薄膜电容真空计

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薄膜电容真空计相关的厂商

  • 广东华裕电子有限公司专业生产直销系列薄膜电容器。公司严格执行ISO9001-2008质量管理体系,遵循“高效、高品质、以人为本、持续改进”的质量方针,先进的生产检测设备和优质的售后服务使得质量稳定,价格合理,按客户要求设计并能按时供货的薄膜电容器畅销海内外。 公司于2012年又成立了北京电力分公司,致力于特种工业类电容的研发、生产,并与国内外多家知名电力企业开展战略性合作,针对新能源和智能电网的发展,定制开发出用于风能、光伏、动力机车、SVG和基于MMC柔性直流输电系统大功率变流器用高压、大电流、大容量、高可靠、固体型直流电容器。用于DC-Link、SVG和高压换流阀。以军工、科研服务的技术,结合成熟的市场经验,全力打造满足客户需求的电力电子薄膜电容产品。 目前公司产品广泛应用于家用电器、消费电子、交通工具、逆变焊接设备、感应加热设备、风能太阳能发电变流器,UPS电源、IGBT缓冲吸收、大电流谐振、高频逆变焊机、冶金熔炼、高频逆变器、谐波滤波、EMC、大功率牵引和强磁发生装置、激光脉冲电源、高频通讯基站电源馈通滤波、医疗器械等行业,质量水平国内领先,失效率≤30FIT。华裕公司积多年薄膜电容的设计制造底蕴,产品设计能力强,可承接设计、制造各种高端定制薄膜电容器,为您提供薄膜电容器整体解决方案。满足顾客的需求,为顾客创造最大价值是全体华裕人的最大追求! 华裕热忱期待与您的合作!免费咨询热线:400-850-5811
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  • 泰州市爱德机电科技有限公司:专业从事测控仪器、仪表、专用真空测试设备、真空应用系统研发和生产的高新技术企业,是中国真空学会会员单位,江苏省真空学会常务理事单位。公司产品历史悠久,自上世纪七十年代末即研制生产真空继电器、常规真空计等,三十多年来,紧跟时代步,科技领先,研制的真空测控仪表和专业真空测控设备不断更新换代,最新产品智能真空仪、高精度陶瓷薄膜真空计、精密电容型真空压力变送器、防爆型智能真空计等高科技产品已广泛应用于科研、军工、航空、航天、机械、冶金、化工、医药、食品、电子、电力、环保、高效农业等行业。主要产品系列:VR-208系列智能真空仪(高精度薄膜真空计系列)ZKY-2000系列真空测控仪ZKJ-9095系列真空压力继电器PS-210/310/510系列真空度传感器PBS-310/510系列真空度变送器VRK-760系列精密真空度开关量传感器VRG—200数字式真空机组(系统)电器控制柜VTF-209 系列食品工业真空度测试台V-TXT—a~d 真空技术教学实验装置VMS-209系列数字真空源(智能真空发生器)VPS-100A\D系列袖珍式数字真空计VTXL-208c真空泄漏率快速测定仪
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  • 真空仪器(氦质谱检漏仪)及真空设备(氦检漏系统)、充氦回收系统、气密性检漏仪、真空镀膜设备、纳米薄膜及各类电气控制系统、夹具、冲堵头、的组装生产、研发、销售及真空机组、检漏平台、流水线体、非标自动化设备维修移机保养改造。高纯氦气、真空阀门、真空泵、真空测量仪器仪表、压缩机、机电产品、润滑剂、密封耗材批发及零售。承包检漏工程、检漏方案设计实施、检漏仪租赁业务、检漏仪校准、、真空镀膜服务、工业自动化设备以及电子产品、及计算机软件的研究、开发、销售、技术服务、技术咨询、系统集成及自营和代理各类商品和技术的进出口业务。
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薄膜电容真空计相关的仪器

  • Agilent PCG-750 规管将皮拉尼和陶瓷电容薄膜规管一体化,具备气体类型单独测量的特点,并提高了从大气压到 5x 10 -5 mbar (3.8 x 10 -5 Torr) 的测量精度。应用领域:真空测量- 高准确度和高重现性使大气压监测更为可靠- 快速大气压检测缩短了流程的循环周期- 对于 10 mbar 以上的压力,测量结果与气体种类无关,所以可安全排放任何混合气体- 坚固紧凑的外壳能以任何角度安装,易于集成到系统中- 设定点控制利用压力读数来执行关键操作- 可替换的即插即用传感器易于维修,降低了用户的使用维护成本- 镍灯丝选件提供了腐蚀性应用解决方案- 可选的高亮度彩色 LCD 显示屏,使压力读数更易监测。- 适合真空压力的安全监控、前级真空压力监控和进出样室控制,以及中级和粗真空范围内的常规真空测量和控制。- 采用便携式设计,并包括一个明亮且便于读数的显示屏。
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  • DVR 2pro是款全电子的、用途广泛的真空规,测量范围从大气压到1mbar。DVR 2pro具有内置的氧化铝陶瓷材质的真空传感器,其有优异的耐腐蚀性及超长的稳定性。它的一个独特优势是其只需电池供电,无需外接电缆。它的操作简单,将数字/模拟真空读数方式结合在一起,可分别进行准确的读数和快速的趋势判断,使该设备非常灵活。 性能表现■ 高电磁兼容性:接近检测极限时干扰电子发射率低,在工业环境中仍具有非常高的抗电磁干扰能力■ 大屏幕的模拟/数字真空显示:快速趋势判断,精确读数■ 压力单位可自行设定(mbar, hPa, Torr)■ 数字重校■ 氧化铝陶瓷薄膜电容传感器具有优异的耐化学腐蚀性,准确性高,超长稳定 技术参数:测量范围上限:1060 mbar / 795 mm Hg测量范围下限:1 mbar/1 mmHg测量原理:陶瓷薄膜(氧化铝),电容式测量的不确定性: +- 1 mbar/hPa/torr / +- 1 数位 (经过校准,恒温)真空接口:KF DN 16 小法兰和 DN 6/10 mm 软管喷嘴接头供电:9V锂电池,1.2Ah Ultralife U9VL尺寸(长x宽x高), 大约:115 x 115 x 66 mm重量, 大约: 0.375 Kg订货号:20682906
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  • DCP 3000是一款杰出的粗、中真空规。通过一个旋钮的切换,带背光的大屏幕可以显示所有真空规测量的读数。VSK 3000真空传感器为陶瓷薄膜规,测量范围自常压至0.1mbar。作为一款绝对压力测量传感器,它与气体种类无关,非常耐腐蚀,测量精度非常出色且可以长期稳定工作。DCP 3000可同时连接多达8个真空传感器,现场使用灵活自如。与外部元件的通讯是通过VACUU· BUS 数字总线系统实现的。它具有完全自动配置、统一的插头连接和长达30米电缆延长线等优点。除此之外,DCP 3000亦可测量相对压力(使用VSK 3000真空传感器作为参比),也具备数据记录器功能,可容纳32000个数据值。 性能表现■最多可同时连接4个VSK 3000传感器(常压到 0.1mbar)和4个VSP 3000传感器(常压到10-3 mbar)■ VSK 3000氧化铝陶瓷薄膜电容真空传感器具有优异的耐化学腐蚀性,可提供不依赖于气体类型的绝压测量■出色的测量精确性,温度恒定,运转长期可靠■坚固耐用,防水溅射真空传感器,可用于非常苛刻的操作环境■相对压力测试选件(VSK 3000)和数据记录功能(最多达32,000个数值,通过RS 232C读出) 技术参数:真空传感器:VSK 3000真空传感器的电缆长度:2米测量范围上限:1080 mbar / 810 mm Hg测量范围下限:0.1 mbar/ 0.1 mmHg测量原理:陶瓷薄膜(氧化铝),电容式测量的不确定性: +- 1 mbar/hPa/torr / +- 1 数位 (经过校准,恒温)真空接口:KF DN 16 小法兰,10/8 mm PTFE 接头,DN 6/10 mm 软管喷嘴接头尺寸(长x宽x高), 大约:144 x 124 x 114 mm重量, 大约: 0.44 Kg订货号:683170
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薄膜电容真空计相关的资讯

  • 新材料领域:物联无线微功耗电容感应触摸开关
    研究人员利用新型印刷技术制备了平面型薄膜电容感应芯片,并基于迷你单片机及低功耗蓝牙无线通讯技术,开发了一种低成本的新型物联无线微功耗电容感应触摸开关技术,其可以实现远程无线触摸控制开关,无须与墙面接触,使用十分方便, 本产品应用广泛,除了常见的智能家居系统,还可以在智能建筑、智能医院、智慧旅店、智慧养殖等系统中使用。主要技术指标(或参数):   1、功耗:50-100mW;   2、最大无线操作距离:100m;   3、无线通讯设备类型:蓝牙;   4、使用寿命:大于10万次;   5、工作温度:-10℃~60℃;   6、工作湿度: 10~95%RH;   7、符合人体工学设计;   8、外观精致时尚;   9、安装方便。   应用领域:   智能家居、智能建筑、智能医院、智慧旅店、智慧养殖等系统中使用的远程无线触摸控制开关。   市场前景:   现代生活需要人性化的电工开关产品。电工开关是每个人每天都要亲密接触的,操控次数远超过其它电器。传统的机械式电工开关,从发明灯泡到现在一直都在使用,它满足了人们的基本控制需求。然而在各种智能电子设备早已实现了触摸操控功能的今天,传统机械式操控的墙壁电工开关已经远远落后时代的需求。   此外,电工开关企业竞争需要产品升级换代。当前,电工企业处在一个转型期,低端产品已经无利可图。据有关部门统计,目前国内生产传统开关(插座)的电工企业大约有2800余家,具备生产许可资格的约有1500余家。加上西蒙电气、罗格朗等一大批外资企业凭借资本、技术、品牌等优势纷纷抢滩中国,国内电工市场竞争空前激烈。目前主要集中在品牌、价格、外观、材质上恶性竞争,传统开关(插座)利润的赢利空间大幅度下滑。业内人士普遍认为,相对于几年前,现有各类开关(插座)产品利润下降了10%-18%,产品为微利经营状态。所以,整个电工行业需要提升产品档次,企业需要新的经济增长点。   拟转化的方式(或合作模式):   可采用研究所与企业通过成果转让或技术入股等方式,共同推进该成果的产业化。   相关图片:
  • 光学薄膜的真空镀膜设备
    光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw) 光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw)光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw)光学薄膜的真空镀膜设备 型号:BMC1100DS,带Windows软件自动控制系统(SDC)/日本 制造时间:2003年 状态:运行极好 生产厂家:Shincron (http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1100mmxH 1600mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2 EB Guns (JEOL)  JEBG-102UHO(&phi 35ccx20) JST-16F (16kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器: 无 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 最大350℃± 10℃(36kw) 型号:RMC1100,带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间:2003年8月 状态:运行极好 生产厂家:Rock Giken Inc (http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html) 技术规格: 真空腔体尺寸: &phi 1150mmxH 1500mm 衬底圆顶尺寸: &phi 950 (3~30rpm) 耐加热系统: &phi 20mm 4kw 蒸发源: 2EB Guns (Plasma System)  G-12100(&phi 35ccx20) D-10001 (10kw)  IAD 系统: 无 光学厚度监控器: 380~1500nm(波长) (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器: XTC-2(Inficon) 真空泵单元: MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统: 300℃± 10℃(21kw)
  • 薄膜沉积工艺和设备简述
    薄膜沉积(Thin Film Deposition)是在基材上沉积一层纳米级的薄膜,再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行,就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层,而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法,因为它有如下的这些特点:1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜,也可以按要求制备多组分合金的薄膜,以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行,镀膜的绕射性好,对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散,可以得到附着力好的膜层,这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多,由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层,这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数,可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高,一般要850~ 1100℃下进行,许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段:1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程:i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时,SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散,并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散,因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层,形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右,栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD,LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD,)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体) 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜, 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤:(1)镀料的气化:即使镀料蒸发,升华或被溅射,也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染,耗材少。成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法:◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating

薄膜电容真空计相关的方案

  • 真空度控制中电动针阀上游模式和电动球阀下游模式的考核试验方案和结果
    针对密封腔体内真空度(压强)的准确控制,本文基于薄膜电容真空计、电动针阀、电动球阀、真空泵和高精度PID控制器组成的真空控制系统,设计了上下游两种模式的控制试验方案。依据对两种试验方案分别进行了试验,考核了10Pa~600Torr真空度范围内十几个设定点的恒定控制精度,并用波动率描述了考核试验结果。试验结果显示在整个真空度量程范围内,恒定控制的波动率小于± 1%。
  • X射线探测器窗口膜材料机械性能测试中的真空压力控制解决方案
    针对X射线窗口膜材料机械性能测试中对真空度和高压压力的准确控制需要,本文提出了相应的解决方案。解决方案中采用了薄膜电容真空计、压力传感器、电动针阀、压力调节阀和真空压力PID控制器,与真空泵和高压气源配合,可在膜材料样品两侧形成准确的真空压差、微压差和高压压差,由此为窗口膜材料的杨氏模量、破裂压力和压力循环测试提供所需的真空压力环境。控制器自带的计算机软件可独立进行上述真空压力控制操作,并可显示和存储整个控制过程中的多个参数随时间变化曲线。
  • 上海伯东德国普发Pfeiffer 热销款皮拉尼真空计 TPR 270 升级上市
    上海伯东德国 Pfeiffer 热销款皮拉尼真空计 TPR 270 全新升级上市,测量准确,反应迅速,简单好用的优点外,还具有以下升级优点:1)真空计延展测量范围:1,000 -1 to 10-4 hPa2)提高测量精度:± 10 %3)可靠性更高-从2004年上市以来主要应用于大批量 OEM4)皮拉尼真空计优越的热稳定性,更完美的设计外观Pfeiffer 德国普发皮拉尼真空计 TPR 270 与同款真空计 TPR 280 对比,测量范围更广,测量精度更高型号 接口 测量范围 工作温度 测量精度 极限压力 重量 TPR 270 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-F 1X10-4 - 1000 hPa 80 °C ± 10 % 400 kPa 135g TPR 280 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R1/8" NPT8 VCR 5X10-4 - 1000 hPa 80 °C ± 15 % 1000 kPa 80g TPR 280 DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R 5X10-4 - 1000 hPa 250°C ± 15 % 1000 kPa 130g TPR 281(抗腐蚀系列) DN 16 ISO-KFDN 16 CF-R 5X10-4 - 1000 hPa 80 °C/250°C ± 15 % 1000 kPa 80g Pfeiffer 德国普发皮拉尼真空计 TPR 系列测量范围从1000 hPa 到 5 10-4 hPa,设计紧凑,测量准确,反应迅速,简单好用,适合一般的真空应用, Pfeiffer德国普发皮拉尼真空计TPR 系列多种接口可选.* 全系列真空产品维修保养促销活动:活动期间所有维修保养产品免收检测费,定期做保养服务可有效延长产品使用寿命,减少企业生产成本!上海伯东销售维修德国普发 Pfeiffer全系列产品已有10余年,公司自 1995 年成立以来已累计为数千家客户提供销售维修服务,维修次数累计超过数万余次保证 100 % 德国普发 Pfeiffer 原厂维修保养料件和受德国 Pfeiffer 专业培训的工程师,并用 Pfeiffer 原装进口检测设备对维修后的产品做全方面的性能测试,保证维修质量,并在上海,台湾等地区设立维修保养中心.上海伯东凭借其专业的技术背景及良好的服务质量是中国地区多家大型企业和国家研究机构长期合作指定供应商.上海伯东主要经营产品:德国普发Pfeiffer涡轮分子泵,干式真空泵,罗茨真空泵,旋片真空泵:应用于各种条件下的真空计,氦质谱检漏仪,质谱分析仪,以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源,美国HVA真空阀门,Polycold冷冻机等

薄膜电容真空计相关的资料

薄膜电容真空计相关的试剂

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  • 谈谈薄膜真空计(2)

    现代真空应用技术的发展,涉及的应用范围越来越广泛、真空应用设备对仪器仪表的要求越来越高,特别是对测量精度、稳定性要求、以及自动控制性能要求也越来越高,这直接关系到真空设备的整体性能质量,关系到真空应用技术或应用工艺的应用效果,甚至于成功与否。在精细化工、真空冶炼、真空单晶炉、真空热处理、真空浸渍、真空冷冻干燥、真空绝缘处理、电真空器件、半导体材料生产、高特新材料、新能源设备等等行业中尤其特出。许多新设备、新工艺、新产品的开发之所以老是无法实现预想的技术指标和效果,往往就是因为真空测控仪表选型不当、其实际的测量控制精度无法达到设计要求所造成的。当然,薄膜真空计也不是没有缺点的,首先是价格高,国内一般是4-6千元,量限低的贵些;进口则1.6—2.5万元/只左右;其次,国内老式的薄膜规容易零漂,需要经常校正,要求高的经常校正。主要是技术陈旧,国内材料科学相对落后造成的,温度稳定性不好;还有一个量程跨度小,国内的不超过3个数量级。第三是国产规娇气,容易坏,有油污进去很难清洗,要用丙酮,清洗挽救13往往会报废,小量程的23会坏。所以,我们需要有一种具有国产价格、进口品质的、使用方便、经久耐用薄膜真空计。结合我国国情、学习国际先进的真空测量新技术,我们能够做得到的。分析国外的薄膜真空计与我们旧式国产产品的有什么不同呢?简单说一说,其核心技术一是陶瓷薄膜电容真空压力测量技术、二是现代智能仪表技术。首先是通过大规模厚膜电路(国内有些厂家还是20年前的007运放),将薄膜电容测量机构和传感器调理电路微型化,做在陶瓷基片上,另外,将智能仪表电路微型化,一次仪表和二次仪表合二为一,所以量程宽、精度高、体积小;(其典型代表如莱宝62x、英福康TCBG等等)。未完待续

  • 谈谈薄膜真空计(1)

    薄膜真空计是迄今为止唯一得到公认的可作为低真空测量(0.01--100Pa)工作副标准的一种真空仪器,也是我国唯一具有法定计量校准检定规程的一种真空度计量器具(校准参照规程:Q/WHJ46-1998标准型电容薄膜真空计校准规程)电容薄膜真空计是一种绝压、全压测量的真空计,原理是把加于电容薄膜上的压力变化产生膜片间距离的变化,即产生了电容的变化,再通过鉴频器把电容变化转换成为电流或电压的变化,组成为输出信号,所以,它的测量是直接反映了真空压力的变化值,而且只与压力有关,与气体成分无关,即:薄膜真空计是一种直接测量式的、全压型的真空计。而我们的真空设备的真空度测量控制常用的真空计往往是电阻计、热偶计等等间接测量的真空计,是一种热传导型的真空测量方法,简单一点来说,就是通过测量感受气体温度的方法来间接测量气体压强(真空度),是一种类似于大家很熟悉热电阻、热电偶的测量方法,。由于测量原理上的先天不足,这类真空计的测量精度、测量稳定度是很不好的。其测量误差一般比薄膜真空计大1~2个以上数量级(误差大于30%,行业标准是50%),尤其是在低真空段,误差更大,另外,使用过电阻计、热偶计的度知道,这些仪表测量前还需要零点、满度校正,怎么能够用于在线测量控制呢?另外,遇到氢气等小质量的气体就无法测量了,如果要测,也查表换算,到底真空度是多少?猜吧。不过,它确实也有它的优点的:制造容易、价格低廉,在许多的要求较低真空设备上还普遍使用着,……用过电阻计的都领教过它的烦心。许多人抱怨花了3、4千元买到进口的真空传感器也误差大、毛病多?就是因为老外的这个价位的产品还是老的热传导测量机理的真空传感器。所以选择真空计、真空传感器、首先要看看什么原理、什么类型的,而不是数字、智能,测量机理陈旧,再怎么数字、怎么智能,也于事无补的。未完待续

  • 怎样选用有机薄膜电容器?

    要怎样选用有机薄膜电容器呢?其实薄膜电容器的选用取决于施加的最高电压,并与电压波形、电流波形、频率,环境温度等因素有关。   1 电容器的额定电压: 指在额定温度范围内可以连续施加到电容器的最高直流电压或脉冲电压的峰值。考虑到可靠性降额使用要求,通常要求实际工作电压应小于80%的额定电压值。我司曾有个别机型选用不当造成异常失效事故。   2.电容器的工作电流选择: 通过电容器的脉冲(或交流)电流I=dQ/dt=C×dV/dt,由于电容器存在损耗,在高频和高脉冲条件下使用时,通过电容器的电流会使电容器的自身发热,严重时将会有热击穿等(冒烟、起火)的危险,因此使用中还受到电容器额定电流的限制。通常规格书中会给出电容器单次脉冲电流(用dv/dt值给出)和连续电流(用峰峰值IP-P给出),使用时必须确保这两个电流都在允许范围之内。如果无法确定实际工作电流波形与规格书中波形的对应关系,可用电容器工作的自身温升来确定,通常对聚酯类电容,允许自身温升在小于10C的条件下使用。对于聚丙烯电容,允许在自身温升在小于5C的条件下使用。(实际测量应在电容器端面引线焊接部位表面测试)   3.电容器容量和引线跨距的选择:   1) 容量选取必须符合E24系列值范围内:   1.0, 1.1, 1.2,1.3, 1.5,1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.6, 3.9,4.3, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1共24级,其中下面画横线的为E12系列值,为优选系列值。   2)容量取值范围应符合各类电容器通用规格书中给出的容量范围 : 不同厂家提供的规格书,其容量的上、下限范围可能略有不同,但如果容量选取值已明显低于该型号的下限值,则应在陶瓷电容器中选取,反之如容量值已高于该型号的上限值,则应在电解电容器中选取。   3)引线成型脚距的选取: 不同型号不同规格的有机薄膜电容器,其引线自然间距P 在厂家规格书中都有确定的数值,但在实际使用中,根据PCB装配要求,可以要求厂家成型供货,我司的27类编号中D3项即给出的成型后脚距F的尺寸要求。但由于使用者不考虑电容的自然脚距P的实际数值,随意制订成型脚距F值,导致许多不合理成型尺寸存在,即影响工艺装配效果,又给供应商供货造成了极大困难,须引起使用者的高度重视,并要求成型脚距F应尽可能接近电容的自然脚距P,且必须遵循下列成型标准:   当P≥F时,P-F≤8mm(F值为2.5的整数倍);   当P

薄膜电容真空计相关的耗材

  • 数字真空计
    数字真空计为皮拉尼式真空计,即电阻式真空计,并带有控制功能。产品型号数字真空计技术参数1、输入电压:110V-220V2、测量范围:10-4torr-1000torr3、接口:1/8″NPT产品规格尺寸:?48.3mm×104.7mm注意事项在测量腔体真空度为10-4torr-10-3torr前,必须进行零点校准,否则显示真空度会有较大的偏差。
  • 数字真空计安装变径
    数字真空计安装变径用于真空计的安装。
  • TDK贴片电容
    ————————————————————————————————TDK电容-C系列一般 (Up to 75V)Type: C0402 [01005 inch]、C0603 [0201 inch]、C1005 [0402 inch]、C1608 [0603 inch]、C2012 [0805 inch]、C3216 [1206 inch]、C3225 [1210 inch]、C4532 [1812 inch]、C5750 [2220 inch TDK电容系列概要TDK积层陶瓷贴片电容器的C系列,是由诱电体材料以及内部电极、导电材料相互积层的表面贴装 (SMD)产品。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。又因其简单的构造,跟其他种类电容相比具有更低的ESR、 ESL,频率特性良好。目前可以做到100uF的大容量,满足薄膜电容和电解电容的容量领域。 ■特点&bull 单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。&bull 由于ESR,ESL低,频率特性良好,更有利于设计与理论值的相近的回路。&bull 低ESR带来的低自发热,可以耐更高的纹波电流。&bull 无极性。 ■应用&bull 一般电子设备&bull 移动设备&bull 服务器、电脑、平板电脑&bull 电源电路____________________________________________________________________________________________购买须知:亲,电子产品众多,型号无法--上传上架,找不到的型号,可以联系我们业务员。链接图片仅供参考,具体请以收到的实物为准!——————————————深圳市谷京科技有限公司
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