紫外光刻机

p　　6月21日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。/pp　　极紫外(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。/pp　　长春光机所自上世纪九十年代起专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，形成了极紫外光学的应用技术基础。2002年，研制国内第一套EUV光刻原理装置，实现了EUV光刻的原理性贯通。2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作，成员包括中科院光电技术研究所、中科院上海光学精密机械研究所、中科院微电子研究所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学。/pp　　项目研究团队历经八年的潜心钻研，突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台，圆满完成国家重大专项部署的研究内容与任务目标，实现EUV 光学成像技术跨越，显著提升了我国极紫外光刻核心光学技术水平。同时，项目的实施形成了一支稳定的研究团队，为我国能够在下一代光刻技术领域实现可持续发展奠定坚实的技术与人才基础。/pp　　验收会上，长春光机所所长贾平诚挚地感谢了与会专家及各合作单位对项目的大力支持。贾平指出从时机及技术难度方面考虑，EUV项目的布局正处于窗口期，希望国家给予持续稳定的支持。鼓励项目参研单位进一步发挥EUV学科优势，鼓足勇气并肩奋斗，在后续支持下取得更好的成果。/pp　　02专项总体组技术总师、中科院微电子所所长叶甜春做总结发言。叶甜春强调，在国际上EUV光刻大生产基地已经建立的形势下，我国EUV光刻研究要继续坚持下去，面向未来产业工程化需求，着力点要放在必须掌握的核心技术和有可能取得创新的突破点。此外，叶甜春评价光刻机队伍是承担最核心、最高端、最艰巨任务的队伍，也是专项团队中最有战斗力、最能抗压、最值得信任的主力部队。鼓励项目团队肩负重大任务的责任与使命感，继续坚持勇攀高峰。/pp　　02专项光刻机工程指挥部总指挥、前科技部副部长曹健林到会并致辞。作为国内最熟悉EUV光刻的领域专家，曹健林对我国EUV光刻技术能力的提升感到欣喜，他认为中国已初步具备光刻技术的研发能力，并向着产业化目标前进，30年前的“中国光刻梦”正在逐步变为现实，通过我国光刻技术研发能力的建设初步树立了坚持“中国光刻梦”的信心。/p

一、项目基本情况　　项目编号：GXZC2022-J1-002004-GXJX　　项目名称：广西师范大学凝聚态物理科研设备采购项目　　采购方式：竞争性谈判　　预算总金额（元）：1511800　　采购需求：　　标项名称:广西师范大学凝聚态物理科研设备采购　　数量:1　　预算金额（元）:1511800　　简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：无掩模板紫外光刻机、气相色谱仪、低温恒温器、1200℃双温区开启式管式炉等设备，如需进一步了解详细内容，详见竞争性谈判文件中《采购项目技术规格、参数及要求》。　　最高限价（如有）：1511800　　合同履约期限：自签订合同之日起120个日历日内必须到货，并全部安装调试合格完毕。　　本项目（否）接受联合体投标　　备注：/　　二、申请人的资格要求：　　1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；　　2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无　　3.本项目的特定资格要求：无　　三、获取采购文件　　时间：2022年07月11日至2022年07月15日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外）　　地点（网址）：http://www.zcygov.cn（政采云平台）　　方式：供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件）。如在操作过程中遇到问题或需技术支持，请致电政采云客服热线：400-881-7190 。　　售价（元）：0　　四、响应文件提交　　截止时间：2022年07月15日 09:30（北京时间）　　地点（网址）：通过“政采云”平台在线提交响应文件。　　五、响应文件开启　　开启时间：2022年07月15日 09:30（北京时间）　　地点：广西建信建设项目管理有限公司开标室（广西桂林市秀峰区翠竹路77号耀和荣裕写字楼2栋13楼）通过“政采云”平台在线解密开启。　　六、公告期限　　自本公告发布之日起3个工作日。　　七、其他补充事宜　　1.对在“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)等渠道列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，不得参与政府采购活动。　　2.单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。除单一来源采购项目外，为本采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动。　　3.本项目需要落实的政府采购政策：　　3.1本项目非专门面向中小微企业采购，《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库[2020]46号）、《广西壮族自治区财政厅关于贯彻落实政府采购支持中小企业发展政策的通知》（桂财采〔2022〕31号）。　　3.2《关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库[2014]68号）。　　3.3《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库[2017]141号）。　　4.信息公告发布媒体：http://www.ccgp.gov.cn（中国政府采购网）、http://zfcg.gxzf.gov.cn（广西壮族自治区政府采购网）。　　5.响应文件解密：响应文件提交截止时间后，“政采云”平台自动提取所有供应商响应文件，各供应商须在提交响应文件截止后30分钟内（2022年7月15日9时30至10时00分)，登录“政采云”平台，通过“项目采购-开标评标”功能解密电子响应文件。若供应商在规定时间内无法解密或解密失败或超时解密的，系统默认自动放弃，响应文件按无效响应文件处理。　　6.本项目需要供应商代表在响应文件提交截止时间当天，按谈判小组要求及时登陆“政采云”平台等候在线谈判及提交最后报价。　　7.“政采云”平台在线响应（电子响应）相关事宜说明：　　7.1本项目实行全流程电子化采购，供应商通过“政采云”平台参与在线响应（电子响应），并应做好以下相关准备工作：①在“政采云”平台注册成为正式供应商（操作方法详见广西壮族自治区政府采购网—办事服务—办事指南）；②完成CA证书申领和绑定（费用由供应商自行承担，办理流程详见广西壮族自治区政府采购网—办事服务—下载专区，完成CA证书办理预计一周左右，建议供应商尽快办理）；③下载“广西壮族自治区全流程电子招投标项目管理系统--供应商客户端”（操作方法详见广西壮族自治区政府采购网—办事服务—下载专区，以下称“政采云电子投标客户端”）并安装成功，供应商应当在提交响应文件截止时间前在“政采云”平台完成的身份认证，确保能够对相关数据电文进行加密和使用电子签章；④自备计算机和网络设备并确保能接入互联网（费用由供应商自行承担，设备确保可进行视频通话和读取政采云CA证书）。因供应商未做好相关准备工作等自身原因导致无法参加本项目在线响应（电子响应）或响应失败的，造成的一切后果，由供应商自行承担。　　7.2在线响应（电子响应）具体操作流程参考《政府采购项目电子交易管理操作指南-供应商》（详见广西壮族自治区政府采购网—办事服务—下载专区-广西壮族自治区全流程电子招投标项目管理系统--供应商客户端）；如遇平台技术问题详询400-881-7190。　　7.3电子响应标文件的制作、加密、提交等相关事宜详见第二章“谈判供应商须知”。　　八、凡对本次招标提出询问，请按以下方式联系　　1.采购人信息　　名 称：广西师范大学　　地 址：广西桂林市雁山区雁中路1号　　项目联系人：辛裕煜　　项目联系方式：0773-3696563　　2.采购代理机构信息　　名 称：广西建信建设项目管理有限公司　　地 址：广西桂林市秀峰区翠竹路77号耀和荣裕写字楼2栋13楼　　项目联系人（询问）：邓桂艳　　项目联系方式（询问）：0773-2886298

近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。 与采用波长193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，极紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式设计，其结构由大约由40层Mo和Si组成的多层膜构成。在浸没式光刻技术的技术节点上，基板制造和掩模制造已足够成熟，掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的水平。但是在EUV光刻系统中，由于反射率及掩模阴影效应的限制，掩模基板缺陷是影响光刻成像质量、进而导致良率损失的重要因素之一。 基于以上问题，微电子所韦亚一研究员课题组与北京理工大学马旭教授课题组合作，提出了一种基于遗传算法的改进型掩模吸收层图形的优化算法。该算法采用基于光刻图像归一化对数斜率和图形边缘误差为基础的评价函数，采用自适应编码和逐次逼近的修正策略，获得了更高的修正效率和补偿精度。算法的有效应性通过对比不同掩模基板缺陷的矩形接触孔修正前后的光刻空间像进行了测试和评估，结果表明，该方法能有效地抑制掩模基板缺陷的影响，提高光刻成像结果的保真度，并且具有较高的收敛效率和掩模可制造性。 基于本研究成果的论文Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm近期发表在《光学快报》期刊上[Optics Express, Vol. 29, Issue 18, pp. 28872-28885 (2021)，DOI: 10.1364/OE.434787]，微电子所博士生吴睿轩为该文第一作者。微电子所韦亚一研究员为该文通讯作者。此项研究得到国家自然科学基金、国家重点研究开发计划、北京市自然科学基金、中科院的项目资助。图1 (a)优化算法流程 (b)自适应分段策略样例 (c) 自适应分段的合并与分裂 图2 (a)对不同大小的基板缺陷的补偿仿真结果 (b) 对不同位置的基板缺陷的补偿仿真结果 (c) 对复杂图形的基板缺陷的补偿仿真结果 (d) 对不同位置的基板缺陷的补偿、使用不同优化算法，目标函数收敛速度的比较