反馈激光器

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反馈激光器相关的厂商

  • 华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发,为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度,红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品,所有产品均具备自主产权,同时产品通过欧盟CE质量安全认证,完全满足严苛条件下的工业加工要求,是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作,为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 本公司是一家专业从事激光产品研发的高科技公司,拥有雄厚的技术设计和生产能力,终身致力于为国内外客户提供品质优良、性能出众、价格有竞争力之产品。目前已开发出多种半导体激光产品,其中激光标线器是一种方便实用的标线工具。可广泛用于作服装钉钮点光源定位、裁布机裁布辅助标线、缝纫机/裁剪机/钉钮机/自动手动断布机辅助标线定位、裁床裁剪对格与对条、电脑开袋机标线等等。方便快捷、直观实用。。  产品主要包括:半导体激光器、激光准直光源、激光平行光管、激光标线仪、光学透镜、实验室教学光源、激光功率计等。  半导体激光器主要包括绿光(532nm)系列激光器、红光(635nm、650nm、780nm)系列激光器和红外(808nm、850nm、980nm)系列激光器。  激光准直光源主要包括:D-系列(点状光斑)激光器、L-系列(一字线)激光器、S-系列(十字线)激光器、T1-系列(功率可调)激光器、T2-系列(频率调制)激光器,P-系列(平行光管)激光器,B-系列激光标线仪。其中D-系列激光器光束发散度可达0.1mrad;L-系列激光器线宽最小可达0.3mm;调制(T2)激光器调制范围0-10KHz。P-系列激光平行光管口径可达40mm,光束发散度可达0.02mrad。  激光功率计可标定532nm、635nm、650nm、780nm、808nm、850nm、980nm、1100nm各波段,工作同时可监测电流。  我公司激光产品及光学产品可广泛应用于科研、工业、勘探、测量及医疗等领域。可以根据用户的特殊要求设计加工专用激光器及光学系统,也可以提供激光系统应用和特殊用途的批量供应。“团结、自信、坚韧、进取”是我们的企业宗旨,我们将一如既往地为用户提供高品质的产品。
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  • 北京卓镭激光技术有限公司成立于2014年,位于北京市顺义区空港工业园内。卓镭激光在成立伊始就明确了助推民族激光产业发展的使命,以及打造国产激光器第一品牌的愿景。2015年初,公司与中科院建立战略合作关系,2016年西安全资子公司成立。2018年因工业市场发展强劲,深圳全资子公司成立,主要从事工业产品生产及售后服务。目前,卓镭激光北京、西安和深圳三地建筑面积近3000㎡,拥有千级光学洁净实验室及装配、生产车间。卓镭激光已通过国家级高新技术企业、ISO9001质量管理体系等多项资质认定,并且ALICE-PS系列激光器已顺利通过欧盟CE认证。公司具有完整的研发、生产与质量管理体系,致力于为全球客户提供一流的激光器产品与服务。卓镭激光产品主要应用于科学研究、工业加工和医疗美容等多个领域。公司成立四年以来,开发出用于材料改性(冲击强化)和科学研究的大能量激光器(LAMBER系列)、用于精细微加工的高功率超快皮秒激光器(BLAZER系列)、用于医疗美容的专用皮秒激光器(ALICE-PS系列)等十余个系列、二十余种型号的激光器产品。公司研发实力雄厚,目前已实现年产激光器2000台以上的产能,并出口至韩国、新加坡和以色列等国家。
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反馈激光器相关的仪器

  • 近红外分布式反馈激光器(dfb激光器)iXblue LAZ-LAB-NIR 系列是采用紧凑性封装可以智能调控激光参数的连续激光器。由近红外波段中采用光纤耦合分布式反馈激光芯片进行封装,具有窄线宽,低噪声可靠性高等优势。 这些激光器的波长范围从 780 nm 到 1080 nm,经过筛选并与 iXblue 的铌酸锂相位调制器和振幅调制器结合使用时具有理想性能。 所选激光器和调制器配套使用将增强调制光学性能(插入损耗、消光比、偏振消光比、残余幅度调制),并符合调制器的阈值功率值。 iXblue LAZ-LAB-NIR 带有用户友好且易于使用的用户操作界面。并允许用户激光波长和功率调节。近红外分布式反馈激光器(dfb激光器)主要特点• 多种波长选择• 良好的光学性能• 成熟的解决方案(可匹配于多种品牌的铌酸锂调制器(EOM))近红外分布式反馈激光器(dfb激光器)主要应用• 用于充当 LiNbO3 调制器的匹配激光器解决方案• 载波抑制应用• 光纤传感器• 调制/产生可调光脉冲应用• 模拟光信号传输近红外分布式反馈激光器(dfb激光器)主要参数产品参数及封装尺寸使用环境要求关于昊量光电:昊量光电 您的光电超市!上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外创新性的光电技术与可靠产品!与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务,助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念!您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息,或直接来电咨询,我们将竭诚为您服务。
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  • DFB pro分布反馈式激光器单频分布反馈式半导体激光器可选波长:633 nm, 760 nm .. 3500 nm无跳模范围:可达1400 GHz可在恶劣环境中稳定运行3种不同的激光头 – 选项众多分布反馈式(DFB)激光器集合了可调谐性和高功率。频率选择单元 – 布拉格光栅 – 集成在了半导体的有源部分,从而保证了连续的单频运行。因为没有敏感的调整单元,DFB激光器具有十分卓越的稳定性和可靠性。因此该激光器可以用在大多数严苛的工作环境下 – 甚至是北极和空中实验。为了适应不同的二极管封装,特别为DFB激光器设计了三种不同激光头:紧凑的DFB pro和其“大号兄弟” DFB pro L可集成9 mm或TO3形式的二极管。DFB pro BFY则专门是用于集成蝶形封装二极管的激光头。得益于其较宽的连续调谐范围,DFB激光器在如下应用中非常受欢迎:原子和分子物理,气体分析,相移干涉测量以及连续太赫兹产生。
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  • Thorlabs 分布反馈式量子级联激光器特性单波长分布反馈式量子或带间级联激光器(DFB QCL和ICL)高热负载(HHL)封装使热控制和系统集成更简便准直的激光光束通过通过楔形窗片出射用于化学分析、传感和红外对抗技术封装类型和波长(3-12 µ m)可定制,请联系我们本页所售的中红外量子级联激光器具有高热负载(HHL)封装,具有行业标准的引脚分布和封装尺寸。每个封装包含一个内置热敏电阻和半导体制冷片(TEC),可以主动控制温度,延长激光器的使用时间,还包括一个内置的非球面透镜,可以准直激光器的输出光束。分布反馈式QCL和ICL激光器以明确的波长发射,广泛适用于化学传感和样品分析等应用。它们以单横模工作。通过调节输入电流和工作温度,激光器输出频率至少可在1 cm-1的窄范围内调节。发货前每个序列号的激光器都经过自动检测站对输出光谱、功率和L-I-V曲线的测量。这些测量数据如下方所示,激光器还会附带一份数据表。我们的ICL发射的水平偏振光束波长为3.5 µ m,而QCL发射的垂直偏振光束波长为11 µ m。ICL通常还具有较低的电压要求和阈值电流,从而导致较低的光输出功率。相反,QCL会消耗更多功率,也具有更高的输出功率。Thorlabs的一些高热负载DFB量子和带间级联激光器特别适用于气体传感和分析。一些高热负载量子级联激光器的发射波长非常适合光谱学中常研究的许多气体(详情请查看光谱标签)。这些DFB量子级联激光器保证可在其调谐范围内达到zhi定波长且为单波长,从而可将波长调谐到特定的气体光谱。Thorlabs还提供ID3250HHLH带间级联激光器,可用于甲烷传感。封装详情从封装底部测量得到的光束出射高度为12.7 ± 0.13 mm。镀有增透膜的黑钻非球面透镜可以准直输出光束,之后通过楔形硫化锌(ZnS)窗片从封装射出。楔形窗片不仅可以阻挡返回激光芯片的背面反射,还会使输出光束相对正常情况向下偏移-2.0° ± 1.5°。我们库存的激光器都为封闭的,但不是wan全密封;我们也可提供wan全密封版本,详情请联系我们。每个激光器都与它的安装座绝缘。这些激光器的最大热负载为38 W,所以必须安装在导热表面,以防止热量积聚。请注意,用于高热负载封装的第三方电线一般不会达到内部半导体制冷片的最高电流4.5 A。操作标签包含更多提示信息。这些QCL和ICL专门用于连续波输出。虽然也可实现脉冲输出,但是这种应用会限制电流调节,而且性能无法保证。这些激光器的内部没有用于监测的光电二极管,因此无法在恒功率模式工作。Thorlabs也为OEM应用专门设计了小型D-mount封装的量子级联激光器(12.0 mm × 4.5 mm × 2.8 mm)。Thorlabs 分布反馈式量子级联激光器Item #Center WavelengthaTuning Range (Typ.)PowerbMax Operating CurrentbWavelength TestedSpatial ModeTargeted GascQD4602HH4.602 µ m(2173 cm-1)3 cm-130 mW (Typ.)1000 mAYesSingle FrequencyCO (Carbon Monoxide)d这些激光器以明确定义的波长发射,波长可在窄范围内调节。每个激光器都有不同的光学特性。如果下方没有您需要的波长,请联系我们。不要超过最大光功率或最大驱动电流,无论先达到哪一个。请注意不同设备的绝对最大电流值会有所差别。
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反馈激光器相关的资讯

  • 新型激光器或成下一代以太网技术基础
    日本郎美通公司研究人员开发了一种新型的分布式反馈(DFB)激光器,并证明它可在创纪录的10公里距离内以200Gb/s(吉字节/秒)的速度传输数据。这项研究有助推进网络技术,使互联网数据中心能以前所未有的水平处理数据。郎美通公司将在3月5日至9日于美国加州圣地亚哥举行的光纤通信会议(OFC)上介绍这项新研究。研究人员称,这项研究有助于开发800G和1.6T以太网的下一代数据中心。特别是,新技术表明,具有集成分布式反馈(EA—DFB)激光器的电吸收调制器甚至可使用传统的PAM4(脉冲幅度调制)技术进行10公里的传输。随着通信流量的不断增加,人们越来越关注实施下一代以太网技术,如800G和1.6T以太网,以帮助数据中心满足不断增长的需求。尽管在当今的400G以太网中用于2公里传输的相同PAM4技术正在考虑用于800G,但需要新技术来实现数据中心区域之间互连的长距离数据传输。在这项新工作中,研究人员开发了EA—DFB激光器,以实现更长的传输距离。他们首先使用新激光器演示了在50℃下使用粗波分复用(CWDM)波段的225Gb/s PAM4的5公里传输。他们还使用激光完成了在1293.5纳米波段处225Gb/s PAM4的10公里传输。该波长的色散比分配给CWDM的波长范围要小,CWDM通常用于通过光纤同时发送多个光信号。色散会导致光信号下降,不利于较长距离的传输。在实验中,新激光器性能表现稳定。研究人员表示,EA—DFB是实现即将到来的800G以太网技术应用的有前途的光源。
  • 首个集成在铌酸锂芯片上的激光器面世
    美国哈佛大学科学家在最新一期《光学》杂志上撰文称,他们研制出了首个集成在铌酸锂芯片上的激光器,为高功率通信系统、全集成光谱仪、光学遥感,以及量子网络的高效变频等应用铺平了道路。研究人员解释称,长距离通信网络、数据中心光互连和微波光子系统都依赖激光来产生光载波以用于数据传输。但大多数情况下,激光器是独立设备,位于调制器外部,这会使整个系统更昂贵,且稳定性和可扩展性也较差。在最新研究中,哈佛大学工程与应用科学学院(SEAS)的研究人员与行业合作伙伴携手,在铌酸锂芯片上开发了第一台全集成高功率激光器。他们将小型但功能强大的分布式反馈激光器集成在芯片上。这些激光器位于蚀刻在铌酸锂芯片内的小井或沟槽中,且与铌酸锂内的50千兆赫兹电光调制器相结合,构建了一个高功率发射器。最新研究资深作者马科隆卡尔说:“集成铌酸锂是开发高性能芯片级光学系统的重要平台,但将激光器安装到铌酸锂芯片上已被证明是一个极大的挑战。在这项研究中,我们借助纳米制造技巧和技术,克服了这些挑战,实现了在薄膜铌酸锂平台上集成高功率激光器的目标。”最新研究第一作者、SEAS研究生阿米拉桑沙姆斯安萨里说:“集成高性能即插即用激光器将显著降低未来通信系统的成本、复杂性和功耗。我们最新研制出来的这款集成激光器可以集成到更大的光学系统中,用于传感、激光雷达和数据通信等一系列应用。”研究团队强调说,将薄膜铌酸锂器件与高功率激光器相结合,是朝着大规模、低成本、高性能发射阵列和光网络方向迈出的关键一步。他们计划继续提高激光器的功率和可扩展性,以使其能应用于更多领域。
  • 半导体所等在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究中获进展
    分布反馈(DFB)激光器具有结构紧凑、动态单模等特性,是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是,以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势,亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑,对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高要求。近期,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室研究员杨涛-杨晓光团队与研究员陆丹,联合浙江大学兼之江实验室教授吉晨,在高功率、低噪声的量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展。该团队采用高密度、低缺陷的叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区,结合低损耗侧向耦合光栅作为高效选模结构,研制出宽温区内高功率、高稳定、低噪声、抗反馈的高性能O波段量子点DFB激光器。在25-85 °C范围内,激光器输出功率均大于100 mW,最大边模抑制比超过62 dB;最低的白噪声水平仅为515 Hz2 Hz-1,对应的本征线宽低至1.62 kHz;最小平均RIN仅为-166 dB/Hz(0.1-20 GHz)。此外,激光器的抗光反馈阈值高达-8 dB,满足无外部光隔离器下稳定工作的技术标准。该器件综合性能优异,兼具低成本、小体积的优势,在大容量光通信、高速片上光互连、高精度探测等领域具有规模应用前景。相关研究成果以High-Power, Narrow-Linewidth, and Low-Noise Quantum Dot Distributed Feedback Lasers为题,发表在Laser & Photonics Reviews上。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1. 量子点材料的形貌和荧光特性,以及器件与光栅结构图2. 器件的输出特性、光谱特性、光频率噪声特性和外部光反馈下的光谱稳定性

反馈激光器相关的方案

反馈激光器相关的资料

反馈激光器相关的论坛

  • 氦氖激光器与半导体激光器的性能有何差异?

    [font=宋体]同样作为激光器,氦氖激光器稳定性比普通半导体激光器的稳定性更高,主要原因在于激光器受温度影响,激光波长会发生偏移,氦氖激光器的温度稳定度相比半导体激光器更稳定,受环境影响更小。[/font]

  • 【转帖】He-Ne激光器与半导体激光器

    半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。

反馈激光器相关的耗材

  • DFB(分布反馈式)半导体激光器 1028/1036/1060/1064/1068/1084nm 30mW
    总览10xxnm 14PIN蝶形封装DFB激光器、内置TEC、透镜、热敏电阻、PD集成在14PIN蝶式封装中。气密设计满足电信等级工作要求,具有线宽窄,功率高(50mW)可以支持尾纤PM980或者HI1060光纤输出,同时支持客户指出引脚定义定制。DFB(分布反馈式)半导体激光器 1028/1036/1060/1064/1068/1084nm 30mW,DFB(分布反馈式)半导体激光器 1028/1036/1060/1064/1068/1084nm 30mW产品特点14PIN蝶形密封封装1018-1200nm任意波长集成TEC和热敏电阻DFB芯片,窄线宽PM980/HI1060尾纤可选产品应用超快激光器SHG种子光通用参数电光参数(25deg)Optical Electrical Characteristics (TCHIP= 15 - 35 °C, TCASE= 25 °C, Iop= 150 mA)参数MinTyp.MaxUnit中心波长102610281030nm103410361038105810601062106210641066106610681070108210841086SMSR4050-dB线宽-5-MHz光功率(光纤内部)3050-mW驱动电压-2.02.5V驱动电流-150250mA无跳模范围2050-mA阈值电流-35-mA斜坡效率-0.25-W/A电流波长系数-0.002-nm/mA温度波长系数-0.08-nm/°CMPD响应率-0.5-A/W消光比-16-dB光纤参数:Fiber TypePM980-XPMode Field Diametera6.6 ± 0.5 µ m @ 980 nmNumerical Aperture0.10Fiber Length1.5 mConnectorFC/APC (2.0 mm Narrow Key)JacketØ 900 µ m极限参数参数典型值单位光纤光功率50mW操作电流400mALD Reverse Voltage2VPD Reverse Voltage15V管壳工作温度0to 50°C存储温度-10 to 65°CTEC电流2.5ATEC电压4.0V热敏阻抗10kOhms光谱分析1028nm1036nm1060nm1064nm1068nm1084nmL-I-V曲线消光比测试(保偏版本)模式期望调谐范围(Mode hope tuning Range)引脚定义:标准A标准B订购信息:DFB- □□□□-☆-A8▽- XX□□□□: Wavelength1018: 1018nm1030: 1030nm1053: 1053nm1064: 1064nm1084: 1084nm*****1120: 1120nm☆ : Pin DefinitionA: Telecom AB: Pump B▽: Wavelength Tolerance1: ±1nm2: ±2nmXX: Fiber and Connector TypeSA=HI1060+ FC/APCSP=HI1060+ FC/PCPA=PM980 Fiber+ FC/APCPP=PM980 Fiber+ FC/PC(我们的默认封装都不带隔离器客户需要隔离器请在型号末尾增加-ISO,增加隔离器我们的输出功率只保证30mW+)Eg:PN#DFB-1064-B-A81-PA-ISO公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司,业务涵盖设备代理以及项目合作研发,公司位于大虹桥商务板块,拥有接近2000m² 的办公区域,建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室,为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持,以及良好的商务支持团队,筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室,奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器)气体激光器(HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器)光纤激光器(连续激光器、超短脉冲激光器)光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪,激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机
  • NEL分布式反馈(DFB)激光器_TDLAS
    Nel 气体检测专用激光器 DFBlasersforgassensing 近红外原子吸收谱,可以提供的波长覆盖范围是1260nmand2330nm.1.14pButterfly(HF/H2O/NH3/CO/H2S/CH4/CO2)2.Φ5.6TO-Can(HF/H2O/NH3/CO/H2S/CH4/CO2)3.TO5withTEC(HF/H2O/NH3/CO/H2S/CH4/CO2)产品特点DFB激光器专为通讯光谱吸收研发波长范围覆盖 1260nmand2330nm14pinButterfly,Φ5.6TO-Can,andTO5withTEC三种产品封装提供APPLICATIONS近红外气体分析TDLASFiberopticsensorsSPECIFICATIONS
  • 激光器增益芯片
    总览增益芯片是用作外腔半导体激光器或可调谐二极管激光器增益介质的半导体元件。增益芯片被用作TLS(可调谐光源),它可以使用波长选择滤波器(如衍射光栅)来改变振荡波长。增益芯片类似于激光二极管芯片,不同的是它在一个或两个端面上都有较深的抗反射涂层,大大提高或消除了自激阈值。通用参数使用衍射光栅的外腔激光器有两种:Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光栅的初级衍射光直接反馈到半导体激光器中,通过与垂直端面的低反射膜(LR)共振来实现振荡。由于衍射只进行一次,因此获得比Littman型更大的光学输出。通过旋转光栅来扫描波长。一般来说,采用腔内消色差透镜对光栅上较大面积的扩展光束进行准直。零级衍射光束可以作为输出激光束。Innvolume 增益芯片的产品线可细分为两大类:• 单面光接入(类型A和B)• 双面光接入(类型C和D)在输出功率从外腔向外耦合的方案中,单边光纤接入增益芯片是理想的工作元件。通常,它们的封装形式是晶体管外形罐。双边光纤接入增益芯片可用于从增益芯片端面进行功率输出耦合以减少光损耗的方案中,或用于光放大方案中。A型增益芯片具有垂直于端面的直条纹,具有高反射和抗反射涂层。这是构造外腔二极管激光器最具性价比的解决方案。A型增益芯片具有对称的光束远场,使用高数值孔径的非球面透镜,提供与外腔和后腔的有效耦合。与其他类型相比,这种类型的增益芯片具有相对较低的增益谱纹波抑制,这是由于抗反射涂层的反射率在0.1%的水平上,并且可以通过弯曲条纹到端面的设计来进一步降低反射率。B型增益芯片具有弯曲条纹,正常侧为高反射率,倾斜侧为深反射率涂层。弯曲的条纹和抗反射涂层提供极低的反射率( 10E-5),允许抑制自激光和最小化增益起伏。弯曲条纹的缺点是输出光束的畸变,这使准直变得困难,并降低了反向耦合的效率。故必须使用高数值孔径的光学器件。C型增益芯片在倾斜侧有弯曲条纹和抗反射涂层,在正常侧有百分之几的反射率。波长选择反馈必须设置在倾斜侧(与B型的优点和缺点相同),而输出功率则从正常侧进行输出。这种设计使得输出功率高,输出光束较好。带正常条纹的端面反射必须根据系统配置和所需输出功率分别进行设计。D型增益芯片有一个倾斜条纹,两侧均有抗反射涂层,通常适用于需要内置放大单元的先进光学方案。创新的刻面涂层技术,包括刻面钝化,满足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生产标准,是基于精心设计制造和广泛测试的结果。每个设备都经过单独测试,并附带一组测试数据。尺寸图 产品型号中心波长的调谐范围调谐范围最大功率波长外腔功率输出快轴光束发散度慢轴光束发散度ASE电源无反馈(ASEpower w/ofeedback)条纹长度工作电流nmnmnmmWdegdegmWmmmAGC-780-40-TO-30-B780407803020851.5150GC-780-40-TO-100-B78040780110208202250GC-800-40-TO-100-B7954580011022852250GC-800-40-TO-130-B80040800130325252250GC-920-90-TO-200-B9059092020033871.5400GC-950-110-TO-200-B950110980240326351.5400GC-1030-150-TO-200-B10301501060200381031.5400GC-1030-160-TO-200-B10301601080220178501.5400GC-1060-150-TO-200-B10601501090210169501.5400GC-1105-130-TO-200-B110513011302004091.51.4400GC-1110-70-TO-300-A111070112035035483600GC-1160-90-TO-200-A115090116023040523600GC-1180-80-TO-200-A116080117022042433600GC-1180-100-TO-200-B115010011702104071103600GC-1220-110-TO-200-B12201101240230376153800GC-1260-60-TO-200-B12601101270210387203800GC-1270-60-TO-200-A127060127020033533800GC-1270-130-TO-200-B12701301230, 13202003864.53800GC-1270-140-TO-200-A12701301230, 13102203851.53800GC-1300-60-TO-200-B13006013202003864.53800GC-1310-60-TO-200-A13106013102203851.53800GC-1330-60-TO-200-A133060133020040453800GC-1330-70-TO-200-B1330701340200377173800*–@ CW,25C散热器温度,外腔采用Littman配置,反馈约为10%
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