控制存储器

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控制存储器相关的厂商

  • 成都中科测控有限公司
    我们是谁？ 成都中科测控成立于2006年，位于中国科学院成都分院内，专注于振动测试领域产品的研发、生产及销售。公司测振核心技术传承自上世纪八十年代中国科学院成都科学仪器研制中心的：BC-2型波形存储器。三十年来在技术革新方面我们从未停歇、不断有更高技术含量的产品问世。 TC4850系列爆破测振仪经四川省科技厅组织专家进行科技成果鉴定为“处于国内领先水平” 我们还能做什么？ 中科测控www.zkck.com主要产品有：爆破测振类TC 3850/TC 4850型爆破测振仪；机械测振类TCT-1运输测振仪；远程测振类TC4850N网络测振仪…… 提供工程爆破环境安全评估及类似领域的各种振动监测！ 我们的目标？ 现在，公司专注地服务于全国各大专院校、科研院所及各工程施工单位。在国内已拥有上千家用户。公司竭诚为新老顾客提供一流的售后服务。公司矢志不渝的目标是为国内外用户打造国际精品测振仪器！
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  • 成都启华智设自动控制系统有限公司
    成都启华智设自动控制有限公司 对压力和流量控制系统有着十五年丰富的整体解决方案的经验，可为客户提供：低压、中压、高压、超高压（40MPa-1000MPa）四档产品、对于典型的压力控制装置采用机电一体化自动化控制，可以实现精度和响应速度俱佳的闭环控制，应用于各种需要压力精确控制的场所尤其适用于远程控制的危险场所。根据用户的不同需求，设计切实可行的解决方案，做到交钥匙工程；对于工程中常用的强氧化性、强腐蚀性、易燃易爆、高低温介质的控制有着丰富的经验。有相应完备的设计规范、完善的保密制度和生产工艺流程。
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  • 山东智高流体控制设备有限公司
    山东智高流体控制设备有限公司，是一家专业从事多通道切换阀、全四氟切换阀、高精度注射泵、电磁阀、气密性进样器、管路接头等标准产品的研发、生产和销售，并能根据客户的实际需求设计、开发OEM配套产品。公司生产的产品涵盖各大行业，主要应用于科学分析仪器、水质检测、环境监测、生物制药、医疗设备、工业自动化和实验室仪器等领域。智高流体目前拥有五轴加工中心、平床身数控车床、斜床身数控车床、电火花数控切割机床、平面研磨机，平面抛光机等先进加工设备，采用领先的生产技术和加工工艺，保证产品在质量、效率、服务上成为该行业的领先者。我们始终坚持“质量最优、效率至上、服务最佳”的企业宗旨，确保为每一位客户定制出最适合的产品，成为客户研发创新的长期合作伙伴。
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  • 梅特勒托利多 IND560控制终端 400-659-9826
    仪器简介：IND560是梅特勒托利多公司最新推出的一款具有VFD图形显示界面的功能强大、性能优越的称重控制终端。其实用且丰富的图形显示方式相对于传统产品具有极大的用户亲和力：主要重量信息一目了然，基本数据资料一键即得.树型菜单结构易学易用；先进的&Sigma -&Delta 模数转换技术结合独特的滤波方式保证极快的信号响应能力；大容量电池备份存储器能保存大量配方参数和报表信息 嵌入式数据库技术使信息索引方便快捷 SoftKey可以根据用户需要和习惯自行定义，方便灵活；丰富的选件接口资源确保IND560能适用于各种应用场合。 踏入互联网的引擎&mdash &mdash Ethernet/TCP/IP IND560能插入带RJ45标准以太网接口的以太网卡。使用TCP/IP协议能无缝接入企业现有的局域网，轻松实现称重信息实时共享；使用我公司提供的专用上位机软件则可以实现对IND560的远程监控，诊断维护，参数配置，甚至程序更新。即使远在千里之外，依然犹如触手可及。 更快的响应速度，更高的控制精度 IND560是专注于过程控制领域的新品.不管是外观还是内涵都将让您耳目一新.大气的外观后面是强大的处理器支持，丰富的接口资源，以及更具价值的解决方案。IND560采用TraxDSP抗震动技术和可选的多阶滤波技术，为客户提供更精确的称重结果。加上革新的响应速度，确保您的系统设备能获得更高的控制精度，提高您的设备生产效率。 模块化的定值称重专家 IND560处处体现以人为本的设计理念,它致力于让操作更简单，让配置更灵活,让维护更方便，提高您的系统效率，提升您的产品价值。除提供基本称重功能外，内部集成有多种定值称重解决方案,这些方案都经过了梅特勒托利多的全面测试。您只是根据需要选择最合适的方案，剩下的工作让IND560去做。查看更多信息：
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    厂商： 梅特勒托利多
    品牌： 梅特勒托利多/METTLER TOLEDO
    型号： IND560
    价格： 面议
  • 电移台控制箱/控制器 400-628-5299
    仪器简介：MC600系列电移台控制箱是用于电移台计量与位置控制的多功能产品，性能卓越，性价比高。MC600系列电移台电控箱针对电动平移台、旋转台和角位台设计，可以控制4轴/2轴点对点位置运动系统。内置驱动性能优良的步进电机驱动器或交流伺服电机驱动器，简化了安装，提高了可靠性。友好的人机对话界面，丰富的功能参数，灵活的联机通讯指令，使系统整合更加简便、高效。可以实现电移台三轴的直线插补和两轴的圆弧插补。技术参数：型 号 MC600-4B MC600-2B MC600-CP200控制轴数 4轴步进电机 2轴步进电机 2轴伺服电机运动控制 32位, 30 MHz DSP 处理器 数字PID 伺服控制 梯形速度调节 点到点、同步/非同步运动 点动模式、增量模式 3轴直线插补和2维圆弧插补输出触发 集电极开路输出传感器 零位光电开关、左限位开关和右限位开关选配 摇杆配套软件 ZolixMC控件 MC控制软件通讯接口 RS-232, USB 2.0I/O 16 位可编程TTL I/O (每8位一组)内存 512KB Flash Non-Volatile Firmware显示面板 LCD 显示, 240X128 点阵, 105 mm x 56 mm步进电机控制 2相或3相步进电机（24 V, 3.5 A max.） 开环或闭环控制 300 kHz 脉冲频率 128x max. 细分电源及功率 115/220 V, 60/50 Hz , 400 W (max.)外形尺寸 (W x D x H) 440 x 395 x 145 mm重量 4.5 kg max.主要特点：■ 采用32位DSP处理器，实现了运算要求较高的高精度同动控制；数字PID闭环控制，确保了精确的加减速控制和位置控制；步进电器驱动可实现128细分，保证了平稳的低速步进精确定位能力；伺服马达的使用满足了高速运动的要求；■ 具有点动和增量控制两种模式：◆ 点动模式：快速定位到目标位置，加快实验进程；◆ 增量模式：适用于那些需要往复在多个目标位置定位的应用，一次按键操作即可到达目标位置；■ 满足对多个电动位移台／旋转台进行联合控制要求；■ 可根据需要选择脉冲数、角度值、毫米、微米四种不同的度量单位，并实现内部自动换算，使用更便捷：◆ 脉冲数：控制器基本的控制单位；◆ 角度值：用于角度位移量的显示；◆ 毫米/微米单位：用于直线位移量的显示（电动线性位移台）；■ 四轴均具有闭环位置控制功能（通过外接光栅尺／旋转编码器来实现），使位置调整与定位更加准确。系统的定位精度取决于光栅尺／旋转编码器的精度；■ 能够分别对各轴设置回原点速度、初速度、恒速度、加速度和软件位置极限，满足不同的控制环境需求：如系统需要较短的响应时间，可设置较大的初速度或加速度；如系统要求运动平稳、过冲小，可设置较小的初速度或加速度；如系统要求恒速控制，可选择恒速运行模式；■ 可将任意位置设为用户工作原点:零位的方便设定可简化用户的操作，组合光电传感器配合先进的寻位算法大大提高了物理零位的精度；■ 运动中可以实时读取控制系统的逻辑位置、实际位置、驱动速度和加速度等状态参数；■ 16路I/O可以编程设定为外部输入或者对外触发。当I/O被设定为内部输出时，可以作为运动停止或执行特定程序的中断信号；当I/O被设定为输入时，这些I/O就成为控制箱监控外部设备状态的的接口硬件；■ 可以利用ZolixMC控件编程，方便实现各种运动控制需求，也可以利用MC控制软件，进行简单的运动控制方案编程，可以方便地设置运动参数和位置参数，与自行开发相比，可大大减少工作量；■ 240X128点阵液晶显示界面，显示内容更丰富，WINDOWS风格的菜单设计，可方便设定参数：◆ 多级菜单功能，使得参数设置简捷、操作快速；◆ 同时显示X、Y、Z、T四轴位置参数；◆ 可选择不同操作模式（开环/闭环工作模式）；◆ 可以显示每个轴的运行度量单位。■ 设置参数可存储，掉电不丢失，简化操作过程。平移台的螺杆导程、旋转台的回转半径以及运动参数一旦设定，即可存入控制箱，避免了开机重复设置参数等繁琐工作，简化了操作，且可避免不必要的人为误操作。■ 选配摇杆配件，可以方便进行三个方向的手动扫描运动控制和目标追踪，使控制更加灵活方便。该摇杆是三维摇杆，通过前后、左右摆动和顺逆时针旋转实现手动控制，这对远距离预定位和范围扫描非常方便。摇杆的运动速度分为正负各八档，通过摇杆倾斜/旋转的角度以及停顿时间可以方便地在八个档位切换，使用非常灵活方便。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： MC600
    价格： 面议
  • 超低温存储器
    24万只@0.5ml冻存管，双压缩机制冷备份。箱体厚150mm，能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电，1.4kw平均功率。可配备程序降温模块。也可选配-40度低温气体传输模块
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    厂商： fosunlifescience
    品牌： --
    型号： FX-C10
    价格： 300万元
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  • 上海微系统所在相变存储器研制方面取得进展
    当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。 　　作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。 　　研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算，发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件，研究发现随着器件尺寸减小，单质锑相变存储器的速度越快。 　　200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1)，当器件尺寸微缩至60 nm时，写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2)，单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器，其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明，通过选择合适的相变材料，相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。 　　该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。
    时间： 2023-02-02
    作者： 情绪波动
  • 开合可超1亿次！我国科学家研制碲开关升级新型存储器
    升温，碲变液态，开关闭合；降温，碲回归固态，开关断开… … 更奇妙的是，这样的“温控”开关小到纳米级，一开一闭的时间只有15纳秒，可以使用超过1亿次！　　记者从中科院上海微系统所获悉，该所研究员宋志棠团队研制出由碲元素制成的全新开关器件，这种开关具有高驱动电流、低漏导和长寿命性能，有望让相变存储器这一新型三维海量存储器的性能进一步升级。该成果近日发表于《科学》杂志。　　作为电子产品必备的元器件，存储器广泛应用于人们的工作生活，电脑里的内存条和硬盘就是其中最常见的两类。与此同时，在业界对存储器更高性能的不懈追求下，速度快、功耗低、微缩性能好、可三维集成的相变存储器受到热捧，被视为最有潜力的新型海量存储器。　　“相变存储器由相变存储单元和开关单元构成，用一个相变存储单元加一个开关单元记录一个比特，但由于当前商用领域的开关组分复杂，制约了相变存储器在寿命和存储密度上进一步提升。”宋志棠说。　　据文章通讯作者朱敏介绍，团队制备出60纳米至200纳米大小的碲开关器件以验证其性能。当碲处于液态时表现出金属性，可提供强大的驱动电流，当碲处于固态时，实现低漏导关断。另外，得益于单质碲组分均一，开关器件的一致性与稳定性进一步得到提升。　　《科学》杂志同期发表评论文章称：“该成果是前所未有的，为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法，此单质开关为三维相变存储器架构提供了新的视角。”
    时间： 2021-12-16
    作者： dahua1981
  • 中科大科学家成功实现按需式读取的可集成固态量子存储器
    我校郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器。该成果12月28日发表在国际知名期刊《物理评论快报》上。量子存储器是构建大尺度量子网络的核心器件。基于量子存储器的量子中继或量子U盘可以有效地克服信道损耗，拓展量子网络的工作距离。李传锋、周宗权研究组长期致力于基于稀土掺杂晶体的固态量子存储器的实验研究。为了提升量子存储器的存储容量，满足规模化应用的需求，研究组近年来发展了激光直写技术，在稀土掺杂晶体上制备可集成量子存储器。所谓按需式读取是指光子写入存储器以后再根据需求决定读出的时间，它对实现量子网络中的同步操作等功能至关重要。然而目前国际上已有的可集成固态量子存储器都是基于简单的原子频率梳方案，其读出时间是在光子写入之前预先设定的，无法按需读取。为了实现按需式读取，研究组采用了一种改进的量子存储方案，即电场调制的原子频率梳方案。它通过引入两个电脉冲，利用斯塔克效应实时操控稀土离子的演化从而控制存储器的读出时间。研究组首先使用飞秒激光在掺铕硅酸钇晶体表面制备出面上光波导，然后在面上光波导的两侧加工两个面上电极，从而能以TTL兼容的5V电压实时操控存储过程，实现按需式读取。实验中光波导的插入损耗达到1 dB以下，这是目前可集成固态量子存储器的最优水平。最终，基于该自制器件研究组在国际上首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器，存储保真度达到99.3%±0.2%。该结果接近研究组2012年在块状晶体中创下的量子存储保真度的最高纪录（99.9%，PRL108, 190505），表明这种可集成量子存储器具有极高的可靠性。实验光路图和显微镜下集成量子存储器照片（右侧插图）该成果对大容量量子存储和构建量子网络均有重要意义。审稿人对该工作给予了高度评价：“The present experiment is a remarkable achievement as, in previous experiments with rare earth doped crystals with integrated design, only predetermined or delayed retrieval had been shown. (这个实验很重要，因为之前可集成固态量子存储的实验都局限于演示提前确定的读取时间。) ” “The work demonstrates a significant advancement in the field and is of broad interest to the scientific community.（这项工作是量子存储领域的一个重要进展，并将引起科学界的广泛兴趣。）”。文章的共同第一作者是中科院量子信息重点实验室的研究生刘超和朱天翔。该工作得到了科技部、国家自然科学基金委、安徽省以及中国科学院青年创新促进会的资助。论文链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.125.260504
    时间： 2021-01-04
    作者： KPC
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  • 相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

    一、相变存储器的特性和功能　　相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存，也有RAM或EEpROM特定的属性。　　1.1位变量　　与RAM或EEPROM一样，PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0，也可以从0更改为1，而无需单独的删除步骤。　　2.非挥发性　　NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点，也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据，实验结果表明PCM具有良好的非易失性。　　3.读取速度　　与RAM和NOR闪存一样，PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此，您可以直接在阵列上运行代码，PFC（功率因数校正）而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存，带宽类似于DRAM。另一方面，NAND闪存的随机存储时间达数十微秒，因此无法直接完成代码的执行。　　4.写入/清除速度　　PCM可以获得与NAND相同的写入速度，但PCM的响应时间缩短，不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定，但删除时间较长。与RAM一样，PCM不需要单独的擦除步骤，但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展，存储设备将缩小，PCM将不断改进。　　5.缩放　　变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构，存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的，能量计量需要10V以上的电源，CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律，存储每缩小一次，密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小，GST材质的体积也在缩小，PCM也在缩放。　　二、内存选择和总线概念　　发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里？　　那在计算机上，一般来说，这8条线不仅连接一条内存，还连接其他部件，所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的，所以如果总是把一个设备连接到这8条线上，那就不好了。例如，如果这个内存单位的数字是0FFH，另一个存储单位的数字是00H，那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗？所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上，则无需直接连接到每个设备，只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关，将数据写入此内存，或从内存中读取数据，打开开关即可。 这套开关由三条引线选择：读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片，请先选择片，然后发送写入信号，开关将关闭，传输的数据(电荷)将写入片。要读取，首先选择片，然后发送读取信号，交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存，但由于切片选择不同，有读写信号，但没有切片选择信号，所以不同的内存不会“误解”，而是打开门，造成碰撞。那么，如果在不同的时候选择两个芯片呢？如果是设计良好的系统，就不会这样。因为它不是我们的人，而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况，那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。　　那么，在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里，高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高，电子越活跃，在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为电?[/b][/url]主要从事各类[url=https://www.szcxwdz.com][b]电?元器件[/b][/url]的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]服务，减少采购物料的时间成本，在售商品超60万种，原?或代理货源直供，绝对保证原装正品，并满?客??站式采购要求，当天订单，当天发货，免费供样！

  • 【原创大赛】认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”

    【原创大赛】认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”

    [align=center][font=宋体][size=14px]认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”[/size][/font][/align][size=14px][font=宋体] 现在的仪器中，许多电路板上已经看不见常见的纽扣电池。前些年的部分仪器通常将非易失性时钟随机存储器用于系统通讯时的数据交换缓冲区，备份系统工作参数及存储系统实时时钟、常用数据等。当这个IC内部的锂电池失效后，系统无法通过自检，不能开机，这就需要换这个另类“电池”。[/font][font=宋体] 这个“电池”不是人们头脑里通常关于纽扣锂电池的形象，往往打开机器后，不知道它在何方。下面通过更换[color=black]安捷伦7694E顶空[/color]机内的非易失性随机存储器，来认识它。[/font][font=黑体]一、非易失性随机存储器简单常识[/font][font=宋体][color=#333333] NV SRAM[/color][/font][font=宋体][color=#333333]（Non-volatile SRAM）是非易失性静态随机存取存储器。在早期（EPROM时代）的时候一些电子仪器想要保存一些数据（比如校准数据、机器设置等）是比较麻烦的事情，因为那时候没有EEPROM，也没有Flash，只有EPROM。EPROM是不可能实现IAP的。人们想出了一个办法，就是使用SRAM，在系统掉电之后由后备电池为SRAM提供电力保障数据不丢失。还有专门设计的SRAM。典型的例子就是电脑存放BIOS设置的RAM，它的保持电池是主板纽扣锂电池，缺电后，BIOS的个性化设置丢失，电脑系统时间失调，每次开机会要求重新设置。[/color][/font][font=宋体][color=#333333] 通俗地解释非易失性[/color][/font][font=宋体][back=white]存储器[/back][/font][font=宋体][color=#333333]，是指仪器断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器，IC内部自带电池。[/color][/font][font=宋体][color=#333333]常见的是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体]（美国[color=black]达拉斯半导体[/color]）[color=#333333]公司的DS1230Y系列。[/color][/font][/size][img=,690,453]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345148560_6868_1807987_3.jpg!w690x453.jpg[/img][size=14px][font=宋体][color=#333333] DS1230Y 256k[/color][/font][font=宋体][color=#333333]非易失NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使用、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。还有专为表面贴装设计的小尺寸模块封装。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。使用寿命确保10年以上。[/color][/font][font=宋体]（[color=black]2011[/color][color=black]年[/color]MIXIM（美信）公司[color=black]并购了达拉斯半导体公司，如果在[/color]DALLAS[color=black]的一些资料和产品上有[/color]MIXIM的logo，是正常情况）。[/font][/size][img=,690,811]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345334930_2830_1807987_3.jpg!w690x811.jpg[/img][size=14px][font=宋体]下面摘引网上[/font][font=宋体][color=#333333]DS1230[/color][/font][font=宋体]拆解图，可以看见[/font][font=宋体][color=#333333]这个[/color][/font][font=宋体]DS1230Y-100[/font][font=宋体][color=#333333]是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体]（美国[color=black]达拉斯半导体[/color]）公司[/font][font=宋体][color=#333333]将超低功耗的赛普拉斯的SRAM芯片CY62256LL-70与自家的专用控制芯片DS13D12及松下的BR1632锂电池封装在一起组成的。[/color][/font][/size][img=,690,1186]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345338602_6287_1807987_3.jpg!w690x1186.jpg[/img][size=14px][font=黑体]二、更换仪器失效的非易失性随机存储器[/font][font=宋体]一台2008年购入的安捷伦7694E顶空，最近时常出现时钟混乱、自检通不过、不能开机故障。怀疑是机内记忆电池失效。[/font][/size][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345341266_1166_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][size=14px][/size][align=left][size=14px][font=宋体]拔下仪器电源插头，打开侧面盖板，看见内部电路板。箭头所指位置，是2只非易失性随机存储器（非易失SRAM），用作系统时钟、参数设置、实时信号处理、部分数据备份（[/font][font=宋体][color=#333333]校准数据、机器设置等[/color][/font][font=宋体]）等：[/font][/size][/align][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345344205_5246_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体][size=14px]近距离看看，两只DALLAS公司的DS1230Y-100+安装在28脚插座上。非常奇怪，这2只非易失性随机存储器的出厂时间相差7年。上面那只2007年第8周生产的IC应该是2008年购机时的原装，下面那只2000年第45周生产的DS1230Y-100，不知道来历（该仪器多年前维修过），距今近20年，应该是内部的纽扣锂电池寿终正寝了：[/size][/font][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345347850_7648_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][font=宋体][size=14px]下面是新购的两只DS1230Y-100+，2016年第13周生产：[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345349979_84_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][font=宋体][size=14px]更换很简单。将旧的IC拔下，将新的IC插到位就可以。装还原，开机，通过自检，进行初始化设置后，显示“READY”，仪器处于就绪状态：[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345351913_1258_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][size=14px][font=黑体]结束语：[/font][font=宋体]当仪器开机出现自检不过，日期乱跳，以前设置的参数混乱，屏显数据异常等现象，如果购机时间较长（10年左右），平时封存停运时间多，应该考虑机内的非易失性随机存储器失效问题（有的仪器设计专用非易失性时钟随机存储器，只是出现系统时间混乱），开机检查一下这类IC，有无松动接触不良问题，插拔两次。如果排除接触不良问题，应考虑更换新的同型号IC。[/font][/size]

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