控制存储器

当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。 　　作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。 　　研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算，发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件，研究发现随着器件尺寸减小，单质锑相变存储器的速度越快。 　　200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1)，当器件尺寸微缩至60 nm时，写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2)，单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器，其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明，通过选择合适的相变材料，相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。 　　该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。

升温，碲变液态，开关闭合；降温，碲回归固态，开关断开… … 更奇妙的是，这样的“温控”开关小到纳米级，一开一闭的时间只有15纳秒，可以使用超过1亿次！　　记者从中科院上海微系统所获悉，该所研究员宋志棠团队研制出由碲元素制成的全新开关器件，这种开关具有高驱动电流、低漏导和长寿命性能，有望让相变存储器这一新型三维海量存储器的性能进一步升级。该成果近日发表于《科学》杂志。　　作为电子产品必备的元器件，存储器广泛应用于人们的工作生活，电脑里的内存条和硬盘就是其中最常见的两类。与此同时，在业界对存储器更高性能的不懈追求下，速度快、功耗低、微缩性能好、可三维集成的相变存储器受到热捧，被视为最有潜力的新型海量存储器。　　“相变存储器由相变存储单元和开关单元构成，用一个相变存储单元加一个开关单元记录一个比特，但由于当前商用领域的开关组分复杂，制约了相变存储器在寿命和存储密度上进一步提升。”宋志棠说。　　据文章通讯作者朱敏介绍，团队制备出60纳米至200纳米大小的碲开关器件以验证其性能。当碲处于液态时表现出金属性，可提供强大的驱动电流，当碲处于固态时，实现低漏导关断。另外，得益于单质碲组分均一，开关器件的一致性与稳定性进一步得到提升。　　《科学》杂志同期发表评论文章称：“该成果是前所未有的，为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法，此单质开关为三维相变存储器架构提供了新的视角。”

我校郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器。该成果12月28日发表在国际知名期刊《物理评论快报》上。量子存储器是构建大尺度量子网络的核心器件。基于量子存储器的量子中继或量子U盘可以有效地克服信道损耗，拓展量子网络的工作距离。李传锋、周宗权研究组长期致力于基于稀土掺杂晶体的固态量子存储器的实验研究。为了提升量子存储器的存储容量，满足规模化应用的需求，研究组近年来发展了激光直写技术，在稀土掺杂晶体上制备可集成量子存储器。所谓按需式读取是指光子写入存储器以后再根据需求决定读出的时间，它对实现量子网络中的同步操作等功能至关重要。然而目前国际上已有的可集成固态量子存储器都是基于简单的原子频率梳方案，其读出时间是在光子写入之前预先设定的，无法按需读取。为了实现按需式读取，研究组采用了一种改进的量子存储方案，即电场调制的原子频率梳方案。它通过引入两个电脉冲，利用斯塔克效应实时操控稀土离子的演化从而控制存储器的读出时间。研究组首先使用飞秒激光在掺铕硅酸钇晶体表面制备出面上光波导，然后在面上光波导的两侧加工两个面上电极，从而能以TTL兼容的5V电压实时操控存储过程，实现按需式读取。实验中光波导的插入损耗达到1 dB以下，这是目前可集成固态量子存储器的最优水平。最终，基于该自制器件研究组在国际上首次实现了按需式读取的可集成固态量子存储器，存储保真度达到99.3%±0.2%。该结果接近研究组2012年在块状晶体中创下的量子存储保真度的最高纪录（99.9%，PRL108, 190505），表明这种可集成量子存储器具有极高的可靠性。实验光路图和显微镜下集成量子存储器照片（右侧插图）该成果对大容量量子存储和构建量子网络均有重要意义。审稿人对该工作给予了高度评价：“The present experiment is a remarkable achievement as, in previous experiments with rare earth doped crystals with integrated design, only predetermined or delayed retrieval had been shown. (这个实验很重要，因为之前可集成固态量子存储的实验都局限于演示提前确定的读取时间。) ” “The work demonstrates a significant advancement in the field and is of broad interest to the scientific community.（这项工作是量子存储领域的一个重要进展，并将引起科学界的广泛兴趣。）”。文章的共同第一作者是中科院量子信息重点实验室的研究生刘超和朱天翔。该工作得到了科技部、国家自然科学基金委、安徽省以及中国科学院青年创新促进会的资助。论文链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.125.260504

二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内沿z轴获得更高密度集成。因此，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已成为当前延续摩尔定律的重要研究方向之一。迄今为止，针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏，尤其缺失具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究，主要原因在于传统基于隧穿架构的二维忆阻器难以在垂直方向兼具更高性能和有效栅极调控特性。 　　近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。11月17日，相关研究成果以A gate programmable van der Waals metal-ferroelectric-semiconductor vertical heterojunction memory为题，在线发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。 　　科研团队使用二维层状材料CuInP2S6作为铁电绝缘体层，利用二维层状半导体材料MoS2和多层石墨烯分别作为铁电忆阻器的上、下电极层，形成金属/铁电体/半导体(M-FE-S)架构的忆阻器；在顶部半导体层上方通过堆叠多层h-BN作为栅极介电层引入了MOSFET架构。底部M-FE-S忆阻器件开关比超过105，具有长期数据存储能力，且阻变行为与CuInP2S6层的铁电性存在较强耦合(图1)。此外，研究通过制备3×4的阵列结构展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列【crossbar array，实现随机存取存储器(RAM)的关键结构】的可行性(图2)。进一步，研究在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度(或费米能级)，从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控(图3)。基于上述成果，科研人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性(图4)。 　　本研究展示的门电压可编程的铁电忆阻器有望在未来人工突触等神经形态计算系统中发挥重要作用，并或推动基于二维铁电材料制备多功能器件的开发。此外，该工作提出的MOSFET与忆阻器垂直集成的架构可进一步扩展到其他二维材料体系，从而获得性能更加优异的新型存储器。 　　研究工作得到国家重点研发计划“青年科学家项目”、国家自然科学基金青年科学基金项目/面上项目/联合基金项目、沈阳材料科学国家研究中心等的支持。图1.器件结构设计及两端铁电忆阻器的存储性能。a、器件结构示意图；b、器件的阻变行为；c、少层CuInP2S6的压电力显微镜相位和幅值图；d、器件在不同温度下的输运行为；e、存储器的数据保持能力测试；f、存储器开关比统计图。图2.铁电忆阻器存储阵列演示。a、二维铁电RAM结构示意图；b、CuInP2S6/MoS2界面的HAADF-STEM照片；c、3×4阵列的SEM图像；d、局部放大图；e、3×4阵列的光学照片；f-g、通过读取3×4阵列中每个交叉点的高阻态和低阻态编码的“I”“M”“R”的简化字母。图3.器件的可编程存储特性。a、器件结构示意图；b、MoS2层的转移特性曲线；c-d、异质结的能带结构图；e-f、通过施加门电压实现了对存储窗口从有到无的调控。图4.门电压可编程存储器的多阻态存储特性。a-d、器件在不同门电压下的存储窗口；e、器件的多阻态存储性能演示；f、栅极调控的耐疲劳特性。

近日，深圳精智达技术股份有限公司(简称：精智达)更新了IPO招股书，公司拟在上交所科创板上市，将于2022年11月16日上会，保荐机构为中信建投证券。此次IPO，公司拟发行2350.29万股，发行后总股本的比例不低于25%，计划募资约6亿元，主要用于新一代显示器件检测设备研发项目、新一代半导体存储器件测试设备研发项目，以及补充流动资金。作为国内优秀的检测设备与系统解决方案提供商，精智达将借助上市契机，持续优化核心业务的盈利能力，加强科研投入，积极实施新型显示器件检测设备业务和半导体存储器件测试设备业务双轮驱动的发展战略。核心技术备受认可 大客户遍及行业龙头资料显示，精智达主要从事新型显示器件检测设备的研发、生产和销售业务，产品广泛应用于以AMOLED为代表的新型显示器件制造中光学特性、显示缺陷、电学特性等功能检测及校准修复，并逐步向半导体存储器件测试设备领域延伸发展，相关产品应用于以DRAM为代表的半导体存储器件制造的晶圆测试、封装测试及老化修复。作为国家级专精特新“小巨人”及高新技术企业，公司始终坚持研发导向、客户导向，致力于检测设备的自主可控和国产化替代。作为以技术为核心驱动的高端装备企业，公司建立了强大的研发团队和应用服务团队，拥有多项自主知识产权和创新成果。凭借多年的研发创新和生产、应用技术积累，公司一直把握行业客户对良率与效率提升的核心需求，与维信诺股份、TCL科技、京东方、广州国显、合肥维信诺等众多知名客户建立了稳定的合作关系，产品成功应用于上述主要客户的多条量产产线中，助力客户提升生产工艺水平，提高产品良率和生产效率，有效降低了国内新型显示器件厂商设备采购成本，有力推进检测设备的自主可控和国产化替代。公司结合显示器件检测行业技术要求及客户需求特点，从实现检测、修复功能过程中的实际问题出发，经过实践创新、自主研发，形成了检测设备领域的光学检测及校正修复、电学信号检测、精密机械自动化及控制、软件算法等技术，具备丰富的技术积累和量产经验。自进入市场以来，公司与下游客户深度合作，快速响应客户的定制化需求，并提供完善的售后服务，积累了成熟的量产经验，不断突破了技术难点、完善了技术体系，截至2022年4月30日，公司拥有已授权专利共计82项，其中发明专利25项，拥有已经登记的计算机软件著作权169项，并掌握了多项生产技术技巧、工艺控制参数等非专利技术。公司致力于先进产业技术探索，进行工程技术开发与成果转化。在国家推动新型显示器件产业发展的过程中，公司积极承担了深圳市技术攻关重点项目、深圳市2020年战略性新兴产业专项资金新兴产业扶持计划、深圳市2020年首台重大技术装备扶持计划等项目。公司作为主要起草单位与工信部电子第五研究所及行业龙头企业共同制定《移动终端用电容式触摸屏通用技术规范》，推动触摸屏行业技术规范的制定。报告期内，公司荣获中国电子材料行业协会、中国光学光电子行业协会液晶分会“中国新型显示产业链发展贡献奖”，这些成果和荣誉标志着公司研发实力和技术水平得到了业界的广泛认可。主业持续高增长 市占率大幅提升招股书显示，2019年—2021年，精智达实现营业收入分别为15719.63万元、28467.52万元、45831.36万元，同比分别增长81%、61% 实现净利润分别为45万元、2861.27万元、6741.97万元，由此可见，公司营收和净利润持续呈现高速增长态势。与此同时，公司资产质量也得到了明显改善，公司资产负债率已从2020年的41.74%下降至2021年的32.05%，净资产高达52991.51万元，是2019年的五倍。此外，公司盈利水平呈现大幅提升趋势，报告期内，公司净资产负债率由2019年的0.59%，大幅上升至2021年的14.67%，提升超14个百分点 不仅如此，公司现金流整体保持充裕，报告期内，公司经营性现金流量净额分别为-5079.75万元、2451.17万元、7774.56万元，近两年现金流持续呈现大幅净流入趋势。在业绩表现向好之际，精智达自身的市场占有率也得到明显提升。根据相关研究报告显示，公司在2021年中国大陆AMOLED行Cell/Module制程检测设备厂商销售额排名第三，市场占比约13% 在Cell/Module制程检测设备的投资占比60%以上的自动光学检测及校正修复设备这一主要细分市场，公司产品在中国大陆保有量份额从2017年的3%提升至2021年的15%，位居业内第二。经检索并统计中国国际招标网中标结果公告，公司于2019-2021年中标国内AMOLED新型显示器件检测设备项目31项，名列第三。值得注意的是，精智达以核心技术为基础，推出了覆盖新型显示器件Cell制程及Module制程的光学特性、显示缺陷、电学特性等功能检测及校准修复的各类设备，形成有较强竞争力且覆盖主要工艺节点的相对完备的产品线。公司是国内较早进入AMOLED检测设备领域并且布局较为完善的企业，凭借优秀的研发能力和可靠的产品品质，在光学检测及校正修复设备等多类设备市场均取得了稳定的份额，并且其设备技术能力也通过积累大量的设备生产制造经验得到持续强化。未来，公司将在保持已有的技术特点和技术优势之上，抓住新型显示器件及半导体存储器件产业的发展机遇，凭借公司在行业方面的核心技术优势、丰富的研发人才资源、多年沉积的专业化解决方案，紧跟客户需求与发展趋势，加大研发力度，研发出能更好的满足客户需求，更具竞争力的产品和解决方案，积极推进关键检测设备的自主可控和国产化替代。同时，公司致力于高端装备行业客户信任、员工自豪的世界级企业，将不断扩大产业链深度和广度、发挥规模化经营效应、加强品牌建设力度、拓展销售市场，提升公司核心竞争力。

1月28日，泛林集团 发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™ 所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™ 。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。3D存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸(CD)持续降低先进技术产品的位成本，将3D NAND和DRAM中的刻蚀深宽比提升至更高水平。Vantex的全新腔室设计能够以更高的射频(RF)功率刻蚀更高深宽比的器件，提升产能，降低成本。更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的CD控制，从而改进器件功能。根据3D NAND设备的技术路线图，每一代刻蚀都需要实现更大的深度，这也推动了提升刻蚀轮廓均匀性的需求。Vantex技术控制了刻蚀的垂直角度，以满足这些3D器件结构设计密度要求，并在整个300mm晶圆上实现高良率。“10多年来，泛林集团一直在高深宽比刻蚀领域保持行业领先，我们所独有的经验使Vantex的腔室设计从一开始就能够为未来的许多技术节点提供可延展性和创新性。” 泛林集团高级副总裁、刻蚀产品事业部总经理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定义了刻蚀平台性能和生产效率的行业标杆，这一突破性的刻蚀技术对于客户来说非常有吸引力。”泛林集团Sense.i刻蚀平台具有Equipment Intelligence（设备智能）功能，可以从数百个传感器收集数据，监测系统和工艺性能。借助Sense.i系统的高带宽通信，Vantex刻蚀腔室在每个晶圆中采集的数据多于市场上其他任何设备——它能够更有效地分析和利用数据，以提高晶圆上和晶圆间的性能。泛林集团将持续向存储器行业的领军客户提供Sense.i平台上的Vantex以期获得客户认可和重复订单，助力客户在2021年实现高量产。

p2020年8月7日，应用材料公司今天宣布为其大获成功的Centris® Sym3® 刻蚀产品系列再添新成员。现在，该系列产品能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。/pp应用材料公司的Centris® Sym3® Y刻蚀系统能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以更加精细的尺寸成像和成型。/pp新型Centris Sym3® Y是应用材料公司最先进的导体刻蚀系统。该系统采用创新射频脉冲技术为客户提供极高的材料选择性、深度控制和剖面控制，使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点（包括FinFET和新兴的环绕栅极架构）创建密集排列的高深宽比结构。/ppSym3系列成功的关键在于其独特技术特征：高电导反应腔架构能够提供特殊的刻蚀剖面控制，快速有效地排出每次晶圆工艺产生的刻蚀副产物。Sym3 Y系统采用保护关键腔体组件的专有新型涂层材料，扩大了该成功架构的优势，从而进一步减少缺陷并提高良率。/ppSym3刻蚀系统于2015年首次推出，如今已成为应用材料公司历史上最迅速大量占领市场的产品。时至今日，Sym3反应腔出货量达到了5000台大关。/pp应用材料公司的战略是为客户提供全新的材料成型和成像方法，以实现新型3D结构并开辟继续进行2D微缩的新途径，而Sym3系列正是实现这一战略的关键产品。应用材料公司采用独特的化学气相沉积（CVD）镀膜技术对Sym3系统进行协同优化，让客户能够增加3D NAND内存器件中的层数，并减少DRAM制造中四重成型所需的步骤数。应用材料公司会将上述技术与其电子束检测和审查技术一同部署，以加快研发并大规模实现行业最先进节点的产量爬坡，从而帮助客户改善芯片功耗、增强芯片性能、降低单位面积成本并加快上市时间（PPACt）。/pp应用材料公司半导体产品事业部副总裁兼总经理Mukund Srinivasan博士表示：“应用材料公司在2015年推出Sym3系统时采用了全新方法进行导体刻蚀，并解决了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蚀难题。今天，在最先进的存储器和代工厂逻辑节点中，关键刻蚀和极紫外（EUV）图形化应用呈现出强劲的发展势头和增长。未来，我们将继续升级并助力业界向下一代芯片设计演进。”/pp每个Sym3 Y系统均包括多个刻蚀和等离子清洁晶圆工艺反应腔，并由智能系统控制可确保每个反应腔都拥有一致的性能，从而实现稳定的工艺和高生产力。全球多家领先的NAND、DRAM和代工厂逻辑节点客户都在使用这一新系统。/p

存算一体及人工智能神经网络芯片采用非冯诺依曼架构体系，可大降低数据的访问延迟和传输能耗，提升计算速度。SOT-MRAM以其高速、高耐久度等优点，在此类应用中将发挥巨大的优势。当前，存算一体和人工智能神经网络芯片领域亟需一种全线性的多态存储器件（图1b），以便为人工智能神经网络的神经元、突触、存内计算等提供硬件支撑。但现有的SOT多态磁性存储器件及其他类型的存储器件大都是非全线性的（图1a），其输入-输出曲线的部分区域为线性，其他部分为非线性区，要使器件工作在线性区需要额外的时间、能耗和电路开销，阻碍了其在高速、低功耗和高集成密度的存算一体及人工智能神经网络芯片方面的应用[1]。图1、（a）目前的多态存储器件，（b）理想的全线性存储器件，（c）目前电流磁化翻转曲线，（d）通过调节DMI和交换耦合实现的线性磁化翻转曲线。 今年5月，微电子所杨美音副研究员和博士研究生李彦如为共同作者，微电子所先导中心罗军研究员和半导体所王开友研究员为通讯作者，在Physical Review Applied期刊上发表了题为“All-linear multistate magnetic switching induced by electrical current”的学术论文[2]，该团队合作研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道矩（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，对基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。图2、（a）离子注入引起的全线性磁化翻转，（b）局域离子注入注入实现的可编译的突触功能。 为了获得全线性的多态磁性存储器件，该团队在理论上模拟调节磁性材料中的“DMI效应”和“交换耦合效应”的比例，发现可将非全线性的磁化翻转曲线调控成全线性的磁化翻转曲线（图1c，d）。该理论预测的结果获得了实验验证。该团队在本次工作创新的采用离子注入工艺，成功调节了普通磁性材料中“DMI效应”和“交换耦合效应”的比例，实现了SOT磁性存储器件的全线性磁化翻转（图2a）。同时，通过局域的离子注入，实现了无外场的线性多态存储和突触功能。该突触可在同一超低电流脉冲下实现兴奋和抑制功能，并具备可编译特性。图3 面内场Hx下垂直磁场脉冲作用的磁畴壁运动速度。样品(a) S1, (b) S2, 和 (c) S3. 插图分别是面内场Hx（负、零和正）下的磁畴壁运动的轨迹。(d) 测量的A和D值。本项工作中样品的磁动力学过程观测，磁畴壁运动速度和DMI作用测量的工作由北京航空航天大学张学莹老师组合作提供（如图3），此系列测量表征工作利用了北航-致真团队自主研制的多功能高分辨率磁光克尔显微成像系统，该系统除了能够获得高分辨率的动态磁畴观测外，在磁性薄膜材料和自旋电子器件动力学分析领域也有着突出的优势，它自带了磁场探针台，能够让用户利用软件定义电、磁等多种想要的波形，在进行电输运测量的同时，观察器件磁畴的变化，一键触发后，在样品上同步施加垂直/面内磁场、电流脉冲、微波信号，并同步采集克尔图像信息，能够直观、高效、无损地测量多种参数，包括饱和磁化强度、各向异性强度、海森堡交换作用强度和DMI强度等，是传统的磁光克尔显微镜所不具备的。 图4 多功能高分辨率磁光克尔显微成像系统 产品基本参数：☛ 向和纵向克尔成像分辨率可达300 nm；☛ 配置二维磁场探针台，面内磁场高达1 T，垂直磁场高达0.3 T（配置磁场增强模块后可达1.5 T）；☛ 快速磁场选件磁场反应速度可达1 μs；☛ 可根据需要选配直流/ 高频探针座及探针；☛ 可选配二次谐波、铁磁共振等输运测试；☛ 配置智能控制和图像处理系统，可同时施加面内磁场、垂直磁场和电学信号同步观测磁畴翻转；☛ 4K~800K，80K~500K 变温选件可选。 参考信息：[1] http://www.ime.ac.cn/zhxx/zhxw/202105/t20210521_6036245.html[2] M Yang et al., PHYSICAL REVIEW APPLIED 15, 054013 (2021)

p　　中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。/pp　　以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在RRAM方向具有长达10年的研究积累，于2015年开始联合中芯国际、国网智芯等单位，以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化。经过两年多的努力，在中芯国际28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证，并在此基础上设计实现了规模为1Mb的测试芯片。/pp　　垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。/pp　　相关研究成果分别以 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 和 8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 为题在2017年国际电子器件大会上进行了汇报发言。/pp style="text-align: center "img title="001.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/10c005fa-4af7-4604-a95e-bb344b43bed0.jpg"//pp style="text-align: center "strong(a)28nm RRAM 1Mb芯片版图 (b)28nm RRAM单元TEM界面图/strong/pp style="text-align: center "img title="002.png" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/6df25f82-957f-4a8a-814d-0bad67c4979d.jpg"//pp style="text-align: center "strong8层堆叠RRAM截面图/strong/pp/p

今年1月，三星电子在学术期刊 Nature 上发表了全球基于 MRAM（磁性随机存储器）的存内计算研究。存内计算由于毋需数据在存储器和处理器间移动，大大降低了 AI 计算的功耗，被视作边缘 AI 计算的一项前沿研究。三星电子的研究团队通过构建新的 MRAM 阵列结构，用基于 28 nm CMOS 工艺的 MRAM 阵列芯片运行了手写数字识别和人脸检测等 AI 算法，准确率分别为 98% 和 93%。研究人员表示，MRAM 芯片应用于 in-memory computing（内存内计算）电脑，十分适合进行神经网络运算等，因为这种计算架构与大脑神经元网络较为相似。 MRAM 器件在操作速度、耐用性和量产等方面具有优势，但其较低的电阻使 MRAM 存储器在传统的存内计算架构中无法达到低功耗要求。在本篇论文中，三星电子的研究人员构建了一种基于 MRAM 的新存内计算架构，了这一空白，这是MRAM研究的又一新突破。 近期，国内的众多课题组也在MRAM研究上取得了许多重量的工作。例如北航的赵巍胜课题组在2020年发表在APL上的——具有垂直各向异性的氦离子辐照W-CoFeB-MgO Hall bars中的自旋轨道矩(SOT)驱动的多层转换一文中，运用了特的氦离子辐照技术对W(4 nm)/CoFeB (0.6 nm)/MgO (2 nm)/Ta (3 nm)多层膜进行了结构的调控，通过对调控前后以及过程中磁学和电学性质变化的研究，表明这种使用离子辐照调控多层电阻的方法在实现神经形态和记忆电阻器件领域显示出巨大的潜力。图中Kerr 图像显示了 SOT 诱导的磁化转换过程中Hall bars电流的增加，白色虚线表示纵向电流线和横向电压线。红色方框对应于氦离子辐照区域。（ii） 和 （iv） 中的黄色箭头代表畴壁运动的方向。 离子辐照除了在MRAM研究领域小试牛刀外，在斯格明子的研究中也令人眼前一亮。 法国自旋电子中心(SPINTEC) 和法国Spin-Ion公司合作发表在NanoLetters上的一篇文章，题目为：氦离子辐照让磁性斯格明子“走上正轨”。文中指出，氦离子辐照可被用于在“赛道上”“创造”和“引导”斯格明子，文章证明了氦离子辐照带来的垂直磁各向异性和DMI的变小，可导致稳定的孤立斯格明子的形成。图中红色轨道尺寸为6000×150 nm2，间距为300 nm，用氦离子辐照的区域。图中显示了氦离子辐照的红色轨道区域不同磁场下的MFM图像。 以上两篇文章采用的离子辐照设备来自法国Spin-Ion公司。法国Spin-Ion公司于2017年成立，源自法国研究中心/巴黎-萨克雷大学的知名课题组。Spin-Ion公司采用Ravelosona博士的创新技术，在磁性材料的离子束工艺方面有20年的经验，拥有4项和40多篇发表文章。Spin-Ion公司推出的产品——可用于多种磁性研究的离子辐照磁性精细调控系统Helium-S，可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移。该设备使用特有的离子束技术在原子尺度上加工材料，可通过离子束工艺来调控薄膜和异质结构。目前全球已有20多家科研和工业的用户以及合作伙伴使用该技术。2020年Spin-Ion公司在中国也已安装了套系统，Helium-S有的技术能力正吸引来自相关科研圈和工业领域越来越多的关注。 产品主要应用领域：磁性随机存储器(MRAM)：自旋转移矩磁性随机存储(STT-MRAM), 自旋轨道矩磁性随机存储(SOT-MRAM), 磁畴壁磁性随机存储(DW-MRAM)等自旋电子学：斯格明子，磁性隧道结，磁传感器等磁学相关：磁性氧化物，多铁性材料等其他：薄膜改性，芯片加工，仿神经器件，逻辑器件等 产品特点：● 可通过紧凑和快速的氦离子束设备控制原子间的位移，通过氦离子辐照可调控磁性薄膜或晶圆的磁学性质。● 可提供能量范围为1-30 keV的He+离子束● 采用创新的电子回旋共振（ECR）离子源● 可对25毫米的试样进行快速的均匀辐照（如几分钟）● 超紧凑的设计，节省实验空间● 也与现有的超高真空设备互联 测试数据：调控界面各向异性性质和DMI 低电流诱发的SOT转换获取 控制斯格明子和磁畴壁的动态变化 用户单位 已经购买该设备的国内外用户单位：University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Beihang University (China)Nanyang Technological University and A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表：[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona, J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14 21(7):2989-2996 参考文献：[1]. Nature 601, 211-216（2022）[2]. Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[3]. Nano Lett. 2021 Apr 14 21(7):2989-2996

对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说，高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此，泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)产品总经理Aaron Fellis介绍了StrikerFE增强型ALD平台将如何以其高性能推进技术路线图的发展。沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3D NAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。泛林集团去年推出的StrikerFE增强版原子层沉积(ALD)平台可解决3D NAND和DRAM领域的半导体制造难题。该平台采用了被称为“ICEFill”的先进电介质填充技术，可用于先进节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑器件。泛林集团副总裁兼电介质ALD产品总经理Aaron Fellis指出，填充相关技术的需求一直存在，但原有的那些方法已不能满足新的需求，尤其是3D NAND堆栈越来越高。他表示：“除了堆叠层数非常高以外，为了能整合不同步骤，还要通过刻蚀来满足不同的特征需求。最终我们需要用介电材料重新进行填充，这种材料中最常见的则是氧化硅。”Fellis指出，化学气相沉积、扩散/熔炉和旋涂工艺等半导体制造行业一直以来使用的传统填充方法总要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满足3D NAND的生产需求，“这些技术往往会收缩并导致构建和设计的实际结构变形”。由于稳定、能耐受各种温度且具备良好的电性能，氧化硅仍然是填隙的首选材料，但其沉积技术已经有了变化。以泛林集团的Striker ICEFill为例，该方案采用泛林独有的表面改性技术，可以实现高选择性自下而上的无缝填充，并同时能保持原子层沉积(ALD)固有的成膜质量。Fellis表示：“标准ALD技术能大幅提升沉积后的成膜质量，这样就解决了收缩的问题。”采用ICEFill先进电介质填隙技术的StrikerFE增强版原子层沉积平台可用于3D NAND和DRAM架构的填充在Fellis看来，即使能通过高密度材料实现良好的内部机械完整性，标准ALD仍可能导致某些器件中出现间隙，而且其延展性可能出现问题。而采用自下而上填充的ICEFill则能实现非常高质量的内部成膜且不会收缩。“它的可延展性非常高。”他表示，这意味着可用其满足任何步骤的填充需求，包括用于提升机械强度和电性能等，“在所制造的器件内部某一特定间隙中，填充材料都具有统一的特性。”用于存储器件的沉积技术有自己的路线图，而推动其发展的各种存储技术进步也同时决定了现有技术的“保质期”，Fellis表示，“技术将向更高和更小发展”。预料到3D NAND堆栈增高带来的挑战，泛林集团早已开始着手改进其Striker产品。他说：“随着客户按自己的路线图发展，我们看到他们需要提高成膜性能的需求。堆叠依然是创新的推动力。”美国半导体产业调查公司VLSI Research总裁Risto Puhakka表示，作为ALD技术的主导者，泛林集团的技术需求反映了存储行业的普遍需求，即通过提升存储密度来满足人工智能等应用的高存储需求，但同时还要避免成本提升。而3D NAND等存储器件随着堆栈高度不断提升，对填充技术也提出了更高的要求。Puhakka说：“堆栈相关的制造难题越来越多，芯片制造商也会担心花费过高的问题。”在这种情况下，继续使用非常熟悉的材料（例如氧化硅）有助于更好地预测成本。

磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器，与其他存储技术相比，MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。因此，近些年来MRAM引起了不少科研机构和企业的关注，相应的高端测试设备需求也随之增加，而Hprobe公司生产的IBEX-300晶圆超快三维磁场探针台为一个不错的选择。 IBEX-300晶圆超快三维磁场探针台 与传统的探针台相比，IBEX-300是专门用于晶圆片在磁场下的表征和测试的仪器。它基于技术的三维磁场发生装置来进行超快的磁阻测试，整个测试过程全自动完成，可以根据用户的测试需要来自定义测试程序，为磁性器件（传感器和存储器）的开发、工艺和生产带来了完整的测试解决方案。 主要应用方向：磁性隧道结磁随机存取存储器集成磁传感器(Hall, GMR, TMR)智能传感器 主要测试模式：开路/短路 测试AC/DC I-V, R-V 测试AC/DC 击穿电压测试读/写脉冲测试R-H 角度/幅值 回线测试误码率测试器件循环和稳定性测试 三维磁场发生装置超快磁场扫描 三维磁场发生装置可以实现各磁场空间轴的立驱动，也可以控制磁场在任意空间方向，以及产生旋转磁场等。磁场的扫描采样速率可由静态磁场控制到幅值超过10,000步/秒。 测试程序界面良率测试结果示意图 目前Hprobe公司已经向全球多个半导体工厂交付了IBEX-300三维磁场探针台，同时面向客户开放部分样品测试。

近日，《2022年河南省数字经济发展工作方案》（以下简称《工作方案》）印发。《工作方案》提出加强与优势企业合作，引进落地一批晶圆制造、芯片制造、新型存储器项目。推动郑州锐杰微SIP芯片封装、鹤壁仕佳光子阵列波导光栅（AWG）及半导体激光器芯片产业化等项目建设，提升封装和材料支撑能力。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅，有关省辖市政府）《工作方案》还提出要新建150个智能工厂（智能车间）、选树10家智能制造标杆企业，新建15个数字化转型促进中心，培育100个左右新一代信息技术融合应用新模式项目，培育15个左右细分行业、特定领域和产业集群工业互联网平台，加快洛阳、许昌、漯河、郑州、新乡等工业互联网标识解析体系二级节点建设和应用推广，支持重点行业龙头企业再建设一批二级节点。《工作方案》如下：2022年河南省数字经济发展工作方案为深入贯彻中央经济工作会议加快数字化改造有关精神，认真落实省委、省政府实施数字化转型战略安排部署，推进我省数字经济持续快速发展，制定本方案。一、工作思路以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入贯彻落实省第十一次党代会精神，抢抓数字经济发展和新型基础设施建设的重要机遇，深入实施数字化转型战略，推进“5110”工程，坚持数字产业化、产业数字化、数字化治理、数据价值化、数字生态化“五化”发展，强化国家大数据综合试验区建设牵引，重点推动新型基础设施提速、数字经济核心产业提升、农业数字化深化、智能制造和工业互联网推进、智慧物流电商建设、智慧文旅发展、新型智慧城市提质、数字政府提效、数字乡村建设、数字经济生态体系建设等10个行动，全方位打造数字强省。二、发展目标数字经济总量规模快速增长。2022年，全省数字经济增长15%以上，力争占GDP的比重超过30%。基础支撑能力全面提升。实施数字经济重大项目1000个，完成年度投资2000亿元，其中新型基础设施领域重点实施64个总投资10亿元以上的项目，全省服务器、PC机产能分别达到150万台、300万台。产业数字化转型深入推进。聚焦智能制造、智慧能源、智慧物流、智慧文旅、数字农业、智慧城市、数字治理、智慧交通、智慧生态、智慧园区等10个领域，建设100个以上示范应用场景，赋能经济社会转型发展。政府治理服务效能不断提高。数字政府监管服务范围和功能持续拓展，新型智慧城市建设深入开展，城市治理智能化、人性化和可诊断、可预测水平进一步提高。三、重点工作（一）构建高水平新型基础设施体系。实施新型基础设施提速行动，推进信息、融合、创新基础设施提速发展。1.加快建设信息基础设施。开展“双千兆”建设，实施一批千兆宽带应用试点，推动5G网络由规模建设、广泛覆盖向按需建设、深度覆盖发展，新建5G基站4万个。扩容提升郑州国家级互联网骨干直联点等关键枢纽设施，规划建设国家新型互联网交换中心。统筹布局数据中心、智能计算中心、边缘计算中心，加快实施中原大数据中心二期、中国移动网络云郑州大区中心、郑州人工智能计算中心等项目。加快自主可控、全栈国产化的“黄河云”建设，推动省内重点国有企业、中小企业上云。（责任单位：省通信管理局、发展改革委、工业和信息化厅，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）2.优化提升融合基础设施。建设安阳至罗山等智慧高速公路、郑州地铁12号线智慧地铁示范线，完善全省智能充电网络，提升能源大数据中心功能，有序推进郑州、开封、洛阳、濮阳、新乡、焦作氢燃料汽车示范城市氢能基础设施建设，新建公共充电桩8000个以上、智能化示范煤矿5个以上。推进环保、水利、健康、城管等领域数字化改造，完善省生态环境综合管理平台，建设“水利大脑”、智慧健康大数据创新应用中心，在城市管理、工程监管、城市体检等重点领域推进一批“CIM+”示范应用。（责任单位：省发展改革委、交通运输厅、生态环境厅、水利厅、卫生健康委、住房城乡建设厅，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）3.超前部署创新基础设施。推进嵩山、神农种业、黄河实验室和超短超强激光平台、新一代正负离子对撞机等重大科学基础设施建设。提升国家超算郑州中心发展水平，研制新一代国产高性能处理器（郑大芯），力争运算性能保持国际前列，组建郑大曙光研究院，在先进计算领域培养一批优秀人才。（责任单位：省科技厅、发展改革委，有关省辖市政府）（二）提升发展数字经济核心产业。实施数字经济核心产业提升行动，培育壮大优势产业集群。1.先进计算产业。成立超聚变工作推进专班，制定支持政策措施，加快超聚变全球总部基地、记忆科技服务器及配件、弗兰德科技园等重大项目建设，吸引集聚20家左右原材料、部件、软件等产业链配套企业，构建集研发设计、生产制造、融合应用为一体的产业生态。提升黄河、紫光、曙光、浪潮、长城等重点企业产业化能力，加快计算产品在政务、金融、能源等重点领域的应用示范。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅、大数据局、地方金融监管局、人行郑州中心支行，有关省辖市政府）2.新型显示和智能终端产业。加快建设郑州航空港区智能终端产业园、富士康周口科技工业园、南阳国家级数字光电产业园等，巩固提升高端智能手机产业，积极发展投影机、VR/AR、可穿戴设备等新型智能终端。推动郑州华锐光电第五代薄膜晶体管液晶显示器件、中光学220万套微纳智能显示系统等重大项目实施，发展机构件、显示靶材、玻璃盖板、摄像模组等关键材料和器件。（责任单位：省发展改革委、工业和信息化厅、科技厅，有关省辖市政府）3.物联网产业。依托汉威科技、新天科技、新开普等龙头企业，加快建设中国智能传感谷启动区，配套建设河南省智能传感器中试基地、产学研基地、检测中心等相关设施，重点发展MEMS传感器、智能传感器材料、智能传感器终端等全产业链。推动新乡新东微电子6英寸MEMS中试基地等重大项目建设，支持开封、洛阳、新乡、鹤壁、三门峡、南阳等地发展各具特色的物联网配套产业。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅，有关省辖市政府）4.网络安全产业。实施郑州紫荆网络信息安全科技园、信大捷安光接口网络安全芯片、智感物联网公司商用密码应用等项目，扩大网络安全产品示范应用，积极引进绿盟科技等优势企业。加强与信息工程大学的战略合作，推进科技成果转化，落地一批合作项目。（责任单位：省发展改革委、工业和信息化厅、科技厅、省委网信办，有关省辖市政府）5.新一代人工智能产业。加快云迹科技服务机器人研发生产基地、百度智能交通边缘计算产线等建设，积极发展智能网联汽车、智能机器人、智能无人机等智能产品，举办国际智能网联汽车大赛，建设国家新一代人工智能创新发展试验区。实施“智能+”应用示范项目，推进无人驾驶、智能家居、智能农机、智慧物流等示范应用。（责任单位：省发展改革委、工业和信息化厅、科技厅，有关省辖市政府）6.集成电路产业。加强与优势企业合作，引进落地一批晶圆制造、芯片制造、新型存储器项目。推动郑州锐杰微SIP芯片封装、鹤壁仕佳光子阵列波导光栅（AWG）及半导体激光器芯片产业化等项目建设，提升封装和材料支撑能力。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅，有关省辖市政府）7.软件和信息服务产业。推动鲲鹏软件小镇、金水科教园区、中关村信息谷（南阳）软件创业基地等加快建设，争取引进落地20家以上优势企业。开展河南省软件产业园区申报评选，支持郑州金水科教园区、洛阳国家大学科技园等重点园区创建中国软件名园。开展河南省首版次软件产品评选，支持软件技术产品创新。加强软件人才培育，建设一批现代产业学院和高水平实训基地，培养2万名具有专业技术水平和实践操作经验的软件人才。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、人力资源和社会保障厅，有关省辖市政府）8.第五代移动通信（5G）产业。加快中兴5G微基站、垂天5G智慧合杆制造基地、易事特5G+科创园、光远5G用超薄电子级玻璃纤维布等项目建设，大力发展基于5G的智能终端、关键器件和基础材料产业，培育打造省级5G产业示范基地、5G应用创新引领区，形成一批5G+智能制造、智慧医疗、智能交通、智慧教育等示范应用场景。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅、省通信管理局，有关省辖市政府）9.区块链、卫星、量子通信等前沿产业。制定河南省区块链技术应用和产业发展行动方案，推动区块链场景应用，依托郑州市中原科技城加快建设河南省区块链产业基地，引进集聚一批区块链知名龙头企业，支持中盾云安、盛见网络等本土区块链企业做大做强。建设郑州北斗产业园、郑州北斗云谷、河南省地理信息产业园，发展北斗卫星导航定位及位置服务软硬件产品。建设河南省量子信息技术实验室，引进和培育一批量子通信元器件生产、设备制造、网络建设及运营服务企业。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委、科技厅、大数据局、省委网信办、军民融合办，有关省辖市政府）10.平台经济。积极培育平台经济新业态，支持开展在线教育、在线办公、互联网医疗等线上服务试点，探索发展无人配送、无人零售、无人餐厅、无人物流等服务业态，培育一批专业功能独特、创新竞争力强的独角兽、瞪羚企业，支持UU跑腿、酒便利等省内平台企业走向全国。建立跨部门协同监管工作机制，推动平台企业健康规范发展。（责任单位：省发展改革委、工业和信息化厅、商务厅、市场监管局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）（三）加快推动产业数字化转型。实施农业数字化深化、智能制造和工业互联网推进、智慧物流电商建设、智慧文旅发展行动，全面赋能产业结构升级。1.推进农业数字化试点。持续推进“一村九园”数字化改造，推动延津小麦、柘城辣椒、浉河茶叶等国家数字农业试点建设，推进小麦、花生、生猪等领域精准种养试点示范。加快农机装备数字化改造，开展后装农机远程运维终端试点。（责任单位：省农业农村厅、发展改革委，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）2.全面提升制造业智能化水平。分行业实施数字化改造，分级推进企业智能化提升，开展“数字”三品行动，以数字化转型赋能制造业增品种、提品质、创品牌，推动规模以上工业企业生产、管理、营销、供应链一体化。新建150个智能工厂（智能车间）、选树10家智能制造标杆企业，新建15个数字化转型促进中心，培育100个左右新一代信息技术融合应用新模式项目，培育15个左右细分行业、特定领域和产业集群工业互联网平台，加快洛阳、许昌、漯河、郑州、新乡等工业互联网标识解析体系二级节点建设和应用推广，支持重点行业龙头企业再建设一批二级节点。提升郑州、洛阳等中心城市工业智能化水平，推动率先实现规模以上工业企业智能化改造全覆盖。推进企业上云上平台，新增上云企业3万家以上。（责任单位：省工业和信息化厅、发展改革委，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）3.深入推进服务业数字化转型。实施深国际物流北方区域总部智慧港等重大项目，提升郑州空港型、洛阳生产服务型国家物流枢纽和许昌等区域物流枢纽智能化水平。深入开展跨境电商综试区试点示范工作，培育形成一批样板企业和园区。推动大遗址、博物馆等文博场所数字化升级改造，以“龙门数字化展示中心”“数字红旗渠纪念馆”为引领，建成一批沉浸式数字体验场馆。推广河南省金融服务共享平台和“信易贷”信用大数据平台，开展智慧金融建设试点。推动办公楼宇、住宅小区、商业街区等实施智能化改造，布局建设智慧超市、智慧商店、智慧驿站，提供便民化、适老化智能产品和服务。（责任单位：省发展改革委、商务厅、文化和旅游厅、住房城乡建设厅、地方金融监管局、人行郑州中心支行、河南银保监局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）（四）推进新型智慧城市深入覆盖。实施新型智慧城市提质行动，加快构建市、县（区）、社区三级智慧城市发展体系。1.加快推进新型智慧城市试点建设。开展8个省级新型智慧城市试点建设中期评估，推广一批典型应用场景。支持基础较好的省辖市率先建设CIM平台、时空大数据平台等，打牢数字孪生城市发展根基。应用BIM技术，构建数字设计基础平台和集成系统。加强历史建筑、历史文化街区保护，推进地铁、涵洞、地下停车场等地下设施智能化改造。（责任单位：省发展改革委、住房城乡建设厅、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会）2.加快智慧社区建设。推动省级智慧社区试点加快建设，鼓励相关部门丰富便民应用，对接社区各类软硬件设施，推广社区服务管理的智能化应用，打造线上线下相结合的一体化智慧社区。推动许昌市魏都区国家智能社会治理（社区治理特色）实验基地建设，发挥引领示范作用。总结省级智慧社区试点建设经验做法，推动各地增点扩面，全面开展智慧社区建设。（责任单位：省发展改革委、民政厅、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）3.推动县城智慧化改造。选择10个县开展县城智慧化改造试点，实施一批公共基础设施数字化改造项目，加快交通、水电气热等市政领域数字终端、系统改造建设，提升县城智慧化水平。（责任单位：省发展改革委、住房城乡建设厅、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）（五）全面提升数字化治理能力。实施数字政府提效、数字乡村建设行动，提高政府管理服务效能。1.加快数字政府建设。加快实施省大数据中心一期工程，构建大数据应用支撑体系，推进全省政务数据信息共享和业务协同。持续提升政务服务能力，推动省一体化政务服务平台、政务服务移动端迭代升级，实现4000项政务服务事项全豫通办、全程网办。全面加强“互联网+监管”，推进政务服务“好差评”全覆盖，推动实名差评回访整改率达到100%。（责任单位：省大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）2.提高数字化公共服务效能。优化完善全民健康信息标准化体系，推进省医疗保障平台建设，提升医疗机构智慧化服务水平。建设完善“互联网+教育”政务服务一体化平台，开展智慧教育试点，遴选不少于20个智慧教育示范区、示范校。稳步推进智慧养老服务平台建设，争取老年人入网人数达到1000万以上。深化智慧健康养老应用试点示范，推广物联网和远程智能安防监控技术。（责任单位：省卫生健康委、医保局、教育厅、民政厅、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）3.推动数字乡村建设。着力抓好30个省级数字乡村示范县建设，总结推广乡村数字化治理典型经验做法，力争新创建10个省级数字乡村示范县。深入推进农业农村大数据服务平台一期建设，探索制定数字乡村建设相关省级地方标准，加速现代信息技术在农业农村领域的普及应用和深度融合。（责任单位：省委网信办、省农业农村厅、市场监督管理局、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）（六）优化数字经济发展环境。实施数字经济生态体系建设行动，加快产业园区、要素市场建设，统筹推进优势企业培育、对外开放合作。1.建设数字经济发展高地。支持郑州、洛阳加强协同，制定实施方案，在核心产业发展、产业数字化转型、数据价值化等领域先行先试，加快数字经济集群化发展，建设郑洛数字经济创新发展试验区。认定一批省级数字服务出口基地，支持有条件的地区积极申建国家数字服务出口基地。（责任单位：省发展改革委、商务厅，郑州市、洛阳市政府）2.提升数字经济园区能级。推动各地优化整合省级大数据产业园，创建省级数字经济示范园区。在全省标准化推广建设智慧岛双创载体，实现省辖市全覆盖。推动先进制造业开发区智能化升级，建设智慧园区综合服务平台。（责任单位：省发展改革委，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）3.分类培育数字经济优势企业。围绕“芯屏网端器”重点领域，研究制定支持政策措施，培育100家左右数字经济重点企业。强化核心企业引领，推动超聚变、豫信电科等企业拓展市场，提升产业规模和综合竞争力。（责任单位：省发展改革委、工业和信息化厅，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）4.培育数据要素市场。支持郑州、新乡、濮阳等市建设数据价值化试点，探索开展数据确权、定价、交易，推动政务数据有序开放共享、政企数据高度融通，在农业、物流等优势领域形成一批数据价值化应用场景。（责任单位：省发展改革委、大数据局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）5.举办重大活动。持续办好数字经济峰会、全球跨境电子商务大会、“强网杯”全国网络安全挑战赛、5G应用征集大赛、大数据分析师竞赛、互联网大会、世界传感器大会等重大活动，深化数字经济开放合作，不断扩大河南数字经济影响力。（责任单位：省委网信办、省科协、省发展改革委、商务厅、工业和信息化厅、通信管理局，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）6.加强宣传引导。贯彻实施省“十四五”数字经济和信息化发展规划、新型基础设施建设规划，切实把各项部署落到实处。举办省数字经济促进条例系列宣传活动，增强全社会数字经济发展意识，营造良好法治环境。加强数字经济宣传、教育、培训，提升全民数字素养和技能。（责任单位：省委宣传部、网信办、省发展改革委，各省辖市政府、济源示范区管委会、各省直管县〔市〕政府）四、保障措施（一）强化组织领导。建立完善省、市、县三级数字经济工作推进机制，省数字经济发展领导小组统筹推进数字经济发展，组织开展观摩交流，协调解决新型基础设施建设、核心产业发展等工作推进中的重大事项和问题，市、县研究制定具体推进方案和政策举措，确保相关工作落到实处。（二）强化政策引导。加快设立省数字经济政府引导基金，吸引市场化投资机构发起子基金或定向投资重点企业和项目，引进培育数字经济初创企业。鼓励各地根据发展实际，设立数字经济发展专项资金，制定支持产业集聚发展、企业主体培育、创新能力提升等政策措施。（三）强化项目建设。坚持体系化推进数字经济项目建设，按季度纳入省重点项目“三个一批”活动，定期集中签约、开工、投产一批重大项目。加强资金、土地、人力资源、数据等要素保障，提供精准、高效、优质服务，推动签约项目早开工、开工项目早投产、投产项目早达效。

IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到的最大障碍是，当缩小到原子级别时，相邻比特位之间会产生交互作用，一个比特位的磁化会影响到相邻比特位。　　为克服这一缺陷，IBM的科学家利用扫描隧道显微镜在原子层级对一组12个反铁磁材料原子进行操作，在低温下使其存储了一个比特位的信息，并保持了若干小时。利用这些原子固有的交变自旋方向，科学家展示了排列得比以往紧密得多的磁性比特位。这大大增加了磁性存储的密度。

位于马格德堡的马克斯普朗克研究所正在进行一项可持续储能系统的研究。LAUDA 为其提供所需的温度控制系统。 德国为实现能源转型采取多项措施，到 2050 年，可再生能源发电量应占电力消耗量的 80%。随着风能、光伏和其他可再生能源的增长以及社会电气化程度的日益提高，经济、政治和科学领域面临着巨大挑战：在生产过剩时，分散获取的能量必须尽可能得到有效、持久的存储，以便在消耗高峰期向供能网络输送能量。“Power to Gas”（电制气）被称为是一项前景广阔的能源产业设计。它利用电解和甲烷化将风能或太阳能转化为甲烷。从而将能量以气体形式储存，并在需要时进行重新利用。在汽车领域，甲烷化也可以推动燃气汽车的普及。燃气汽车所需的甲烷，生产方式环保。世界各地的研究人员正在全力以赴地使这项技术更简化，更加贴近能源产业。马格德堡的马克斯普朗克研究所处于这一复杂系统的研究前沿，近七年来，该研究所一直在从事该领域的研究。在研究工作中，研究所为其试验设备使用 LAUDA 换热系统，该换热系统必须满足研究人员极其苛刻的技术要求。 要求高精度的快速冷却LAUDA 加热和冷却系统是温度控制设备制造商 LAUDA 的工业分部，它根据客户需求，量身定制地规划并制造温度控制设备。针对马克斯普朗克研究所的项目，LAUDA开发出了 ITH 350 型换热系统。该设备用于反应器的温度控制。其中，LAUDA 设备的冷却效率必须达到每分钟 100 K，且温度不得过冲，以免影响最终产品的质量。所以设备在不低于特定温度值的前提下必须快速冷却，以免对工艺过程造成损害。对于 LAUDA 工程师来说，这也是一项挑战，因为传统意义上来说换热系统通常是被用于进行恒温控制的。而对于马克斯普朗克研究所的研究项目来说，该设备现在必须反应迅速地进行冷却。 几分钟内有效地从 340℃ 冷却至 150 ℃甲烷化反应会释放大量热能和高温，可能损坏反应器，特别是催化剂。到目前为止，曾循序渐进地启动过这些过程，然后稳定运行了数周。“我们首先尝试确定此过程的动态运行情况，并为新的运行策略和反应器设计得出初步方案。已经在计算机计算的基础上得到第一批有意义的结果，现在我们希望利用试验设备来验证这些结果”，项目负责人 Jens Bremer 对研究目标进行阐述道。对温度控制的要求相应较高。LAUDA换热系统实现了为此所需的精度。“反应器的性能和动力将在很大程度上取决于它的冷却。可快速调节的温度控制将灵活地实现对外部影响（例如减少氢的供应量）做出反应，而不必关闭反应器”，Jens Bremer 说道。 在此过程中，反应器会被通电加热至 340 ℃。一旦达到设定温度反应器就开始发生放热反应，必须将其迅速冷却至 150 ℃。通常使用的电子阀是用作调节元件，对于这种应用来说显然太慢。根据调节量，可以借助阀门更改冷却功率。利用冷却水冷却时，出于保护材料的考虑，冷却功率会在常规冷却任务中受到限制，这样即使在温度巨变时也能保护材料。这种情况下，即需要快速启动任务以达到所需的冷却速率，又不会向材料施加过大压力。因此，LAUDA 工程师安装了一个气动三通阀，它会在两秒内打开，以确保传热介质的冷却速度不低于每分钟 150 ℃。 在内部，换热系统由两个温度控制电路组成。第一个电路对缓冲容器进行温度控制，第二个电路则对马克斯普朗克研究所的试验装置进行温度控制。两个电路通过介质存储器彼此相连并使用相同的介质。客户对设备的另外一个要求是，所使用的传热介质工作温度必须最高可达 350℃。因此，LAUDA 选用了导热油，可满足对材料的高要求。 满足客户的特殊要求LAUDA 根据马克斯普朗克研究所的项目开发并设计出特殊的换热系统。早在使用计算机进行开发阶段，已经考虑到有限的空间条件。设备必须放置在一个特殊的安全穹顶内，这就使控制柜必须安装在旁边。根据客户要求，部分接口位于设备的底侧。安装时，LAUDA 将设备分为两部分运往马格德堡，并在那里用起重机吊入由安全玻璃制成的外壳内进行组装。 LAUDA用于甲烷化领域开发的换热系统，已经是第二次向马克斯普朗克研究所供货了。那里的研究人员对该温度控制设备制造商的表现非常满意：“从第一项方案设计到最终现场实施，我们得到了细致的建议和指导。在我们所联系过的制造商中，没有任何其他制造商能够为我们的特殊任务赋予这种灵活性的解决方案”，项目经理 Jens Bremer 解释道。 关于 LAUDA 我们是 LAUDA——精确温度控制领域的世界市场的先驱。我们的温度控制设备和加热/冷却系统是许多应用的核心。作为全方位服务供应商，我们在研究、生产和质量控制中保证最佳温度。我们是值得信赖的合作伙伴，特别是在汽车、化学/制药、半导体和实验室/医疗技术行业。60 多年来，我们每天都以崭新面貌在全球范围内提供我们专业咨询和创新的环保设计方案，满足我们的客户。 图片 1：pic_LAUDA_HKS_ITH_350_MPI_01_rho在马格德堡的马克斯普朗克研究所，LAUDA 换热系统不久将被安装到由安全玻璃制成的外壳内。（图片：马克斯普朗克研究所/Gabriele Ebel) 图片 2：pic_LAUDA_HKS_ITH_350_MPI_02_rho换热系统根据客户的特定需求进行了调整。图为打开的设备。所有电缆在交付前均进行过隔热处理。（图片：LAUDA） 图片 3：pic_LAUDA_HKS_ITH_350_MPI_03_rho马克斯普朗克研究所使用 LAUDA 设备进行能量储存过程的研究。为此，系统必须能够将温度精确控制在 150 °C。（图片：LAUDA） 图片 4：pic_LAUDA_HKS_SUK_350_4_18-12-06_rho在设计设备时，考虑到了现场有限条件以及研究人员的特殊要求。马克斯普朗克研究所对制造商的表现非常满意。（图片：马克斯普朗克研究所/Jens Bremer)

记者从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在高维量子信息存储方面取得重要进展，该实验室史保森教授研究小组在国际上首次实现携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲在冷原子系综中的存储，迈出了基于高维量子中继器实现远距离大信息量量子信息传输的关键一步。该成果近日在线发表在《自然&mdash 通讯》上。　　量子通信系统中作为载体的单光子所携带的信息量的大小与所处编码的空间维数有关。目前光子主要编码在一个二维空间，一个光子携带的信息量是一个比特。如果能将光子编码在一个高维空间，如无限维的轨道角动量空间，则单个光子所能携带的信息量将大幅度增加，极大地提高量子通信的效率，同时还可以提高量子密钥传输的安全性，并在量子力学的一些基本问题研究方面有非常重要的应用。　　远距离量子通信的实现和量子网络的构成必须借助于量子中继器，而量子存储单元是量子中继器的核心，实现光子携带信息在存储单元中的存储是实现中继功能的关键。虽然这方面的研究已取得重大进展，但迄今为止实验存储的单光子均为高斯脉冲，且被编码于二维空间，只能实现一个比特的存储。因此，能否实现编码于高维空间光子的量子存储是提高量子通信效率、构建基于高维中继器的远距离量子通信系统和量子网络的关键。　　史保森教授和博士生丁冬生等一直致力于解决上述问题。最近，他们首次成功实现了携带轨道角动量、具有空间结构的单光子脉冲的存储，证明高维量子态的存储是完全可行的。该小组通过两个磁光阱制备了两个冷原子团，利用其中一个冷原子团制备标记单光子，并使该光子携带一定的轨道角动量，具有特殊的空间结构。然后利用原子与光的相互作用将它存储于另一个作为存储介质的冷原子团中，结果证明单光子携带的轨道角动量及其叠加态都可以被高保真地存储。

澳大利亚国立大学领导的研究小组研发出了世界上迄今效率最高的激光量子存储技术，使我们朝着研制出超快速的量子计算机和提升通信安全指数的方向又迈进了一步。相关论文发表在6月24日出版的《自然》杂志上。　　该校物理与工程研究院激光物理中心的科学家首次通过阻断和控制激光来操控晶体中的电子。这一系统史无前例的高效率和高精准度可使激光精妙的量子特性被存储、操控和忆起。　　研究主导者摩根贺吉斯说，新技术大大减少了激光穿越过程中光子的损失，使其从单光子水平的微弱相干态调整至500个光子水平的亮态，并能将存储效率提升至69%，而传统的量子存储效率一般为17%，最高不超过45%。　　由于量子力学固有的不确定性，激光在穿越晶体过程中会遗失部分的信息，并能将存储的信息以三维全息图的方式即刻呈现出来。处于量子相干态时，仅能输入30个或更少的光子。而新技术将打破量子不可克隆定理，即单量子或未知量子态不能被克隆的限制，使更多的输入信息可被寻回，而非遗失或损坏，在实际应用中可显著提升通信的安全指数。　　此外，研究人员表示，激光存储还可用于测试和诠释基础物理现象，例如奇异的量子纠缠现象与爱因斯坦相对论存在着怎样的关联。主要研究人员马修塞拉斯介绍说：“我们能够在两种晶体存储器间实现量子纠缠。根据量子力学，无论双方相距多远，它们都保有特别的关联性，读取一个存储器内的信息必将即刻改变另一个存储器中所储存的信息 而根据相对论，存储器的移动方式将影响经过它的时间的长短。使用性能良好的量子存储器将大大降低测量和解释这些基础物理效应的难度，使其变得‘平易近人’。”　　研究小组此前曾成功地将晶体中的光束阻断了1秒多的时间，为当时最好成绩的1000倍。将光束“冻住”的时间大大延长，意味着可能据此找到实用方法，以制造出光子计算机或量子计算机所需的存储设备。下一步研究团队还将再接再厉，在兼顾提升存储效率的同时，使储存时间延长至若干小时。

松山湖材料实验室研究员梅增霞和博士朱锐联合其他合作者，提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。相关成果近日发表于《自然–通讯》，并被推荐为Feature Article。光电存储器件是将光的信息转换为电信号并进行存储的一类新型器件。相比于传统的闪存器件，额外的控制端——光的加入赋予了光电存储器件新的调控维度，因此会带来一些新的、迷人的器件特性。当前光电存储器件的研究仍处于起步阶段，主要存在着编程电压高（ 20 V）、编程光功率大（ 1mW cm-2）和可移植性差等问题。该研究提出了一种基于光敏介质的全新光电存储器件结构。借鉴闪存的结构，在保留浮栅的同时，研究人员用传统的栅介质层取代了隧穿介质层，将光敏层放到了上面常规介质层的位置——通过光脉冲调控光敏介质层的绝缘特性和光敏特性即可实现数据的擦写和存储；另外，在该结构中只需提供一个小的栅压去明确光生载流子的运动方向即可，因此光生载流子的存储利用率也得到了极大的提高。该设计完全改变了传统闪存结构中载流子注入/离开浮栅的方式和方向，因此巧妙摆脱了器件性能对沟道层的依赖。可以看到，该创新设计可从根本原理上解决器件能耗高和移植性差等问题。光敏介质层的选择和可控制备是实现该设计的核心。研究人员基于多年的氧化物半导体材料及器件研究经验，选择了非晶氧化镓作为光敏介质层制备了最终的光电存储器件。器件的最大操作电压和光功率密度均实现了大幅度的降低（4V和160 mW cm-2），同时也实现了优异的多态存储和疲劳特性等器件性能。该研究创新的器件结构和工作机制可以移植到与光刻工艺兼容的任何晶体管上，如应用到Si基晶体管上，以实现高性能固态存储；应用到有机或二维材料基晶体管上，以实现柔性存储；还可用于同时兼顾传感和存储的多功能传感研究领域。

磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）利用磁隧道结自由层磁矩取向不同引起的磁阻不同作为存储单位0和1，同时结合传统的磁存储（PMR）非易失性及静/动态随机存储器（SRAM/DRAM）读写速度快的双重优点，在科研及工业界广受欢迎，并被认为是替代传统随机存储器的下一代存储技术的潮流和趋势。随着自旋转移矩效应（Spin Transfer Torque， STT）的发现及迅速应用，长期制约MRAM由科研阶段向工业量产阶段转变的技术难点“写入困难”被成功解决，同时为了进一步提高磁随机存储器的存储密度，近年来垂直取向的磁随机存储单元-隧道结（MTJs）取代了水平取向的磁随机存储单元，与STT技术一道成为了新的磁随机存储技术-垂直型STT-MRAM。图1 MRAM晶圆及MTJs存储单元 MRAM器件化和产业化的关键是对晶圆的磁性薄膜及磁性存储单元的生长和性能实现控制，特别是存储单元中的核心部件磁隧道结（MTJs），磁隧道结一般由磁性各异的多层膜构成，而隧道结终的性能又由多层膜中各层薄膜的性能所综合决定，然而MTJs的多层膜中每一层的厚度一般在几纳米至几十纳米之间，每一层的磁矩信号都非常弱(5*10-6emu），因此需要高精度的磁性检测设备来对晶圆薄膜及磁性存储单元的磁学性能进行测试，并反过来监控和改进晶圆的生长工艺。 图2 PKMRAM_300设备 美国Microsense公司的垂直磁随机存储器晶圆专用的PKMRAM_300型MOKE系统为目前少数可实现大尺寸晶圆（直径300mm）的高精度磁性检测设备，具有检测灵敏度高，测量精度高，测样速度快，设备操作高度智能化和自动化的特点，可实现无人值守式工作，因此在全球磁随机存储器研发生产单位中广受欢迎。 图3 PKMRAM_300典型测试结果图 日前，国内套PKMRAM_300正式落户杭州，将在新型磁随机存储器技术的研发及实现量产化的进程中发挥作用。祝愿此次PKMRAM_300 磁随机存储器磁检测系统的落户，能够帮助科学研究人员在磁随机存储技术领域内取得更多突破，在范围内占据技术点。相关产品链接：磁电阻随机存储器向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202460.htm面内磁存储纵向克尔效应测量系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202463.htm充磁系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C203306.htmDiskMapper H7 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C202452.htm

据后摩智能官微消息，后摩智能近期已完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界，后续将与车规级应用场景结合。据了解，后摩智能该款RRAM芯片能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景，更新版本可以实现对车规级应用的支持，尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求，在工业电子类/消费电子类，其功能/性能能满足对eFlash场景的替代，甚至能够改变原有计算架构，对只读/少读场景有较大的革命优势。在功耗性能方面，该款RRAM芯片整体功耗低至60mW，支持power down模式，支持不同区域分别关断功能，支持sleep模式等，可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。后摩智能表示，可为客户提供先进非易失存储器，尤其是嵌入式的存储器的设计能力，逐步形成以0.5 MB ~ 128 MB范围的嵌入式存储器定制化服务，在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。

液体密度计是一种用于测量液体密度的仪器，对于多个领域都有重要的检测帮助。 首先，液体密度计在化工领域的应用非常广泛。在化工生产过程中，需要对各种液体进行密度测量，以确保产品质量和生产效率。液体密度计可以快速准确地测量液体的密度，帮助化工企业实现生产过程的自动化控制，提高生产效率和质量。 产品链接https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104275/C549000.htm 其次，液体密度计在食品工业中也有着广泛的应用。在食品加工过程中，需要对各种饮料、乳制品、油脂等液体进行密度测量，以确保产品的质量和口感。液体密度计可以方便快捷地测量液体的密度，为食品企业提供准确的测量数据，帮助企业控制产品质量和成本。 此外，液体密度计在医药领域也有着重要的应用。在药品研发和生产过程中，需要对各种药物溶液进行密度测量，以确保药品的质量和安全性。液体密度计可以精确地测量药物溶液的密度，为医药企业提供准确的测量数据，帮助企业研发和生产高质量的药品。 总之，液体密度计在化工、食品、医药等多个领域都有着广泛的应用，对于液体的密度测量有着重要的帮助。

互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase，简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技术节点不兼容、擦写次数受限等问题。这一问题是基于o相HfO2基铁电材料的本征特性，难以通过传统的优化工艺加以解决。因此，探寻结构稳定且具有低翻转势垒的HfO2基铁电材料是亟待解决的难题。 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与物理研究所研究员杜世萱团队合作，发现了稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构。这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。研究通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算发现，当Hf(Zr)1+xO2材料中，Hf(Zr)与氧的比例大于1.079:2时，三方相的形成能低于铁电o相和单斜相(m相)的形成能。扫描透射电子显微镜(STEM)实验清晰显现了过量Hf(Zr)原子嵌入在铁电三方相晶格的晶体结构，证实了理论计算的结果。嵌入的Hf(Zr)原子扩展了晶格，增加了其面内和面外应力，起到了稳定Hf(Zr)1+xO2材料结构和降低其铁电翻转势垒的作用。基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电器件展示了超低矫顽场(~0.65MV/cm)、高剩余极化(Pr)值(22μC/cm2的)、小的饱和极化电场(1.25MV/cm)、和大的击穿电场(4.16MV/cm)，并在饱和极化下实现了1012次循环的耐久性。这一研究结果为低功耗、低成本、长寿命的存储器芯片提供了一种有效的解决方案。 　　研究工作得到科学技术部、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、中国科学院的支持。近期，相关研究成果发表在《科学家》(Science)上。中国科学院大学的科研人员参与研究。图1. 平面铁电电容器的基本特性及Hf(Zr)1+xO2薄膜的结构表征图2. 富含Hf(Zr)原子的菱面体Hf(Zr)1+xO2薄膜的原子尺度STEM分析图3. 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算图4. 基于Hf(Zr)1+xO2薄膜的铁电电容器的性能

存储器作为所有电子信息系统的核心与基石，其在现代信息技术中的重要作用不仅是大国竞争的焦点，更是制约国家安全的关键和核心技术。但是，我国存储器市场基本被美日韩企业所垄断，虽然市场规模约占全球的35%，但自给率不足5%。特别是随着人工智能、物联网和大数据等新信息技术的快速发展与普及，全球数据量呈现爆发式的增长，而市场主流存储器产品因存在物理极限、存储鸿沟和功耗高的问题，无法满足未来海量数据处理的要求。因此，发展新型非易失性存储器正成为世界强国竞争的制高点。铁电存储器是一种采用铁电材料的双稳态极化来存储信息的新型非易失性存储器，因具有极优异的抗辐照性能和长久的数据保存能力，近30年来备受国内外高度关注。然而，锆钛酸铅等传统铁电材料作为存储介质的最小薄膜厚度约为70 nm，不能突破物理极限，翻转速度约为100 ns，不能解决存储鸿沟，且面临组成元素污染集成电路工艺线的巨大难题。2011年意外发现具有铁电性的氧化铪，有望引领存储器同时突破物理极限、存储鸿沟和集成电路工艺兼容性问题。唤醒效应、疲劳失效、性能不均一是阻碍氧化铪基铁电存储器走向应用的瓶颈问题，根本原因在于对氧化铪的5d电子结构、畴结构、铁电相等反常铁电性科学本质认识不足。针对以上需求及挑战，西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院周益春教授团队开展5d电子材料铁电性物理本质与存储器设计新理论研究，以构建电子、声子以及跨尺度畴变模型，揭示5d电子材料铁电性的物理本质及其介观响应规律，建立畴与场效应协同的复杂系统器件设计新理论，从而实现铁电相、薄膜、存储器的全链条研制。(1) 提出了场效应与畴结构耦合的器件设计理论，建立了源漏电流（存储窗口）与栅电压、极化、应变、应变梯度之间的关联，实现了铁电存储器的电路设计与仿真，首次研制出64 kbit 氧化铪基铁电存储器。图1. 64 kbit铁电存储器及其功能演示照片(2) 基于与主流集成电路工艺线兼容的原子层沉积工艺，提出硅衬底上制备氧化铪基铁电薄膜的化-力-电多场调控原理和晶态high-k层降低铁电相形成能的策略，实现了杂相（化）、界面（力）、畴（电、力）的协同调控，在国际上首次实现了氧化铪基铁电存储器的后栅极制备工艺和后端集成工艺，并通过了标准工艺线的验证。图2 (a)8英寸氧化铪基铁电薄膜照片 (b) 后栅极工艺制备的铁电存储单元照片(3) 基于贝利相位和能带理论，揭示出氧化铪的铁电相是极不稳定的亚稳相，并阐明掺杂离子-氧空位复合缺陷、应变和电场的协同作用能有效稳定亚稳相；构建了氧化铪基铁电薄膜带电畴壁-内建电场相场模型，从理论上预测了氧化铪尾对尾90°电畴结构的存在及其对氧化铪基铁电薄膜“唤醒”效应与疲劳失效的影响规律，并通过像差校正扫描透射电子显微镜(Cs-STEM)证实90°电畴结构是导致氧化铪基铁电薄膜出现“唤醒”效应的重要原因。图3 氧化铪薄膜在(a)唤醒前和(b)唤醒后的晶相、电畴结构

近日，合肥高新集团投资企业合肥御微半导体技术有限公司（以下简称“御微半导体”）晶圆检测设备发往长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）。本次发运的晶圆缺陷检测产品，将帮助长鑫存储在晶圆生产前道制程中更加及时、全面、高效地检测出产品缺陷，从而减少缺陷产品处理中的不必要投入。作为一体化存储器制造商，长鑫存储专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成中国大陆第一座12英寸晶圆厂并顺利投产。长鑫存储是御微半导体安徽省内的首家客户，此次产品的成功发运，也为御微半导体进一步拓展安徽市场奠定了坚实基础。御微半导体总部于2021年7月正式落户合肥高新区，2022年1月正式投产，以集成电路检测设备为主营业务，始终致力于保障国家集成电路供应链的安全和自主可控，此前成功发运了合肥首台硅片全景检测产品。

近日，南昌大学化学化工学院、高分子及能源化学研究院陈义旺教授团队在能源转化和存储领域取得重要研究进展。在能源转化领域，通过调节铅基/非铅基钙钛矿吸光层结晶行为，实现高效、稳定钙钛矿光伏器件。在能源存储领域，通过构造和调控多级纳米结构与电极界面，实现高效氧还原电催化剂和锌金属电池的制备。得益于简易的溶液加工方式、优异的半导体性能以及对柔性可穿戴设备的兼容性，钙钛矿太阳电池已成为光伏商业化应用中极具潜力的候选者之一。然而，相比于传统光伏技术长达20年的使用寿命，钙钛矿太阳电池的稳定性仍是制约其商业化应用的关键因素。作为制备钙钛矿太阳电池的初始材料，前驱体溶液中的高活性组分极易发生副反应，从而引发钙钛矿太阳电池的效率批次性以及稳定性问题。此外，由于对溶液表征手段的局限性，前驱体溶液中胶粒的组装行为对后续晶体的生长影响仍未可知。鉴于此，陈义旺团队利用先进的液体飞行时间二次离子质谱仪作为“分子眼”评估前驱体物种差异，刨析前驱体溶液接触空气后的化学演变，直观揭示钙钛矿前驱体溶液老化本质。同时，结合氢键强度变化与离子团簇含量差异，可视化低维钙钛矿前驱体溶液中胶粒组装与量子阱演化之间的内在联系，实现低维钙钛矿模组可印刷性的突破。为进一步论证氢键作用在形核结晶过程的普适性，在无铅钙钛矿体系中揭示了以盐析结晶为主导的反溶剂机制和以氢键强弱为依据的挑选反溶剂的通用规则，发展了以乙酸为代表的一类多功能绿色新型反溶剂。此外，针对两步法中碘化铅的残留问题，引入“多功能胶囊”概念构筑多孔通道，促进固液界面反应，并通过下转换效应提高光利用率，实现高效、稳定的钙钛矿太阳电池的制备。团队进一步总结了钙钛矿太阳电池中离子迁移的起源和抑制离子迁移的有效策略，并创新性地从整体器件的角度提出了抑制离子迁移的前瞻性方法，为开发高效、稳定的钙钛矿太阳电池提供了新思路。针对当前商业化的锂离子电池面临的性能、安全和成本等瓶颈，研发下一代环境友好型储能技术以提高器件功率密度、能量密度、安全性，降低制造成本显得尤为重要。得益于资源丰度高及绿色无污染等特性，水系锌基电化学储能器件极具发展前景。为提高水系锌空气电池的功率密度及稳定性，陈义旺团队通过在邻苯二甲腈功能化石墨烯表面经微波聚合原位生长铁酞菁聚合物，通过液相原位电荷剥离策略，制备得到铁酞菁聚合物纳米片纵向接枝于石墨烯的多级次纳米片，作为高效氧还原电催化剂用于液态和柔性准固态锌空气电池。此外，为克服锌金属负极面临的枝晶生长、腐蚀、钝化等问题，团队采用聚阳离子电解质－聚二烯丙基二甲基氯化铵（PDD）作为添加剂双向调控电解液和锌/电解液界面电场，改善Zn2+迁移行为，诱导Zn(002）优势沉积，成功构筑高可逆和高稳定性的锌金属电池。团队长期围绕能量转换与存储器件关键材料与技术等方面开展研究，发展了一套可全自动化印刷制备工艺，实现大面积柔性固态能量转换与存储器件（太阳电池、超级电容器、金属－空气电池）的制备、集成及应用，在专利技术和工艺优化中取得连续突破，为进一步的产业化提供了支撑。团队最新研究成果近期连续在化学和材料顶级期刊Angewandte Chemie International Edition，Advanced Materials和Energy & Environmental Science上发表（Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2022157 Angew. Chem. Int. Ed.,2023, e202303177 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, 62, e2023016 Angew. Chem. Int. Ed., 2023, e202302701 Adver. Mater., 2023, 2301852 Adver. Mater.,2023, 2302552 Energy Environ. Sci.,2023, 10.1039/D3EE00202K），南昌大学为论文第一及通讯作者单位。

据日经亚洲评论报道，长江存储计划今年将产量提高一倍，并开始率先生产192层3DNAND闪存。此前，长江存储总规划产能30万片/月，分三期建成。从产能爬坡进程来看，一期于2019年底达到2万片/月产能；至2020年6月，5万片/月产能对应的设备基本招标完毕；至2021年底，预计一期满产将达到10万片/月。日经此次报道符合预期。长江存储三年来及招标设备中，中国厂商设备数量占比13%。分年度看，2019年长江存储1088台设备招标中，中国厂商设备数量占比9.65%，而2020年长江存储1107台设备招标中，中国厂商设备数量占比达到14.36%，呈现上升趋势。长江存储产线的机台国产化率已经从2019的10%左右提升至2020年的15%左右，对国产设备起到了培育→带动→批量重复订单的作用。以各个公司历史中标份额乘以各类设备均价来计算，预计长江存储每10K产能提升对北方华创的订单拉动约3-5亿元，对中微的订单拉动约3-5亿元，对盛美股份的订单拉动约0.5-1亿元，对上海精测、华海清科、中科飞测等公司同样有带动作用。依此计算，如果长江存储2021年实现了50K至100K设备的60%收入确认，理论上对北方、中微的收入分别有12-15亿左右的拉动，对盛美股份收入有2-3亿的收入拉动，大幅增厚相关设备公司的业绩。此外，2021年长江存储二期项目将开工，预示着产能爬坡有望持续超预期，对应又是10万片/月的新增产能。而除存储器项目外，中芯国际成熟制程、特色工艺项目、华力、华虹先进制程等半导体国产化项目都将拉动设备公司业绩。预计华虹半导体（无锡）产能从2020年末2万片/月扩张至2021年末4万片/月，厂房内后续仍有4万片/月扩产空间；华力集成扩产幅度与华虹无锡接近；预计长鑫存储产能将从2021年初4万片/月扩张至2022~2023年12.5万片/月；根据公司公告，中芯国际在北京即将新建10万片/月新厂房。展望2021年，在当前行业产能紧张持续背景下，晶圆制造、封装测试相关设备订单均有望爆发。建议关注国产半导体设备份额提升带来国产半导体设备行业规模的扩大。部分相关企业：北方华创、中微公司、华峰测控、盛美股份、精测电子、至纯科技等。

p　　阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专家对该主题项目进行了验收。/pp　　该项目开展了与CMOS工艺兼容的阻变与电极材料组合体系研究，研发的TaOx阻变存储器 芯片制造基于中芯国际集成电路制造有限公司8英寸0.13um标准逻辑生产工艺线，芯片级读取时间达到十纳秒级，写操作电压满足0.13um或0.11um技术代标准逻辑工艺IO承受电压 研发了低热导率的新型超晶格相变材料，研发了非对称环状微电极结构相变存储器单元，制备出了相变存储器阵列；开展了磁性隧道结等磁电子材料研究，制备了基于磁遂道结的磁传感器原型器件，完成了基于磁电子材料的具有非易失性锁存功能的双芯和三芯两种单通道数据隔离耦合接口芯片。该项目的实施突破了先进的高密度存储与磁电子材料器件的关键技术，培养了高水平信息存储与磁电子器件研发队伍，对于我国新型电子材料技术与信息产业的发展具有支撑作用。/pp　　“十三五”期间，为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，并将“战略性先进电子材料”列为发展重点之一，重点围绕第三代半导体和微电子材料的研发，着力解决半导体及微电子产业面临的重大共性问题，在核心半导体材料的设计、生产工艺流程的优化以及关键技术的开发等方面形成突破，力争推动跨界技术整合，抢占先进电子材料技术的制高点。/pp/p

导读随着半导体工艺的发展，集成电路的关键尺寸已经趋向于几纳米或更小。在2019年的日本SFF（三星晶圆代工论坛）会议上，三星公布了3 nm工艺的具体指标，与现在的7 nm工艺相比，3 nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。同时，在存储方面，高密度、低能耗、高速度等特点也是量化生产存储器所追求的。然而随着晶体管尺寸的减小, 由量子效应所产生的漏电流及其所导致的热效应使得传统的存储技术遇到了瓶颈。随着自旋电子学的发展，自旋电子器件具有静态功耗低、可无限次高速读写、非易失性存储等优点, 被认为是突破当前瓶颈的关键技术, 因此受到了广泛关注。 MRAM（磁随机存取存储器）和磁性斯格明子等是目前比较有代表性的新型磁存储技术。成果简介近期，中国科学院物理研究所磁学重点实验室M02课题组的光耀、刘艺舟博士、于国强特聘研究员、韩秀峰研究员等人与德国马克斯普朗克智能系统研究所Gisela Schütz教授团队、美国加州大学洛杉分校Yaroslav Tserkovnyak教授团队、兰州大学彭勇教授团队合作，利用扫描透射X射线显微镜(STXM)，对[Pt/Co/IrMn]n交换偏置多层膜结构进行了系统的研究，在室温零场条件下成功诱导产生100 nm尺寸的斯格明子。斯格明子的产生机制是由X射线诱导的交换偏置再定向效应所主导的，除地产生单个斯格明子外，他们还利用X射线产生了多种结构的斯格明子二维“人工晶体”（如图一所示）[1]。 图1. X射线诱导单个斯格明子及斯格明子晶体的产生。a为X射线诱导产生的闭合单畴条(白色虚线矩形框)；b为控制X射线在单畴区域上产生的两个斯格明子；c-d分别为X射线在单畴区域写入的三角和正方斯格明子人工晶体。d中的标尺条为1 μm。磁性斯格明子在不同的作用机理下，形成的尺寸大小也有所区别，一般在1 nm~1 μm之间，上面提到的STXM观测，分辨率高，但因其基于同步辐射，不能在普通实验室中完成。近年来发展的基于NV色心的超分辨量子磁学显微镜（如图2所示）[2]，是一种很好的替代检测设备。相比于传统的显微观测设备如克尔显微镜（分辨率~300 nm），磁力显微镜MFM(分辨率20~50 nm )，该设备除了拥有优于30 nm的磁学分辨率外（10~30 nm，理论上可以到纳米），还可以进行样品表面磁场大小的定量测试，而且NV 色心作为单自旋探针, 所产生的磁场不会对待测样品有扰动，在磁学显微成像上有着显著的优势。图2 基于NV色心的超分辨量子磁学显微镜示意图 含有NV色心的金刚石探针通过AFM系统可以对样品进行逐点扫描，定量的获取样品表面的磁场大小信息。2016年，Y. Dovzhenko等人[3]通过NV色心磁学显微镜对磁性斯格明子表面的磁场进行了测试，重构出表面杂散磁场的分布，对斯格明子的类型具有指导意义（如图3所示）。在Bloch 型斯格明子的假定下重构出的磁化分布中，中心处z 方向磁化几乎为零, 也就是磁化方向在面内, 这样的结构无法形成一个完整的斯格明子。而Néel 型假定给出的磁化分布更加符合理论模型中斯格明子的磁化分布. 因此, Néel 型的斯格明子更加符合实验结果. 对一些新颖的磁性斯格明子结构, 如纳米条带的边缘态和双斯格明子,基于NV 色心的磁成像能够为解析其磁化结构提供帮助[4]。图3 斯格明子局部磁结构获取 a.测量的杂散磁场z方向分量；b. 在Néel 型和Bloch 型假定下仿真的杂散场z方向分量；(c) (b) 图中在x = x0 和y = y0 处切面与实验值的比较 (d),(e) Néel 型和Bloch 型假定下的磁化分布 (f) Bloch 型假定下y = y0 处在不同外磁场下磁化强度切面。通常SOT（自旋轨道力矩）诱导的磁畴翻转强烈依赖于磁畴壁的结构，2019年Saül Vélez等人[5]使用NV色心磁学显微镜来揭示TmIG和TmIG/Pt层的磁畴壁磁化情况。如图4所示，作者对TmIG和TmIG/Pt层进行了磁学显微测试，并对图b中的两个不同位置TmIG/Pt和TmIG区域的磁畴边界d/e进行了磁场扫描，经过同模拟结果对比发现位置d处的磁畴壁处于Left Néel-Bloch中间结构，而到了位置e处的磁畴臂转变成了Left Néel 结构，这些结果表明磁性石榴石中存在界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用，为稳定中心对称磁性缘体中的手性自旋织构提供了可能。图4 用NV磁学显微镜测量了TmIG和TmIG/Pt的畴壁结构和手性 a.测试示意图；b.样品表面杂散磁场测试结果；c.样品表面磁化情况重建；d.e为图4b中虚线位置和磁场分布关系及不同模型的模拟对比。相关设备瑞士的Qzabre公司源自于苏黎世联邦理工大学自旋物理实验室Prof. Christian Degen团队，该团队于2008年次提出了使用单个NV色心进行扫描磁探测成像[2]，为后续NV色心磁成像技术奠定了基础。基于该团队的技术，Qzabre公司推出了一款用于室温下的基于NV色心的超分辨量子磁学显微镜QSM（如图5所示），该设备拥有优于30 nm别的磁学分辨的同时，还可以进行定量的测试材料表面的磁场分布，磁场测试灵敏度可到1 μT/Hz1/2，被广泛应用于磁性材料显微成像分析，如磁性纳米结构分析、铁磁/反铁磁磁畴成像、磁性斯格明子分析、磁畴壁分析、任意波形交流磁场测量、多铁材料扫描以及石墨烯、碳纳米管等电流分布成像。近期，Quantum Design中国与瑞士Qzabre公司达成战略合作协议，引进Qzabre的NV色心的超分辨量子磁学显微镜QSM，希望可以为中国的广大科研工作者提供有力的帮助，欢迎大家咨询。图5 基于NV色心的超分辨量子磁学显微镜QSM外观图 参考文献[1] Y. Guang. et al. Creating zero-field skyrmions in exchange-biased multilayers through X-ray illumination. Nat. Commun. 11 (2020) 949[2] C. L. Degen, Scanning magnetic field microscope with a diamond single-spin sensor, Appl. Phys. Lett. 92, 243111 (2008)[3] Dovzhenko Y, Casola F, Schlotter S, Zhou T X, Büttner F, Walsworth R L, Beach G S D, Yacoby A 2016 arXiv:1611.00673 [cond-mat][4] Wang Cheng-Jie, et al. Nanoscale magnetic field sensing and imaging based on nitrogen-vacancy center in diamond. Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 13 (2018) 130701[5] Saül Vélez, et al. High-speed domain wall racetracks in a magnetic insulator. Nature Communications (2019) 10:4750

中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片的研发提供了新方案。12月10日，这项成果发表于《科学》。　　集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系国家的信息安全。然而，现有主流存储器——内存和闪存，不能兼具高速与高密度特性，难以满足指数型增长的数据存储需要，急需发展下一代海量高速存储技术。三维相变存储器是目前成熟的新型存储技术，其核心是两端开关单元和存储单元，然而，商用的开关单元组分复杂，通常含有毒性元素，严重制约了三维相变存储器在纳米尺度的微缩以及存储密度的进一步提升。　　针对以上问题，宋志棠、朱敏与合作者提出了一种单质新原理开关器件，该器件通过单质Te与电极产生的高肖特基势垒降低了器件在关态的漏电流（亚微安量级）；利用单质Te晶态（半导体）到液态（类金属）纳秒级高速转变，产生类金属导通的大开态电流（亚毫安量级），驱动相变存储单元。单质Te开关器件基于晶态—液态新型开关机理，与传统晶体管等完全不同，是集成电路全新开关器件。单质Te具有原子级组分均一性，能与TiN形成完美界面，使二端器件具有一致性与稳定性，并可极度微缩，为海量三维存储芯片的研发提供了新方案。　　据悉，该单质新原理器件为我国首次发明，打破了外国公司的专利壁垒，为我国自主高密度三维存储器的研发奠定了坚实的基础。　　意大利国家研究委员会微电子和微系统所教授Raffaella Calarco同期在《科学》上发表评论文章，认为该研究“取得的成果是前所未有的，为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法，此单质开关为3D Xpoint架构提供了新视角”。　　相关论文信息：https://doi.org/10.1126/science.abi6332

5月10日，长江存储在官网发布声明称，发现“日经亚洲评论”等多家网络媒体援引不可靠信源，对长江存储供应链管理政策进行了肆意杜撰，发布不实报道。对此，长江存储郑重声明如下：1. 长江存储是一家全球化运作的商业公司，致力于融入全球半导体产业链，与世界优秀的企业共同成长，并始终遵循公平公正的供应链审核制度；2. 长江存储始终以提供高品质闪存解决方案产品满足全球客户需求为目标，不以任何非法律和非市场化竞争的因素排除特定区域的合作伙伴；3. 目前长江存储与各国合作伙伴均保持着友好互信的商业往来，合作共赢仍是我们共同的追求，也诚挚欢迎各国优秀企业与长江存储合作，继续支持长江存储发展，共同推动产业不断创新、不断进步。长江存储声明 图源长江存储官网据了解，事情起源自日媒不可靠报道。相关报道称长江存储为了减少对美的依赖，开始进行了大规模审查，不管是螺钉、螺母和轴承还说是那些生产设备和化学药品等等，都是力求是本土供应商，甚至是非美供应商就行！其中某知情人表示，现在的长江存储不仅仅是在排查自己的生产线，还在排查供应商以及供应商的供货链，用“掘地三尺”来形容似乎也不足为过！比如螺母的来源、交货时间、是否存在替代品等等方面，长江存储都要严格审查！长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中资深研发工程师约2200人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。日媒援引不可靠信源报道，可能对长江存储的海外设备采购造成不利影响。