（UV- NIL）中，将模具在室温下，压入顶层的UV光刻胶中，然后紫外照射交联抗蚀剂，最后模具复制品转移到底层的抗蚀剂和基底上。 在这两个过程中，模具表面都涂上了钝化层，以防止在分离过程中抗蚀剂粘在模具上。在图案转移过程中，利用反应离子刻蚀~RIE等各向异性刻蚀工艺去除压缩区域的残余抗蚀剂，将压印中产生的厚度对比图案转移到整个抗蚀剂中。 应用：为了加快纳米结构的研究和商业化，必须有一个高通量和低成本的纳米加工技术，来实现尺寸、形状和间距完全自由化的设计。这就是为什么纳米压印会快速发展，并且它已经扩展到许多学科，如微电子学、生物学、化学、医学和信息存储。还有希望应用于光学器件、磁存储器、微电子机械系统、生物技术、微波器件的三D打印、生物技术中使用的微流控通道、存储器VRAM的环形结构、无源光学元件等。