紫外光刻机

URE-2000/30D 型（定制）紫外光刻机产品技术规格2．外形尺寸：约 1400mm（长） 900mm(宽)  1800mm（高） 3．配置 设备主要由均匀照明曝光系统、工件台系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设 备构成

产品简介当代集成电路的发展进程中，紫外光刻技术起着不可替代的作用。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。常规光刻机需要定制光学掩模板，不但价格高，且灵活性差。任何设计上的变动，都需要重新制造掩模板。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机最小分辨率可达1 μm（光刻镜头B），高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩模板设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。系统结构图 TTT-07-UV Litho-ACA的光刻实例产品亮点1、高精度、真紫外曝光 2、光刻图案设计灵活3、所见即所得的精准套刻4、超大面积拼接5、灰度曝光6、高稳定性，操作便捷系统升级选项1、激光光源2、主动隔振平台3、三维重构观测4、手套箱内集成关键技术指标（TTT-07-UV Litho-ACA）曝光机基础参数曝光光源405nm LED数字掩模板分辨率1920×1080像素光刻参数观测镜头大范围样品观测2.6 mm×1.7 mm光刻镜头A1.5 μm（确保值），0.4 mm×0.4 mm，20 mm2/min（50%占空比）光刻镜头B1 μm（确保值），0.16 mm×0.16 mm，3 mm2/min（50%占空比）显微观测参数照明光源强光LED相机大靶面工业相机，实时图像采集尺寸测量线宽测量套刻参数精准套刻单画幅套刻精度：350nm（指引光）全画幅套刻精度：500nm（全局畸变矫正算法）套刻指引520 nm/620 nm，实时虚拟曝光投影，实现所见即所得运动台参数电动位移台类型：高性能无铁芯直线驱动电机行程：150 mm步进精度：50 nm（直线光栅尺精度）双向重复定位精度：±100 nm自动对焦模组机器视觉智能主动对焦功能支持样品厚度：0-15 mm（运动台行程20 mm）定位精度：50 nm旋转位移台类型：手动行程：细调范围±5°，粗调范围320°电动物镜切换线轨支持三个物镜的快速切换（200 ms）重复定位精度优于300 nm基片参数支持基片尺寸3 mm×3 mm（最小），150 mm×150 mm（最大）其他参数软件全自动光刻控制软件集成深度定制的矢量图转像素图软件设备尺寸设备主体：79 cm（长）×70 cm（宽）×68 cm（高）机柜：60 cm（长）×80 cm（宽）×100 cm（高）设备重量200 kg设备外壳UV防护外壳附属配件含光学平台，电脑，无线键鼠，真空泵环境控制机体内除湿装置安装要求温度20 – 40℃湿度RH 60 %电源220V，50Hz应用示例?微流道芯片?二维材料的电极搭建?微纳结构曝光?太赫兹/毫米波器件制备?电输运测试/光电器件测试?光学掩模板的制作

产品详情德国Eulitha高分辨紫外光刻机PhableR 100 科研/生产兼用 简介： PhableR 100 紫外光刻机是一套低成本的光学曝光系统，但却能获得高分辨率的周期性结构。同传统的紫外曝光机类似，涂覆了光刻胶的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于Eulitha公司拥有突破性的PHABLE 曝光技术，在"PHABLE"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，从而曝光出亚微米的线性光栅和二维光栅（六角形和正方形），且曝光结果非常均匀，质量很 好；在"mask aligner"模式下，能非常轻松地获得微米尺寸的图形。 特点： 高效的大面积亚微米-纳米图形化设备 操作简单、工作稳定，兼容科研及批量生产 纳米周期性图案解决方案 优势： 大面积图形化设备：适用4、6、8寸衬底 高曝光效率：非步进式曝光，无拼接，单次全场曝光实现整片图形化 高精度：光学衍射自成像原理，突破传统曝光精度极限 非接触式曝光 设备没有景深限制，曝光过程无需对焦 双工作模式（UV375机型）：高分辨模式（周期性纳米-微米结构），一般紫外光刻模式（非周期结构） 设备采用通用的商业光刻胶，根据客户的图形，提供工艺技术支持。 技术指标： 光源 UV375nm DUV266nm DUV193nm分辨率 125nm 75nm 62nm周期范围 250-3000nm 150-2500nm 125-2000nm操作方式 手动装片-自动曝光 参数设置 触摸屏基片尺寸 最大4、6、8英寸（尺寸向下兼容） PhableR 100 晶圆级光子学结构的曝光工具 应用： 图形化蓝宝石衬底（PSS） DFB布拉格光栅 减反层图形 显示滤光片Color Filter 线栅偏振Wire Grid Polarizer（WGP） 光子晶体 磁性纳米结构 太阳能光伏 生物传感器 AR、VR技术

1.产品介绍桌面微型光刻机，专为微米级图案制作而设计，旨在保障卓越的图形转移精度。设备采用紫外LED冷光源，结合双非球面石英透镜，可生成半角2°的平行光，相较传统接触式曝光机，其极致紧凑的体积将移形换影置于桌面之上，为操作提供了便利与精准。该光刻机广泛适用于微流控芯片、MEMS器件、光电子器件以及声表面波器件等制备领域。其性能尤其适合高校、科研院所以及企业展开微细加工工艺研究。紧随现代技术的步伐，桌面微型光刻机的问世为微纳加工注入了新的活力，助力客户在项目目标的实现过程中迈向更高精度、更具创新性的阶段。2.技术参数曝光光源:紫外LED光源波长:365nm 曝光面积:4英寸、6英寸可选 曝光方式:单面接触式定时曝光 曝光分辨率:2um 曝光强度:30~120mW/cm² 可调；曝光不均匀性:≤5% 光源平行性:≤2°；光源寿命:20000h 电源输入:AC220V+10V，50HZ功率:250W；重量:约22kg；外形尺寸:382(长)*371(宽)*435(高)；工作环境:温度0℃-40℃，相对湿度80%

奥地利EVG 紫外光刻机EVG620，双面对准单面曝光

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

美国 OAI 光刻机 Model 200 型桌面掩模对准器系统 完全手工操作。输出光谱范围:Hg: G(436海里),H(405海里),I(365nm)和310nm线，Hg-Xe: 260nm和220nm或LED: 365nm, 395nm, 405nm。衬底从块大小8平方。互换抛掷和面具。紫外灯功率范围从200到2000 w。选择紫外LED光源(365 nm和405 nm)。空气轴承真空吸盘。接近(15-20um): & lt 3.0 - 5.0, 软接触:2.0um，硬触点:1um和真空接点:≤0.5um。对齐模块X, Y,和Z轴和θ。双通道光学反馈。只提供正面接触w / IR选项。可用在桌面选项只适用于研发及独立工作。.占用空间小。适用于生物学、微机电系统、半导体和 Microfludics CLiPP应用程序 Model 200 Table Top Mask Aligner SystemComplete Manual Operation。 Output Spectra Range: Hg: G (436nm), H (405nm),I(365nm) and 310nm lines, Hg-Xe: 260nm and 220nm orLED: 365nm, 395nm and 405nm。Substrate Sizes from Pieces to 8” sq。 Interchangeable chucks and mask holders。 UV Lamp Power range from 200 to 2,000W。Option for UV LED (365nm and 405nm) Light Source。 Air bearing vacuum chuck。 Proximity (15-20um): 3.0 – 5.0um, Soft Contact:2.0um, Hard contact: 1um and vacuum contact : ≤ 0.5um。Alignment module X, Y, and Z axis and theta。 Dual-channel optical feedback。 Provides Front side exposure only w/ IR Option。 Available in Table top option only and applicable for R&D and standalone work。 Small Footprint。 Applicable for Biology, MEMS, Semiconductor and Microfludics, CLiPP application

SUSS MicroTec 掩模对准器以其成熟的曝光光学系统成为高品质和高对准精度的代名词。产品线从科研和开发设备，到全自动大规模生产系统。SüSS MicroTec 的掩模对准器系统主要用于 MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。张生 SUSS MicroTec 的掩模对准和键合对准平台不仅能将掩模对准晶圆，还能让两个晶圆可靠地相互对准。设备可处理 300 mm 以下各种材料、任意厚度的衬底和晶圆。借助大量附加功能，掩模对准器不仅能满足多样化的工艺要求，还具有灵活的配置选项。MA6/BA6 紫外曝光机/光刻机Perfect Low-Cost Solution: • High Accuracy • Good Optical performance• latest processes (e.g. UV-NIL) Addressed Markets: • MEMS • Telecommunications• Compound Semiconductors• Nano Imprint Lithography Technical Data • Wafer size: up to 150 mm / 6′′ (round)• Min. pieces: 5 x 5mm• Mask size: SEMI spec, standard up to 7′′ x 7′′ (SEMI) Exposure Modes • Contact: soft, hard, low vacuum, vacuum • Proximity : exposure gap 1-300 μmOptics • UV250, UV300, UV400 and broadband optics• Intensity Uniformity ± 5% on 100mm• Constant power or constant intensity• Lamp sizes: 200W, 350W, 500W (for UV250)• Resolution down to 0,4 μm L/S (vacuum contact, UV250) Alignment• Top Side Alignment (TSA) Bottom Side Alignment (BSA) Infrared Alignment (IR) Vacuum • TSA alignment accuracy: 0.5μm (with SUSS recommended wafer targets) • BSA:down to 1μm• Alignment gap:1–1000μm

SUSS MicroTec 掩模对准器以其成熟的曝光光学系统成为高品质和高对准精度的代名词。产品线从科研和开发设备，到全自动大规模生产系统。SüSS MicroTec 的掩模对准器系统主要用于 MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。SUSS MicroTec 的掩模对准和键合对准平台不仅能将掩模对准晶圆，还能让两个晶圆可靠地相互对准。设备可处理 300 mm 以下各种材料、任意厚度的衬底和晶圆。借助大量附加功能，掩模对准器不仅能满足多样化的工艺要求，还具有灵活的配置选项。张先生 MA6/BA6 紫外曝光机/光刻机Perfect Low-Cost Solution: • High Accuracy • Good Optical performance• latest processes (e.g. UV-NIL) Addressed Markets: • MEMS • Telecommunications• Compound Semiconductors• Nano Imprint Lithography Technical Data • Wafer size: up to 150 mm / 6′′ (round)• Min. pieces: 5 x 5mm• Mask size: SEMI spec, standard up to 7′′ x 7′′ (SEMI) Exposure Modes • Contact: soft, hard, low vacuum, vacuum • Proximity : exposure gap 1-300 μmOptics • UV250, UV300, UV400 and broadband optics• Intensity Uniformity ± 5% on 100mm• Constant power or constant intensity• Lamp sizes: 200W, 350W, 500W (for UV250)• Resolution down to 0,4 μm L/S (vacuum contact, UV250) Alignment• Top Side Alignment (TSA) Bottom Side Alignment (BSA) Infrared Alignment (IR) Vacuum • TSA alignment accuracy: 0.5μm (with SUSS recommended wafer targets) • BSA:down to 1μm• Alignment gap:1–1000μm

OAI的面板级掩模光刻机 Model 6020S, 用于FOPLP型号6020S -半自动化或自动化,实现500mm x 500mm晶圆尺寸的FO-PLP加工. OAI’s Panel Level Mask Aligner for FOPLP Model 6020S - Semi or AutomatedEnabling FO-PLP Processing at 500mm x 500mm Wafer Sizes OAI掩模对准器，不同的印刷方式 距离: 间隙可设置在一个非常宽的范围内，增量精度1μM软接触: • 基材被带入非常柔软的机械接触曝光时的掩模。通过接触力可调软件设置金属触点: • 接触额外的氮气压力真空接触: • 真空级别控制接触力。真空度为由用户设置OAI Mask AlignersVarious Printing ModesPROXIMITY: • THE GAP IS SETTABLE OVER A VERY WIDE RANGE WITH AN INCREMENTAL PRECISION OF 1μM SOFT CONTACT: • SUBSTRATE IS BROUGHT INTO VERY SOFT MECHANICAL CONTACT WITH THE MASK DURING EXPOSURE. THE CONTACT FORCE IS ADJUSTABLE VIA SOFTWARE SETTINGSHARD CONTACT:• CONTACT WITH ADDITIONAL N2 pressure VACUUM CONTACT: • VACUUM LEVEL CONTROLS THE CONTACT FORCE. LEVEL OF VACUUM IS SET BY USER

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

URE-2000 系列紫外单面光刻机此系列包含六种型号：URE-2000A,URE-2000B,URE-2000/35,URE-2000/35A,URE-2000/25,URE-2000/17 URE-2000/600 紫外光刻机 1、设备主要技术指标：(1)光束口径： 650mm×650mm(2)有效曝光面积：600mm×600mm(3)分辨力：≤3μm(4)对准精度：±1.5μm(5)对准显微镜中心距：75mm-600mm 可调(6)掩模尺寸：650mm×650mm(7)样片尺寸：可适应Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm，厚度为 0.2mm～20mm 的多种规格样片；(8)光源不均匀性：≥ 95%（Ф600mm）(9)掩模相对于样片运动行程：X: ±15mm Y: ±15mm Z：15mm Φ: ±10o(10)曝光面光强：15mW/cm2（i、g、h 线）(11)汞灯功率：2500W（直流）(12)曝光量设定方式：定时（倒计时方式 0.1s-9999.9s,设定精度 0.1s） 2．技术主要组成部分大面积精细胶模图形结构成型机组成主要由：高均匀照明曝光系统、对准工件台系统、CCD 对准系统、计算机控制系统、气动控制系统及辅助设备构成。各系统构成与配置如下: （1）高均匀照明系统包括：。冷光椭球镜；。2500W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。 XYZ 汞灯调节台；。光学系统：椭球反射镜、光栏、快门、平面冷光反射镜 1、平面冷光反射镜 ，2、蝇眼透镜组、抛物面冷光反射镜；。冷却风扇；。循环水冷系统。 （2）对准工件台系统包括：? 掩模样片相对运动台；? 转动台；? 样片调平机构,自动完成；? 样片调焦机构，自动调整；? 承片台 10 个：Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 及 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm；? 掩模夹 1 个：650mm×650mm；? 抽拉式上下片机构。 （3）CCD 对准系统包括：? 光源、电源；? 显微镜工作台；? 成像光学系统（两套）；? 数据采集卡；? CCD 图像处理部件（两套）。 （4）电控系统包括：? 大功率汞灯触发电源；? 单片机控制系统；? 薄膜开关面板；? 控制柜桌； （5）气动系统包括：? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等；? 电磁阀驱动部件；? 气动显示仪表。 （6）其他配套附件? 真空泵一台（无油泵、SK-65C 型）；? 空压机一台（静音型、YB-W30 型）；? 水冷机一台（H35W 型）；? 配套接口管道 二、URE-2000/A12 紫外光刻机 1、设备主要技术指标： (1) 曝光面积： 300mm×300mm；（2）分辨力： ±2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸： 7 英寸、9 英寸、13 英寸；（5）样片尺寸： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 10mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）光源平行度：＜2°；（13）曝光方式：定时（倒计时方式 0.1s—9999.9s）；（14）光刻版夹具兼容性 2．技术主要组成部分 （1）曝光头系统包括:? 冷光椭球镜；? 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；? XYZ 汞灯调节台；? 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；? 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:? 掩模样片相对运动台；?（XY），转动台；? 样片调平机构；? 样片调焦机构；? 承片台 3 个： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；? 掩模夹 3 个： 7 英寸、9 英寸、13 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:?4 倍显微镜 2 只；?照明光源 2 套；? CCD 相机 2 只；?22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：? 汞灯触发电源(1000W)；? 单片机控制系统；? 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件?真空泵一台；?空压机一台；? 配套气管 10m； 三、URE-2000/A8 紫外光刻机 1、设备主要技术指标： (1) 曝光面积： 200mm×200mm；（2）分辨力：±2 μm；（3）对准精度：±2 μm；（4）掩模尺寸：5 英寸、7 英寸、9 英寸；（5）样片尺寸：4 英寸、6 英寸、8 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Φ: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 15mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）曝光方式：定时（倒计时方式 0.1s—999.9s）；（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 2．技术主要组成部分 （1）曝光头系统包括:? 冷光椭球镜；? 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；? XYZ 汞灯调节台；? 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；? 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:? 掩模样片相对运动台；?（XY），转动台；? 样片调平机构；? 样片调焦机构；? 承片台 3 个： 4 英寸、6 英寸、8 英寸；? 掩模夹 3 个：5 英寸、7 英寸、9 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:?4 倍显微镜 2 只；?照明光源 2 套；? CCD 相机 2 只；?22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：? 汞灯触发电源(1000W)；? 单片机控制系统；? 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:? 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件?真空泵一台；?空压机一台；? 配套气管 10m； 四、URE-2000A 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：150mmX150mm?曝光波长：365nm?分辨力：0.8-1μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±0. 6μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm（各种不规则片）厚度 0.1mm--5mm(可拓展至 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式），0.1s-9999s?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 2.5%（ ±100mm 范围），5%（±150mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程： X: ±5mm Y: ±5mm Φ: ±6 度?最大胶厚：500 μm(SU8 胶)?光源平行性：1.2°?曝光能量密度：18mW/cm2?冷却方式：循环水+风冷?曝光面温度：30°C?汞灯功率：1000W（直流，进口 2．外形尺寸：1400mm（长）?1200mm(宽) ?1950mm（高） 3．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?1000W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗,长寿命型)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、场镜 2、冷光反射镜 1、反射镜 2?循环水冷系统 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?样片调焦机构，自动调?承片台 4 个（2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸）?掩模夹 4 个（3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸）?基片抽拉式上下片机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个） （4）CCD 对准系统(选配)?光源（配备品 3 只）、电源?成像光学系统（两套）?数据采集卡?三维工件台（两套）?CCD（2 只） （5）电控系统?汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌?计算机系统及液晶显示器 （6）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （7）其他附件?真空泵一台（无油泵）?空压机一台（静音泵） 五、URE-2000B 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：100mmX100mm?曝光波长：365nm?分辨力：0.8μm（胶厚 2μm 的正胶）?对准精度：±0.6μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm（各种不规则片）厚度 0.1mm--6mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 2.5%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜 3 对：4 倍、10 倍、20 倍； 目镜 3 对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程： X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6 度?最大焦厚：600 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行度：1.2o?曝光能量密度：20mW/cm ?汞灯功率：1000W（直流，进口） 2．外形尺寸：1400mm（长）?1200mm(宽) ?1950mm（高） 3．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?1000W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?样片自动调焦机构?承片台 4 个（?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?基片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜及 CCD 对准系统?光源、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD?21 英寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪 （6）其他附件?真空泵一台（无油泵）?空压机一台（静音泵）?管道 （7）技术资料?使用维修说明书。? 显微镜使用说明书 六、URE-2000/35 型光刻机 1．技术特征——非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，自动化程度高）和高校教学科研（可靠性好，演示方便）采用自动找平，具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能，自动分离对准间隙和消除曝光间隙，采用 350W 进口（德国）直流汞灯，可调节光的能量密度。设备外形美观精制，性能非常可靠，自动化程度很高，操作十分方便。 2．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：0.8?m?对准精度：?0. 8?m?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ?10mm-- ?100mm(各种不规则片)，厚度 0.1mm--5mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 3%（?100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：400 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：20mW/cm2,照明面温度35 o?单层曝光一键完成?采用球气浮自动找平?汞灯功率：350W（直流，进口汞灯） 3．外形尺寸：1200mm（长）±900mm(宽) ±1750mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(进口)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,自动完成?基片抽拉式上下机构?样片调焦机构，电机自动调?承片台 4 个：±15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减） （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 七、URE-2000/35A 型光刻机 1．技术特征——非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，全自动）和高校教学科研（可靠性好，演示方便）采用自动找平，具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能，自动分离对准间隙和消除曝光间隙，采用 350W 进口（德国）直流汞灯，可调节光的能量密度。设备外形美观精制，性能非常可靠，自动化程度很高，操作十分方便。 2．技术参数?曝光面积：6 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1-1.2μm（胶厚 2 μm的正胶）?对准精度：±0.8μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm（各种不规则片），厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能?照明不均匀性： 6%（±150mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和曝光间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：350μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：15mW/cm2,照明面温度35 o?单层曝光一键完成?采用球气浮自动找平?汞灯功率：350W（直流，进口） 3．外形尺寸：1200mm（长）?900mm(宽) ?1750mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,三点自动完成?样片调焦机构，电机自动调?基片抽拉式上下机构?承片台 4 个：?15mm 、3 英寸、4 英寸、6 英寸（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸（可按用户要求增减） （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 八、URE-2000/35L 型光刻机 一、 主要技术参数： （1）曝光面积：100mm×100mm；（2）照明不均匀性： ±3%（ ±100mm 范围）；（3）分辨力：1.0μm（胶厚 2.0 μm 的正胶，365nm 波长）（4）对准精度：≤±0.8μm；（5）掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸；（6）样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm、厚度 0.1mm--6mm；（7）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф:±6°；（8）掩模样片整体运动范围：X：6mm Y:6mm（9）曝光光源：紫外 LED（进口）；（10）曝光波长：365nm；（11）曝光强度：≥20mW/cm2；（12）曝光定时：倒计时方式(0.1s—9999.9s 任意设定).（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 二、技术构成与配置设备由曝光头系统、对准工件台系统、CCD 对准显微镜系统、电控系统、气动系统等部分构成。 （1）曝光头系统包括:◆ 进口紫外 LED 光源模块；◆ LED 光源整形模块；◆ XYZ 光源位置调节台；◆ 光学系统（含整形模块、可变光栏、电子快门、蝇眼透镜组（79 个透镜）、场镜组、反射镜组）；◆ 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括：◆ 掩模样片相对运动台（XY）；◆ 转动台；◆ 样片调平机构，采用三爪加球气浮自动调平方式；◆ 样片调焦机构，采用电机加传感器方式，可数字分离曝光间隙；◆ 承片台 4 个（?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸各 1 个）；◆ 掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸各 1 个）。 （3）CCD 对准显微镜系统包括：◆ 对准光源 LED 灯；◆ 双目双视场对准显微镜主体；◆ 目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）；◆ 物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）；◆ CCD 部件；◆ 22 英寸宽屏液晶显示器。 （4）电控系统包括：◆ 单片机控制系统；◆ 紫外 LED 电源模块；◆ 控制柜桌。 （5）气动系统包括：◆ 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关、电磁阀驱动、气动仪表等 。 (6)．辅助设备配置:◆ 真空泵 1 台（干泵）；◆ 静音空气压缩机 1 台；◆ 配套接管 10m； (7)．备品备件◆ 对准光源灯 4 只（LED-1W，不包括机器自带的两只）； 九、URE-2000/35AL 型光刻机 一、 主要技术参数：（1）曝光面积：150mm×150mm；（2）照明不均匀性： ±4%（ ±150mm 范围）；（3）分辨力：1.0μm（365nm 波长）（4）对准精度：≤±0.8μm；（5）掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸；（6）样片尺寸：直径 ±15mm-- ±150mm、厚度 0.1mm--6mm；（7）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф:±6°；（8）掩模样片整体运动范围：X：6mm Y:6mm（9）曝光光源：紫外 LED（进口）；（10）曝光波长：365nm；（11）曝光强度：≥15mW/cm2 ；（12）曝光定时：倒计时方式(0.1s—9999.9s 任意设定).（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 二、技术构成与配置设备由曝光头系统、对准工件台系统、CCD 对准显微镜系统、电控系统、气动系统等部分构成。 （1）曝光头系统包括:◆ 进口紫外 LED 光源模块；◆ LED 光源整形模块；◆ XYZ 光源位置调节台；◆ 光学系统（含整形模块、可变光栏、电子快门、蝇眼透镜组（79 个透镜）、场镜组、反射镜组）；◆ 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括：◆ 掩模样片相对运动台（XY）；◆ 转动台；◆ 样片调平机构，采用三爪加球气浮自动调平方式；◆ 样片调焦机构，采用电机加传感器方式，可数字分离曝光间隙；◆ 承片台 4 个（2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸各 1 个）；◆ 掩模夹 4 个（3 英寸、4 英寸、5 英寸、7 英寸各 1 个）。 （3）CCD 对准显微镜系统包括：◆ 对准光源 LED 灯；◆ 双目双视场对准显微镜主体；◆ 目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）；◆ 物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）；◆ CCD 部件；◆ 22 英寸宽屏液晶显示器。（4）电控系统包括：◆ 单片机控制系统；◆ 紫外 LED 电源模块；◆ 控制柜桌。 （5）气动系统包括：◆ 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关、电磁阀驱动、气动仪表等 。 (6)．辅助设备配置:◆ 真空泵 1 台（干泵）；◆ 静音空气压缩机 1 台；◆ 配套接管 10m； (7)．备品备件◆ 对准光源灯 4 只（LED-1W，不包括机器自带的两只）； 十、URE-2000/30 型光刻机 1．技术特征?高倍率双目双视场显微镜和 22 英寸宽屏液晶显示同时观察对准过程，并提供 USB 输出；既满足高精度对准，又可用于检测曝光结果，且曝光结果和方便存储?采用倒置式照明，更换汞灯更方便，散热和防漏光效果更好?对准位和曝光位双工位工作，双工位自动切换?采用嵌入式计算机+触摸屏操作，操作更方便，更时尚?上下片、版十分方便，自动化程度高，操作简便。对高校教学科研（可靠性好，演示方便）及工厂(效率高)尤为适宜 2．技术参数?曝光面积：100mm×100mm（可升级为 6 英寸）?曝光波长：365nm?分辨力：≤1 μm（胶厚 1.5 μm 的正胶）?对准精度：±0.6 μm?显微镜扫描台运动范围：X：10mm Y:10mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm（各种不规则片），厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能30?照明不均匀性： 3%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?曝光对准双工位自动切换?调平接触压力通过传感器保证重复?数字设定对准间隙和间隙?具备压印模块接口，也具备接近模块接口?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6o?最大焦厚：400 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3 o?曝光能量密度：25mW/cm2,照明面温度35 oC?单层曝光一键完成?采用球气浮+三爪找平?汞灯功率：350W（直流，进口） 3．外形尺寸：1400mm（长）±900mm(宽) ±1500mm（高） 4．配置 （1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?光刻机底座?工位切换台（气缸）?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,三点自动完成?样片调焦机构，电机自动调?基片抽拉式上下机构?承片台 4 个：?15mm 、?40mm、?60mm、?100mm（可按用户要求增减）?掩模夹 4 个：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减）?样片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 对准系统，22 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制面板?控制柜桌 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?配套接口管道 十一、URE-2000/25 型光刻机 1．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1 μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±0.8μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm(各种不规则片)，厚度 0.1mm--6mm?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?照明不均匀性： 3%（ ±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：4 倍、10 倍、20 倍?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф : ±6o?最大焦厚：350μm（SU8 胶，用户提供检测条件）?光源平行性：3.5 o?曝光能量密度：20mW/cm2,照明面温度35 o?汞灯功率：350W（直流，进口） 2．外形尺寸：1200mm（长）?900mm(宽) ?1750mm（高） 3．配置（1）曝光头?冷光椭球镜?350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?冷却风扇?光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、场镜 2、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构, 手动?样片调焦机构，手动?承片台 3 个（?50mm 、?75mm 、 ?100mm）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?基片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、 电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?CCD 及 21 英寸液晶显示器?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个） （4）电控系统?汞灯触发电源(350W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制箱 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?空压机一台?管道 十二、URE-2000/17 型光刻机（台式） 1．技术参数?曝光面积：4 英寸?曝光波长：365nm?分辨力：1.5μm（胶厚 2 μm 的正胶）?对准精度：±1μm?掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm?掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸?样片尺寸：直径 ±15mm-- ±100mm，厚度 0.1mm--6mm(可扩展为 15mm)?曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量?照明不均匀性： 5%（±100mm 范围）?双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍?掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Ф: ±6 度?汞灯功率：200W（直流）?曝光能量密度：6mW/cm 2．外形尺寸：650mm（长）±600mm(宽) ±900mm（高）36 3．配置 （1）曝光头?200W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)?XYZ 汞灯调节台?光学系统?冷却风扇 （2）对准工件台?掩模样片整体运动台?掩模样片相对运动台?转动台?样片调平机构,手动?样片调焦机构，手动?承片台 3 个（?50mm 、?75mm 、 ?100mm ）?掩模夹 4 个（2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸）?掩模抽拉式上下机构 （3）对准显微镜?光源（配备品 2 只）、电源?双目双视场对准显微镜主体?目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）?物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）?CCD（台湾）?21 寸液晶显示器 （4）电控系统?汞灯触发电源(200W 直流汞灯)?单片机控制系统?控制机箱 （5）气动系统?气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等?电磁阀驱动?气动仪表 （6）其他附件?真空泵一台?管道

光刻技术中的聚焦控制一、引言光刻技术在集成电路量产制造中有着重要作用。随着集成电路产业的快速发展，对光刻机性能的要求也越来越高。由瑞利判据可知，通过减小曝光波长或增大数值孔径能获得更高的光刻分辨率。为了得到更高的分辨率，光刻机逐渐从接触式曝光、接近式曝光、步进重复投影曝光发展到当前采用的主流步进扫描投影曝光。为了保证曝光质量，在光刻机曝光过程中必须使硅片表面位于焦深范围内，否则会严重影响集成电路的生产良率。因此，需采用调焦测量系统测量硅片表面高度，在曝光时通过轴向调节承载硅片的工件台的高度，使其处于投影物镜的最佳焦面处。曝光波长越小，数值孔径越大，光刻分辨率就越高，但同时会导致焦深变小，对焦控制精度要求也越来越高。随着对焦控制精度的提升，采用的调焦调平测量技术从早期的机械轮廓仪接触式测量以及声学、电容原理、激光干涉的非接触式测量，逐渐发展为目前主流基于光学三角法的测量。机械接触式测量易造成硅片缺陷和污染，声波波长太长会限制分辨率，电容传感器过于依赖基板的电气特性，误差较大，激光干涉易受环境影响且后端解调电路复杂、实时性差，基于光学三角法的调焦调平测量技术具有工艺适应性较强，不涉及复杂的图像处理算法，测量速度快和测量精度高等优势，成为国内外光刻机厂商采用的主流技术。二、测量原理和系统组成基于光学三角法的调焦调平测量原理如图1所示。测量光束以较大的角度θ入射到硅片表面，经硅片表面反射后被探测器接收。王向朝,戴凤钊.集成电路与光刻机[M].北京:科学出版社,2020图1光学三角法的测量原理探测器上的图像位置随硅片表面高度偏移而变化，根据几何关系可知，当硅片表面高度变化h时，探测器上的图像位移∆ x可表示为通过测量光束在探测器上的图像位移变化量可计算硅片表面的高度信息。光刻机曝光时，根据获得的硅片形貌实时调整工件台的高度，保证硅片曝光位置始终处在投影物镜的最佳焦面处。三、数字无掩模光刻机的聚焦控制数字无掩模光刻机的典型特征是采用空间光调制器替代传统投影式光刻机中的掩模板进行曝光，其他结构与传统光刻机基本相同。空间光调制器是一种由大量独立控制单元构成的用于调整光强分布的光电器件，可以根据需要进行编程，得到待复制图形，该调制器在此可看作为数字化掩模板。数字光刻常见的空间光调制器有两种，一种是液晶显示器件（LCD），另一种是数字微反射镜装置（DMD），其中DMD相较于LCD而言，它的分辨率、对比度、亮度更高，因此获得广泛应用，基于DMD的光刻系统如图2所示。目前这种光刻机主要应用在印刷电路板（PCB）、泛半导体和掩模板制造等领域。图2 DMD光刻系统数字光刻系统中镜头与工件台的相对关系仅依靠调焦调平传感器的测量结果，因此镜头上下调节过程中，调焦传感器零位必须与镜头的最佳曝光面同时运动且严格保持一致。四、托托科技数字无掩膜光刻机托托科技（苏州）有限公司是一家专注于显微光学加工和显微光学检测领域的公司，在基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术领域中进行了数年的深入研究和技术积累。图3 托托科技数字无掩膜光刻机托托科技数字无掩模光刻机配备自主研发的高速主动对焦模块，搭配高精度运动电机，最小能够识别几十纳米级的高度变化，同时配合PID控制算法，可以实现光刻过程中的实时跟踪聚焦，保证光刻的精度和良率。另外由于垂轴运动电机本身的大行程，该主动对焦系统能够适配几十纳米到几毫米以内任意厚度的光刻衬底，具有广泛适应性。图4展示了托托科技数字无掩模光刻机制备4英寸高精度图形的能力。图4 托托科技展示8英寸光刻

URE-2000/A12 紫外单面光刻机 1、设备主要技术指标：(1) 曝光面积： 300mm×300mm；（2）分辨力：±2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸： 7 英寸、9 英寸、13 英寸；（5）样片尺寸： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X:±5mm Y: ±5mm Thelta: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 10mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）光源平行度：＜2°；（13）曝光方式：定时（计时方式 0.1s—9999.9s）；（14）光刻版夹具兼容性 2．技术主要组成部分（1）曝光头系统包括:。冷光椭球镜；。 德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；。 XYZ 汞灯调节台；。 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；。 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:。 掩模样片相对运动台；。（XY），转动台；。 样片调平机构；。 样片调焦机构；。承片台 3 个： 6 英寸、8 英寸、12 英寸；。 掩模夹 3 个： 7 英寸、9 英寸、13 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:。4 倍显微镜 2 只；。照明光源 2 套；。 CCD 相机 2 只；。22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：。 汞灯触发电源(1000W)；。 单片机控制系统；。控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:。 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件。真空泵一台；。空压机一台；。配套气管 10m；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

URE-2000/A8 紫外单面光刻机 1、设备主要技术指标：(1) 曝光面积： 200mm×200mm；（2）分辨力：≤ 2μm；（3）对准精度：±2μm；（4）掩模尺寸：5 英寸、7 英寸、9 英寸；（5）样片尺寸：4 英寸、6 英寸、8 英寸；（6）wafer chuck 表面：防止光反射涂层；（7）掩模样片整体运动范围：X：10mm Y:10mm；（8）掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm Thelta: ±6°；（9）汞灯功率：1000W（直流）；（10）曝光能量密度：≥ 15mW/cm 2 ；（11）曝光峰值波长:365nm；（12）曝光方式：定时（计时方式 0.1s—999.9s）；（13）调平接触压力通过传感器保证重复（14）数字设定对准间隙和曝光间隙（15）具备压印模块接口，也具备接近模块接口 2．技术主要组成部分（1）曝光头系统包括:。 冷光椭球镜；。德国 OSRAM1000W 直流高压汞灯；。XYZ 汞灯调节台；。 光学系统（冷光紫外平面反射镜、快门、蝇眼透镜组、冷光紫外抛物面反射镜）；。 冷却风扇。 （2）对准工件台系统包括:。掩模样片相对运动台；。（XY），转动台；。 样片调平机构；。 样片调焦机构；。 承片台 3 个： 4 英寸、6 英寸、8 英寸；。 掩模夹 3 个：5 英寸、7 英寸、9 英寸。 （3）CCD 对准显微镜系统包括:。4 倍显微镜 2 只；。照明光源 2 套；。 CCD 相机 2 只；。22 英寸液晶显示器。 （5）电控系统：。 汞灯触发电源(1000W)；。 单片机控制系统；。 控制柜桌。 （6）气动系统系统包括:。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关，电磁阀驱动，气动仪表等 （7）其他配置与附件。真空泵一台；。空压机一台；。 配套气管 10m；

URE-2000/30 型紫外单面光刻机 1．技术特征。高倍率双目双视场显微镜和 22 英寸宽屏液晶显示同时观察对准过程，并提供 USB 输出；既满足高精度对准，又可用于检测曝光结果，且曝光结果和方便存储。采用倒置式照明，更换汞灯更方便，散热和防漏光效果更好。对准位和曝光位双工位工作，双工位自动切换。采用嵌入式计算机+触摸屏操作，操作更方便，更时尚。上下片、版十分方便，自动化程度高，操作简便。对高校教学科研（可靠性好，演示方便）及工厂(效率高)尤为适宜 2．技术参数。曝光面积：100mm×100mm（可升级为 6 英寸）。曝光波长：365nm。分辨力：≤1 μm（胶厚 1.5 μm 的正胶）。对准精度：±0.6 μm。显微镜扫描台运动范围：X：10mm Y:10mm。掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸。样片尺寸：直径Ф 15mm-- Ф 100mm（各种不规则片）厚度 0.1mm--6mm。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能30。照明不均匀性： 3%（Ф 100mm 范围）。双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。曝光对准双工位自动切换。调平接触压力通过传感器保证重复。数字设定对准间隙和间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口。掩模相对于样片运动行程： X: ± 5mm Y: ± 5mm Thelta: ± 6o。最大焦厚：400 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：3 o。曝光能量密度：25mW/cm2,照明面温度35 oC。单层曝光一键完成。采用球气浮+三爪找平。汞灯功率：350W（直流，进口） 3．外形尺寸：1400mm（长）x900mm(宽) x1500mm（高） 4．配置 （1）曝光头。冷光椭球镜。350W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台。光刻机底座。工位切换台（气缸）。掩模样片整体运动台。掩模样片相对运动台。转动台。样片调平机构,三点自动完成31。样片调焦机构，电机自动调。基片抽拉式上下机构。承片台 4 个：Ф 15mm 、Ф 40mm、Ф 60mm、Ф 100mm（可按用户要求增减）。掩模夹 4 个：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减）。样片抽拉式上下机构 （3）对准显微镜。光源、 电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 对准系统，22 寸液晶显示器 （4）电控系统。汞灯触发电源(350W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制面板。控制柜桌 （5）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （6）其他附件。真空泵一台。空压机一台。配套接口管道

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。

利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。托托科技的无掩模版光刻设备基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术，实现了高速、高精度、高灵活性的紫外光刻。

国产紫外单/双面光刻机URE-2000/A产品名称：URE-2000/A型紫外光刻机 技术特点： 该机采用i线紫外曝光光源，光学系统采用特殊的消衍射和线条陡直增强技术，采用积木错位蝇眼透镜实 现高均匀照明，并配备了双目双视显微镜和CCD图象对准系统（可同时使用），曝光能量高，聚光角度 小，突具厚胶曝光功能，曝光设定采用微机控制，菜单界面友好，操作简便。主要技术指标： 曝光面积：150mm×150mm 分辨力：0.8～1μm（胶厚1.5μm的正胶） 对准精度：±0.6μm 胶厚范围：~500μm（SU8胶） 掩模尺寸:3inch、4inch、5inch、7inch 样片尺寸：直径Ф15mm-Ф150mm、厚度0.1mm-6mm 照明均匀性：±3.5%Ф100mm)；±5.5%(Ф150mm) 汞灯功率：1000W（直流） 掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm θ: ±6°

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-Y是一款桌面型无掩膜版紫外光刻机。特征尺寸为1.5 µ m（光刻镜头A），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和2英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】桌面型光刻机无掩膜光刻2 英寸加工幅面特征尺寸1.2 μm【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】主动隔振平台手套箱内集成【安装要求】温度：20-40℃湿度：RH60%电源：220V，50Hz

TTT-07-UV Litho-ACA Pro无掩膜版紫外光刻机的特征尺寸为0.6 μm（光刻镜头C），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和高达6英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】高精度、真紫外曝光光刻图案设计灵活所见即所得的精准套刻超大面积拼接灰度曝光高稳定性，操作便捷【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件 二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】激光光源主动隔振平台3D重构观测手套箱内集成【安装需求】温度：20-40℃湿度：RH60% 电源：220V，50Hz

虹科ALE紫外光刻光源/曝光光源ALE/1C UV-LED 曝光系统提供与 1 kW 和 2 kW 汞弧灯的照明功率相匹配的最高输出水平一、主要特色：虹科 ALE/1C 是一种用于多用途工业应用的高强度非相干点光源。 它基于 UV-LED 技术，与传统的高压汞放电灯相比具有多种优势，例如降低功耗和发热、延长使用寿命以及减少整体设置维护。ALE/1C – UV-LED 曝光系统建立在平台概念之上，在其光路中最多可组合三个 UV-LED 发射器。 这些光源通常用于光刻工艺（半导体制造）和工业光固化应用。内置实现最高效率和性能闭环控制输出LED工艺稳定性和TOC优势无汞设计，未来可持续高达50W的宽带曝光（UV-LED 350-450nm） 二、实现最佳OEM集成的分段设计配置：ALE/1C 光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个或多个独立的曝光子系统 (ESS) 组成，非常紧凑，但功能极其强大：我们的 UV-LED 曝光头的这种设计原理实现轻松直接集成到您的设备中。 此曝光子系统发出的光可以与各种可用的光管、光导和其它（定制的）光学器件结合使用。2.1 控制子系统（CSS）有两个版本的 CSS 可用：独立单元和 4U 19″ 机架安装单元。 两个 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷却系统连接器和系统状态指示灯。 此外，机架安装版本在前面提供了一个曝光测试钥匙开关，无需外部控制信号即可激活光输出。2.2 曝光子系统（ESS）ALE/1C 光引擎是光管耦合点光源。 该系统具有紧凑的曝光子系统 (ESS)，可以轻松集成到您现有的设备（改装）或新设计中。 这个 UV-LED 光引擎连接到一个单独的控制子系统 (CSS)，提供控制和驱动固态发射器以及所有必需的光学组件所需的所有硬件和软件。三、出光选择与光学元件：我们提供一系列可与 ALE/1C ESS 结合使用的柔性液态光导、光管、匀化器和聚光光学器件。 如果您需要远距离传输高功率辐射、提高均匀性或想要调整输出辐射的准直角，这些组件特别有用。 四、标准光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm我们的标准 ALE/1C 设置将 UV-LED 发射器与汞光谱的 i、h 和 g 线 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波长相结合。 无论您是想在不更换滤光片的情况下切换波长、自定义输出光谱的组成，还是想利用非常强烈的宽带曝光，我们的 ALE/1C 都能为您提供 350 至 450 光谱范围内的最高 UV-LED 辐射输出我们的 ALE/1C 的总输出功率高达 40 W 或在冷却回路中添加外部冷却器时高达 50 W。ALE/1C 系统的光谱组成有多种选择。 最多可组合 3 个 LED 模块：近紫外（365、385、405、435 nm）、可见光（470、520、620、660、690 nm）NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）五、系统参数与规格：

URE-2000/600 紫外单面光刻机1、设备主要技术指标：(1)光束口径： 650mm×650mm(2)有效曝光面积：600mm×600mm(3)分辨力：≤3μm(4)对准精度： ±1.5μm(5)对准显微镜中心距：75mm-600mm 可调(6)掩模尺寸：650mm×650mm(7)样片尺寸：可适应Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm，厚度为 0.2mm～20mm 的多种规格样片；(8)光源不均匀性：≥ 95%（Ф600mm）(9)掩模相对于样片运动行程：X: ± 15mm Y: ± 15mm Z：15mm Thelta: ± 10o(10)曝光面光强：15mW/cm2（i、g、h 线）(11)汞灯功率：2500W（直流）(12)曝光量设定方式：定时（计时方式 0.1s-9999.9s,设定精度 0.1s） 2．技术主要组成部分大面积精细胶模图形结构成型机组成主要由：高均匀照明曝光系统、对准工件台系统、CCD 对准系统、计算机控制系统、气动控制系统及辅助设备构成。各系统构成与配置如下:（1）高均匀照明系统包括：。 冷光椭球镜；。2500W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台；。 光学系统：椭球反射镜、光栏、快门、平面冷光反射镜 1、平面冷光反射镜 2、蝇眼透镜组、抛物面冷光反射镜；。 冷却风扇；。 循环水冷系统。 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台；。 转动台；。 样片调平机构,自动完成；。样片调焦机构，自动调整；。承片台 10 个：Ф300mm、Ф450mm、Ф600mm 及 300mm×300mm；450mm×450mm；600mm×600mm；。 掩模夹 1 个：650mm×650mm；。 抽拉式上下片机构。 （3）CCD 对准系统包括：。 光源、电源；。 显微镜工作台；。 成像光学系统（两套）；。 数据采集卡；。 CCD 图像处理部件（两套）。 （4）电控系统包括：。 大功率汞灯触发电源；。单片机控制系统；。 薄膜开关面板；。 控制柜桌； （5）气动系统包括：。 气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等；3 。电磁阀驱动部件；。 气动显示仪表。 （6）其他配套附件。 真空泵一台（无油泵、SK-65C 型）；。 空压机一台（静音型、YB-W30 型）；。水冷机一台（H35W 型）；。 配套接口管道 3.相关技术资料：。设备使用及维护说明书。出厂检验合格证。

URE-2000S/A8 型紫外双面光刻机 主要技术参数。曝光面积：8 英寸。曝光波长：365nm： 15mW/cm，405nm：15-30mW/cm2。分辨力：1 μm 。对准精度：±2 μm （双面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （单面）。掩模尺寸：4 英寸、5 英寸，7 英寸，9 英寸。样片尺寸：3 英寸、4 英寸，6 英寸，8 英寸，厚度 0.1mm—2mm。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。调平接触压力通过传感器保证重复。 数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口。正面对准采用双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。底面面对准：采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像，物镜轴距范围 10mm-200mm。照明不均匀性：5%（Ф200mm 范围）。掩模相对于样片运动行程： X：±5mm Y：±5mm Thelta：±6 度 。最大胶厚：500 μm （SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：2°。具有循环水冷却系统。汞灯功率：1000W（直流，进口） 外形尺寸：1400mm（长）x1200mm(宽) x2000mm（高） 设备构成与配置明细设备主要由均匀照明曝光系统（曝光头）、对准工件台系统、双目双视场显微镜系统、底面 CCD 对准系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设备构成。 （1）曝光头系统包括：。冷光椭球镜。1000 W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇.。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 余个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台（XY）。转动台（θ）。样片自动调平机构。样片调焦机构?承片台 4 个 （3 英寸、4 英寸，6 英寸，8 英寸）。掩模架 4 个 （4 英寸、5 英寸，7 英寸，9 英寸）。掩模翻转及旋转机构 （3）对准显微镜（可选择带 CCD 型，目镜和监视器可同时观测）系统包括：。LED 照明及配套电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 及光学成像系统。XYZ 底面对准工件台（两套） （4）底面 CCD 对准系统。LED 照明及配套电源。CCD 及光学成像系统(2 套)。数据采集卡 （5）电控系统。汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌。计算机系统（22 英寸宽屏液晶显示器） （6）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （7）其他附件（选配）。真空泵一台（无油静音型）。空压机一台（无油静音型）。恒温循环水冷却系统。管道

URE-2000S/A 型紫外双面光刻机 主要技术参数。曝光面积：6 英寸。曝光波长：365nm： 20mW/cm，405nm：20-35mW/cm2。分辨力：1μm 。对准精度：± 2μm （双面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （单面）。掩模尺寸：3 英寸、4 英寸、5 英寸，7 英寸。样片尺寸：2 英寸、3 英寸、4 英寸，6 英寸，厚度 0.1mm—6mm。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。调平接触压力通过传感器保证重复。数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口7。正面对准采用双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。底面面对准：采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像，物镜轴距范围 10mm-148mm。照明不均匀性： 2.5%（Ф100mm 范围）, 3%（Ф150mm 范围）。掩模相对于样片运动行程： X：± 5mm Y：± 5mm Thelta：± 6 度。最大胶厚：500 μm （SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：2°。具有循环水冷却系统。汞灯功率：1000W（直流，进口） 外形尺寸：1400mm（长）x1200mm(宽) x2000mm（高） 设备构成与配置明细设备主要由均匀照明曝光系统（曝光头）、对准工件台系统、双目双视场显微镜系统、底面 CCD 对准系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设备构成。 （1）曝光头系统包括：。冷光椭球镜。1000 W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇.。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（109 余个透镜）、i 线滤光片、场镜、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台系统包括：。掩模样片相对运动台（XY）。转动台（θ）。样片自动调平机构。样片调焦机构。承片台 4 个 （2 英寸、3 英寸、4 英寸，6 英寸）8。掩模架 4 个 （3 英寸、4 英寸、5 英寸，7 英寸）。掩模翻转及旋转机构 （3）对准显微镜（可选择带 CCD 型，目镜和监视器可同时观测）系统包括：。LED 照明及配套电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 及光学成像系统。XYZ 底面对准工件台（两套） （4）底面 CCD 对准系统。LED 照明及配套电源。CCD 及光学成像系统(2 套)。数据采集卡 （5）电控系统。汞灯触发电源(1000W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌。计算机系统（22 英寸宽屏液晶显示器） （6）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （7）其他附件（选配）。真空泵一台（无油静音型）。空压机一台（无油静音型）。恒温循环水冷却系统。管道

URE-2000/35 型紫外单面光刻机 1．技术特征——非常适合工厂（效率高，操作傻瓜型，自动化程度高）和高校教学科研（可靠性好，演示方便）采用自动找平，具备真空接触曝光、硬接触曝、压力接触曝以及接近式曝光四种功能，自动分离对准间隙和消除曝光间隙，采用 350W 进口（德国）直流汞灯，可调节光的能量密度。设备外形美观精制，性能非常可靠，自动化程度很高，操作十分方便。 2．技术参数。曝光面积：4 英寸。曝光波长：365nm。分辨力：0.8μm。对准精度：±0. 8μm。掩模样片整体运动范围：X：15mm Y:15mm。掩模尺寸：2.5 英寸、3 英寸、4 英寸、5 英寸。样片尺寸：直径 ±10mm-- ±100mm(各种不规则片) 厚度 0.1mm--5mm(可扩展为 15mm)。曝光方式：定时和定剂量18。具备真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光，以及接近式曝光四种功能。照明不均匀性： 3%（±100mm 范围）。双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：10 倍、16 倍、20 倍。调平接触压力通过传感器保证重复。数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口 掩模相对于样片运动行程： X: ± 5mm Y: ± 5mm Thelta: ± 6o 。焦厚：400μm（SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：3.5 o。曝光能量密度：20mW/cm2,照明面温度35 o。单层曝光一键完成。采用球气浮自动找平。汞灯功率：350W（直流，进口汞灯） 3．外形尺寸：1200mm（长)x900mm(宽) x1750mm（高） 4．配置 （1）曝光头。冷光椭球镜。350W 进口直流高压汞灯(进口)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台 。掩模样片整体运动台。掩模样片相对运动台19。转动台。样片调平机构,自动完成。基片抽拉式上下机构。样片调焦机构，电机自动调。承片台 4 个：?15mm 、2 英寸、3 英寸、4 英寸（可按用户要求增减）。掩模夹 4 个：3 英寸、4 英寸、5 英寸（可按用户要求增减） （3）对准显微镜。光源（配备品 2 只）、 电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）。CCD 对准系统，21 寸液晶显示器 （4）电控系统。汞灯触发电源(350W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌 （5）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （6）其他附件。真空泵一台。空压机一台。管道

URE-2000S/25 型紫外双面光刻机技术参数。曝光面积：4 英寸。曝光波长：365nm： 40mW/cm，405nm：20-45mW/cm2。分辨力：1μm。正面对准采用双目双视场对准显微镜：既可通过目镜目视对准，也可通过 CCD+显示器对准，光学合像，光学最大倍数 400 倍，光学+电子放大 800 倍 物镜三对：4 倍、10 倍、20 倍 目镜三对：4 倍、10 倍、20 倍。底面面对准：采用双显微物镜+CCD+采集卡+计算机合像，物镜轴距范围 10mm-148mm。对准精度：±2μm（双面，片厚 0.8mm），±0.6μm（单面）。掩模尺寸： 3 英寸、4 英寸、5 英寸。样片尺寸：2 英寸、3 英寸、4 英寸 厚度 0.1mm--2mm(双面)。曝光方式：定时（倒计时方式）和定剂量。照明不均匀性： 3%（ Ф 100mm 范围）16。掩模相对于样片运动行程： X: ±5mm Y: ±5mm Thelta: ±6 度。汞灯功率：350W（直流，进口）。调平接触压力通过传感器保证重复。数字设定对准间隙和曝光间隙。具备压印模块接口，也具备接近模块接口。最大胶厚：350 μm（SU8 胶，用户提供检测条件）。光源平行性：3.5° 外形尺寸：1300mm（长）x900mm(宽) x1800mm（高） 配置（1）曝光头。冷光椭球镜。350 W 进口直流高压汞灯(德国欧司朗)。XYZ 汞灯调节台。冷却风扇。光学系统：固定光栏、可变光栏、快门、准直镜镜 1、准直镜镜 2、蝇眼透镜组（79 个透镜）、i 线滤光片、场镜1、冷光反射镜 1、反射镜 2 （2）对准工件台。掩模样片相对运动台。转动台。样片调平机构,自动完成。样片调焦机构，气缸自动调。承片台 3 个（2 英寸、3 英寸、4 英寸）。掩模夹 3 个（3 英寸、4 英寸、5 英寸）。掩模抽拉式上下机构 （3）双目双视场对准显微镜（可以选择带 CCD 型，目镜和监视器可同时观测）。光源、电源。双目双视场对准显微镜主体。目镜 3 对（10 倍、16 倍、20 倍，共 6 个）。物镜 3 对（4 倍、10 倍、20 倍，共 6 个）17。CCD 光学系统（选配件）。XYZ 底面对准工件台 （4）底面 CCD 对准系统。光源、电源。成像光学系统。数据采集卡。CCD （5）电控系统。汞灯触发电源(350W 直流汞灯)。单片机控制系统。控制柜桌。计算机系统（21 英寸宽屏液晶显示器） （6）气动系统。气缸、电磁阀、减压阀、气动开关等。电磁阀驱动。气动仪表 （7）其他附件。真空泵一台（无油泵）。空压机一台 （音静泵）。管道