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最近踩有磁控溅射镀铜,想分析薄膜的参与应力,采用Jade6.5测试了微观应力及晶粒尺寸,选择黄继武老师教材里面建议的用两组平行的晶面作拟合后计算,但是方差很大,显然结果不对,现在心里很没底,想请教下有没有大牛做过这方面的工作,我看到有些大牛采用其他的仪器测试的薄膜应力,甚至还有三位的图出来,都是怎么测怎么算的啊?
样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]
不知道有没有用XRD测量过薄膜残余应力朋友,求指点一下,我的薄膜是TiAlN/CrN多层膜,厚度只有1um,本人采用sin2(fai)法的方法测过,但是过程由于薄膜太薄,没有薄膜的峰信息,只有基底峰,不知有没有人遇到过类似情况,求指导!!或者能告诉我北京哪里可以做这方面的测试?谢谢!!