原子层沉积设备

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原子层沉积设备相关的厂商

  • 400-860-5168转6134
    南通宏腾微电子技术有限公司(NTHT Semiconductor Technologies Limited)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商。南通宏腾微电子技术有限公司所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。南通宏腾微电子目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪; - 快速退火炉; - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉; - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机 - 探针台,低温探针台,微探针台; - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机; - 磁控溅射镀膜机; - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备; - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪;-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机光刻胶光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机 等等…
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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  • 公司名称(现用名):北京维意真空技术应用有限责任公司公司名称(曾用名):北京科立方真空技术应用有限公司覆盖区域:北京、天津、河北 北京维意真空技术应用有限责任公司,原名北京科立方真空技术应用有限公司,创立于2013年,位于中国首都北京密云经济技术开发区,主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分,是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的专业性的公司,公司拥有一支专业、优秀的产品技术工程师和维修技术工程师,具有丰富的行业经验,同时还与北京工业大学联合研发等离子体增强化学气相沉积系统,与北京交通大学联合研发原子层沉积系统,满足高校、研究所的教学、科研使用,同时减少相关进口设备的市场占有率,并力争创造外汇,打出中国创造的名牌! 我们的客户遍布北京各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域尖端的实验室,期待您就是我们的下一位客户、朋友! 您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!技术创新、业务专业、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成一流的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积系统和原子层沉积系统供应商。
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原子层沉积设备相关的仪器

  • ALD原子层沉积设备-SVT 400-860-5168转1311
    美国SVT公司ALD原子层沉积系统自1990年来薄膜淀积设备顶级制造商。拥有独立的室内实验室用于材料研究和工艺开发。提供广泛的服务,包括淀积设备、淀积部件、集成传感器以及工艺控制设备制造和工艺技术的高度结合,为客户提供可靠的技术服务实验室7台应用淀积设备生长出世界级的材料多条设备生产线几乎覆盖了整个薄膜淀积设备市场在薄膜淀积领域拥有超过120台设备的顶级供应商。NorthStar ALD系统介绍:NorthStar ALD原子层沉积系统提供各种淀积方法,包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔,使其应用范围极为广泛。设备的快速舱口盖或装载室(可选件)使样品操作快捷方便。NorthStar ALD系统不但能跟其他设备连接起来,还能连接多种测量仪器。原位测量工具以及RoboALD软件自动化系统提高了工艺的再现性。可以直接升级至超高真空提供工艺演示以及工艺培训服务为潜在客户提供免费样品测试。应用领域:High-K电介质纳米涂层MEMS光子晶体扩散阻挡层器件封装表面改性层技术参数:为科研客户量身打造最先进的原子层沉积系统。提供4"、6"、8"、12"等多种尺寸的样品平台。针对客户的需求,提供多种输气设计。---可控真空度: 1 Torr to UHV---气道加热---气体快速进出---样品尺寸: 4in standard, optional 12in---基底加热: up to 300 ℃, optional higher temp主要特点:最安全的设计,多样化的配置,全方位的测试手段。精确的控制手段打造完美的成膜质量。强大的科研团队铸就领先的科技实力。---气体离子化---臭氧输送装置---石英振荡器---四重质量分光计---实时温度显示---椭偏仪---进样室
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  • 用于沉积纳米级薄膜、纳米粉末包覆、长深孔样品镀膜 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生产型ALD 具备近100种膜层工艺。应用领域: 芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、5G通讯(SAW器件)、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等,细分及对应膜层如下: -High-K介电材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3) -导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN) -金属互联结构 (Cu WN,TaN,Ru,Ir) -催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5) -纳米结构 (All ALD Material) -生物医学涂层 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN) -金属 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni) -压电层 (ZnO,AlN,ZnS) -透明电学导体 (ZnO:Al,ITO) -紫外阻挡层 (ZnO,TiO2) -光子晶体 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5) -防反射滤光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5) -电致发光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce) -工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3,ZrO2) -光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO) -传感器 (SnO2,Ta2O5) -磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3,ZrO2,WS2) -OLED钝化层 (Al2O3)功能特点:-采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜-一个循环周期小于2秒钟-可以沉积有机高分子材料,实现表面亲疏水性-可以在纳米粉末或纳米颗粒上沉积薄膜-可以在三维、不规则体、带有长深孔(深宽比2500:1)样品上沉积薄膜-可以沉积低饱和蒸汽压材料-可增加在线椭偏仪和QCM检测-可增加等离子体装置-可扩展臭氧产生器-可集成手套箱设备-可增加Load-lock自动上下载片装置可沉积膜层: 氧化物氮化物硫化物 金属/碲化物
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  • 台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的纳米技术,以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统,在小巧的机身(78 x56 x28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计, 使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点:■ 300℃ 铝合金热壁,对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶,200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4,6,8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号:GEMStar -4 XT:■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管, 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT:■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P:■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管, 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑,只需风冷,高运行功率达300W。■ 标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE:* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管, 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料,以及厚样品的沉积丰富配件:多样品托盘:* 多样品夹具,样品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。* 多基片夹具,多同时容纳9片基片。 温控热托盘:* 可加热样品托盘,高温度500℃,可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘: 臭氧发生器: 真空进样器(Load Lock) 晶振测厚仪 前驱体瓶: 前驱体加热套:
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原子层沉积设备相关的资讯

  • 盛美上海推出新型热原子层沉积立式炉设备
    9月28日消息,国产半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商——盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“盛美上海”)今日宣布其对300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展,研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积(ALD)功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。公司还宣布,首台Ultra Fn A立式炉设备已于本月底运往中国一家先进的逻辑制造商,并计划于2023年底通过验证。盛美上海董事长王晖表示:“随着逻辑节点的不断缩小,越来越多的客户为满足其先进的工艺要求,努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一,是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力,我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备,以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台,搭载差异化创新设计,软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅(SiN)和碳氮化硅(SiCN)薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程,以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低,且台阶覆盖率良好,与其他实现模式相比,Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。
  • 常州大学150.00万元采购物理气相沉积,原子层沉积
    详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态:公告 更新时间: 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在(常州中宇建设工程管理有限公司)获取采购文件,并于2023年1月31日上午9点00分(北京时间)前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号:ZYJS-ZC2023192 2.项目名称:ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式:竞争性磋商 4.项目预算金额:人民币150万元 项目最高限价:人民币150万元;供应商最终报价时总价不得高于最高限价,否则作为无效响应处理。 5.采购需求:本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD,是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体,从而实现厚度可控(纳米尺寸级别)的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备(包括现场踏勘、技术核对等)、产品(包括备品备件、专用工具)、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产(采购)、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限:自合同签订之日起28周以内供货完毕,并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体:□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应:◆是 □否。 二、申请人的资格要求(须同时满足) 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形: 1.1未被“信用中国”网站(WWW.creditchina.gov.cn)或“中国政府采购网”网站(www.ccgp.gov.cn)列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单; 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商(包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人,母公司、全资子公司及其控股公司),不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求: 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额,提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行:______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求(如有):____/_______。 3.本项目的特定资格要求: 3.1本项目接受进口产品投标,供应商所投设备为进口产品的,应提供以下之一的证明材料: 1)如供应商为所投设备的授权经销(代理)商,必须提供生产(制造)商或上级经销(代理)商授权供应商的授权书,并提供逐级经销(代理)商的证书复印件; 2)如供应商为本项目的授权供应商,必须提供生产(制造)商或授权经销(代理)商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销(代理)商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应:□是 ◆否; 3.3 其他特定资格要求:无 4.本项目是否属于政府购买服务: ◆否 □是,公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织,不得作为承接主体; 5.其他特定资格要求:无。 三、获取采购文件 时间:2023年1月9日至2023年1月16日(采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日),每天上午8:30至11:30,下午13:30至17:00(北京时间,法定节假日除外) 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇财务室 方式:(供应商可采取以下任一种方式获取采购文件) (1)线上获取(推荐使用):供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记,注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息,并按要求交纳采购文件费用,上述步骤完成后,供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取:将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后,采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名:常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行:中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号:1105052609000510202 财务室电话(查询标书款情况):0519-85782855 (3)现场获取地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇财务室。 售价:人民币壹佰元/份(从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号),采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料: ①供应商信息表(格式见公告附件1) 四、响应文件提交 截止时间:2023年1月31日上午9点00分(北京时间)。 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间:2023年1月31日上午9点00分(北京时间)。 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策:_/__。 2.现场勘察及澄清: 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商,均应在2023年1月17日上午11:30前按采购公告中的通讯地址,一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构,否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改,采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商,因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求: 正本份数:1份,副本份数:3份;响应文件应按顺序胶装成册,并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否,响应文件均不退回。 中标(成交)公告发布前,成交供应商须将响应文件电子档(PDF格式,含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件,与正本响应文件完全一致的电子档)发至邮箱:zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求,进场后请保持安全距离,分散等候,不得扎堆聚集,事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距,尽量缩短工作时间,会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资: 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》(常财购〔2021〕13号)等有关文件精神,我市实行政府采购信用融资,将信用作为政策工具引入政府采购领域,金融机构根据政府采购项目中标(成交)通知书或中标(成交)合同,为中标(成交)中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问,请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称:常州大学 地 址:常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式:诸葛祥群 联系电话:15161156879 2.采购代理机构信息 名 称:常州中宇建设工程管理有限公司 地 址:常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式:0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人:左学文、包婷 电 话:0519-85785155 注:上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件:供应商信息表.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容:物理气相沉积,原子层沉积 开标时间:null 预算金额:150.00万元 采购单位:常州大学 采购联系人:点击查看 采购联系方式:点击查看 招标代理机构:常州中宇建设工程管理有限公司 代理联系人:点击查看 代理联系方式:点击查看 详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态:公告 更新时间: 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在(常州中宇建设工程管理有限公司)获取采购文件,并于2023年1月31日上午9点00分(北京时间)前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号:ZYJS-ZC2023192 2.项目名称:ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式:竞争性磋商 4.项目预算金额:人民币150万元 项目最高限价:人民币150万元;供应商最终报价时总价不得高于最高限价,否则作为无效响应处理。 5.采购需求:本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD,是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体,从而实现厚度可控(纳米尺寸级别)的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备(包括现场踏勘、技术核对等)、产品(包括备品备件、专用工具)、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产(采购)、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限:自合同签订之日起28周以内供货完毕,并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体:□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应:◆是 □否。 二、申请人的资格要求(须同时满足) 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形: 1.1未被“信用中国”网站(WWW.creditchina.gov.cn)或“中国政府采购网”网站(www.ccgp.gov.cn)列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单; 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商(包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人,母公司、全资子公司及其控股公司),不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求: 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额,提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行:______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求(如有):____/_______。 3.本项目的特定资格要求: 3.1本项目接受进口产品投标,供应商所投设备为进口产品的,应提供以下之一的证明材料: 1)如供应商为所投设备的授权经销(代理)商,必须提供生产(制造)商或上级经销(代理)商授权供应商的授权书,并提供逐级经销(代理)商的证书复印件; 2)如供应商为本项目的授权供应商,必须提供生产(制造)商或授权经销(代理)商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销(代理)商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应:□是 ◆否; 3.3 其他特定资格要求:无 4.本项目是否属于政府购买服务: ◆否 □是,公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织,不得作为承接主体; 5.其他特定资格要求:无。 三、获取采购文件 时间:2023年1月9日至2023年1月16日(采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日),每天上午8:30至11:30,下午13:30至17:00(北京时间,法定节假日除外) 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇财务室 方式:(供应商可采取以下任一种方式获取采购文件) (1)线上获取(推荐使用):供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记,注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息,并按要求交纳采购文件费用,上述步骤完成后,供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取:将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后,采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名:常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行:中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号:1105052609000510202 财务室电话(查询标书款情况):0519-85782855 (3)现场获取地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇财务室。 售价:人民币壹佰元/份(从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号),采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料: ①供应商信息表(格式见公告附件1) 四、响应文件提交 截止时间:2023年1月31日上午9点00分(北京时间)。 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间:2023年1月31日上午9点00分(北京时间)。 地点:常州钟楼区大仓路65号(博济五星智造园)8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策:_/__。 2.现场勘察及澄清: 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商,均应在2023年1月17日上午11:30前按采购公告中的通讯地址,一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构,否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改,采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商,因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求: 正本份数:1份,副本份数:3份;响应文件应按顺序胶装成册,并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否,响应文件均不退回。 中标(成交)公告发布前,成交供应商须将响应文件电子档(PDF格式,含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件,与正本响应文件完全一致的电子档)发至邮箱:zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求,进场后请保持安全距离,分散等候,不得扎堆聚集,事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距,尽量缩短工作时间,会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资: 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》(常财购〔2021〕13号)等有关文件精神,我市实行政府采购信用融资,将信用作为政策工具引入政府采购领域,金融机构根据政府采购项目中标(成交)通知书或中标(成交)合同,为中标(成交)中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问,请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称:常州大学 地 址:常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式:诸葛祥群 联系电话:15161156879 2.采购代理机构信息 名 称:常州中宇建设工程管理有限公司 地 址:常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式:0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人:左学文、包婷 电 话:0519-85785155 注:上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件:供应商信息表.docx
  • 科普系列:选择性原子层沉积技术
    p  很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道,选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷,详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说,选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应,即由于ALD的化学反应特性,薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说,在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如,等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟,但对于选择性ALD来说,成核延迟现象却被放大了。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 234px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title="02.jpg" height="234" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp  有意思的是,虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象,但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂,这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。/pp  strong以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念:/strong/pscript src="https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461&siteid=D9180EE599D5BD46&autoStart=false&width=600&height=490&playerid=2BE2CA2D6C183770&playertype=1" type="text/javascript"/scriptp  那么问题来了,人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。strong我相信我们系统中的一些功能会很有用,例如:/strong/pp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制/pp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO)/pp ◆ 将氢基作为抑制剂:在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长/pp ◆ 氟化物等离子体:将CFX或F作为抑制剂,在前驱物注入前使用此等离子体,或进行选择性ALD生长时,即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru,H2等离子体可刻蚀ZnO)。/pp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入/pp ◆ 多腔体集成系统,比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用/pp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压/pp  strong牛津仪器的设备可实现优异的控制效果,包括:/strong/pp ◆ 通过MFC,快速ALD阀门和快速自动压力控制,可获得精准可调的前驱物/气体注入,以实现一面成核另一面不成核的现象。/pp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度,以使抑制现象长时间不受影响。/pp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。/pp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备:椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法/pp  基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题,我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象,通过结合选择性ALD及其他工艺,可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如,通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯,或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD),可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL,结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说,我很期待能有令人惊喜的新发现,新结构和新材料能在可控的方式下诞生。/p

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  • 原子层沉积(ALD)
    原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术,使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。原子层沉积ALD有两个特征 自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。原子层沉积的优势原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程,完全控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现可实现针孔和无颗粒沉积一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的,例如:氧化物:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2氟化物:MgF2, AlF3有机杂化材料:Alucone氮化物:TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN金属:Pt, Ru, Pd, Ni, W硫化物:ZnSALD工具比较Feature功能OpALFlexAL基板**200毫米晶圆**200毫米晶圆液体和固体的前驅物**4路+水、臭氧和气体**8路+水,臭氧和气体**前驅物温度200oC200oC拥有快速传递系统Mfc控制下的气体管道:1)热气体的前体(例如,NH3, O2)2)等离子气体(例如,O2, N2,H2)2个内部结构。多达8个外部安装气路多达10个外部安装气路等离子体选择/現地升级选项載片开腔闭锁或片匣可集群其他流程模块不可可以- 第三方公司MESC模块作为特殊选择载盘温度范围25oC – 400oC25oC – 400oC (部分550oC)椭偏仪接口可以可以快速脉冲ALD阀门接头套管10 ms可以可以原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 兩款。
  • 脉冲激光沉积用准分子激光器
    IPEXTM 840/860 PLD系列 脉冲激光沉积用准分子激光器Excimer Lasers for Pulsed Laser Deposition基于轻工机械最畅销的Ipex系列工业级准分子激光器,为PLD应用优化了激光器优秀的光束匀称性,脉冲到脉冲能量稳定和短脉冲持续时间在所有重复率能量恒定最长气体寿命和最低运行成本的ICONTM(在镍集成陶瓷)技术EasyClean自动光学密封,以保持填充气体,减少维护时停机时间高亮度镜头,适用于要求低光束发散或延长相干长度定制光束传输系统IPEX-840/860系列准分子激光器在脉冲激光沉积(PLD)领域展现了优异的性能、耐用性、可靠性和满足研究人员和系统集成商要求的易于集成性能。稳定性能得到可靠PLD结果:能量恒定IPEX-840/860系列激光器的指定脉冲能量从单脉冲到最大重复频率都是恒定的。这与其他有竞争力的激光器智能在地重复频率能量恒定和能量岁脉冲重复率上升而快速下降形成鲜明对比。LightMachinery的方法使PLD的工艺参数与激光重复率是一个恒量。恒定脉冲稳定性在PLD应用中,脉冲能量受一个先进的能量监视器监控,能够准确的调节放电电压和混合气体,在任何操作条件,包括PLD需要的突发脉冲,恒定输出能量。指向性恒定不变高稳定性使镜片座能够有200m-radian指向稳定性和光学维护后不需要调制光束角度光束质量稳定性IPEX-840/860系列激光器的光束强度分布被设计为边缘陡峭,顶部平坦,特别是激光管寿命的微小变化。PLD光束传输系统我们可以针对任何特定的PLD要求提供完整的激光传输系统规格设备电源: 单相,200-240V,20A,50/60Hz冷却水:5 litres/minute,5-20℃,40-60psig激光气体:预混合气,具体请联系我们
  • 电子显微镜专用用碳沉积
    CARBON FILL,MGIS碳沉积(多支气体注入系统专用)用于原厂电子显微镜多支气体注入系统,碳沉积(多支气体注入系统专用)是一种存放碳化合物的容器,将药品加热到一定温度,药品气化,在真空压差和可控阀门的作用下,将药品气体喷洒在样品表面,同时在离子束的诱导作用下将碳分子沉积在样品表面。以实现对样品表面形貌的保护,或对样品进行导电处理。大束科技是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场,此外,还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务,以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源(电子显微镜灯丝)、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
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