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一、聚光镜电流越小,二次电子产额越高,是聚光镜电流对二次电子有排斥?二、灯丝电流应是越大,二次电子产额越高吧?三、聚光镜电流越小,像颗粒越细?。四、聚光镜电流越小,信号越强?。五、聚光镜电流越小,电子束流越大?。六、一个最基本的问题:聚光镜电流在电镜上如何调节?我们平时调节的只有灯丝的电流,好象没调节过聚光镜电流啊?谢谢您的指导!
[font=Tahoma, &][color=#444444]求助三相四线电能计量装置A、B相电流互感器二次电流被错误串联,如下图:[/color][/font][font=Tahoma, &][color=#444444]————————————————————————————————————————————[/color][/font][img=,396,464]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/01/202001140452348427_2043_1626275_3.png!w396x464.jpg[/img][font=Tahoma, &][color=#444444]————————————————————————————————————————————[/color][/font][font=Tahoma, &][color=#444444] 该错误接线的更正系数。我只知道这样A、B两相二次电流源的串联,较两电流并联分析起来难得多,它无法通过作相量图求出来。而且只有假设三相对称,包括幅值和相位对称(一般会选在功率因数等于1情况下分析),并且A、B相电流互感器内阻抗相同(同样是要求电阻和电抗分别相同)才有可能通过复数计算方法去求得。而对于复数计算只知其名,不会其实的我,只得求助量友伸出援助之手哦![/color][/font]
二次离子质谱(SIMS)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段。通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像。SIMS具有很高的元素检测灵敏度以及在表面和纵深两个方向上的高空间分辨本领,所以其应用范围也相当广泛。涉及化学、生物学和物理学等基础研究领域及微电子、催化、新材料开发等各个领域。 二次离子质谱法对于大部分元素都有很高的探测灵敏度,其检测下限可达百亿分之几的数量级。对痕量组分能进行深度剖析,可在微观(µ m级)上观察表面的特征,也可以对同位索进行分析和对低原子序数的元素(如氢、锂、铍等)进行分析。 ①痕量分析二次离子质谱法有极高的分辨率,可以达到十亿分之几的数量级。因此,可以对痕量的物质做出定性分析以确定其在表面的存在。当然进行这种分析要求排除所有可能影响结果的干扰。防止表面吸附物污染被测试表面,测试要在高真空和高纯度的离子束条件下进行。 ②定量分析定量分析采用的是以标样为基础的分析方法。一次离子的种类、能量和电流密度、样品环境、探测器效率以及二次离子分析器的能带通道确定之后,就能使用元素的相对灵敏度系数对样品进行确切的分析。只要二次离子质谱仪的灵敏度足以探测到基体的所有主要成分,所得结果就是这种基体材料成分的原子百分比。 ③深度分析深度分析的一般方法是监控样品中某元素的二次离子信号随溅射时间的变化。对于均匀基体材料,通过适当的标定试验(已知镀层厚度、陷口深度等)就能把时间转换为深度。元素的定量可以由二次离子强度的变化及二次离子强度定量分析方法得到。