Hakuto 离子蚀刻机 伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, 伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100离子蚀刻机 IBE 主要型号 伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.型号4 IBE7.5 IBE16 IBE20 IBE-CMEL 3100样品数量尺寸4”φ, 1片4”φ, 1片6”φ, 1片4”φ, 6片6”φ, 4片3”φ-6”φ,1片离子束入射角度0~± 900~± 900~± 900~± 90-考夫曼离子源KDC 40KDC 75KDC 160考夫曼型-极限真空度 Pa≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦8x10-5Pfeiffer 分子泵抽速 l/s35035012501250-均匀性≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%离子蚀刻机特性:1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源, 保障蚀刻速率和均匀性2. 干式制程, 物理蚀刻的特性3. 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.4. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.通 Ar 时, 对各种材料的刻蚀速率NS 离子刻蚀机 20IBE-J 视频离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频离子蚀刻机应用 薄膜磁头 Thin film Magnetic Head, 自旋电子学 Spintronics, MR Sencer微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems射频设备 RF Devices, 光学组件 Optical Component, 超导电性 Super Conductivity Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109
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