蔻等离子仪

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蔻等离子仪相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 中国博友纳米集团有限公司成立于2010年, 是一家集研发,设计,生产,销售及提供全面的售后服务为一体的高新技术环保纳米等离子喷涂设备、材料、技术公司。公司总部在湖南省,在北京顺义、江苏常州、浙江东阳、福建泉州、广东东莞建有分公司,印度和越南的分公司在2019年正式开张,公司已在中国贵州省黔东南州筹建10万平米以上研发生产和营销中心售后服务总基地及后续准备在贵州上市,海外其它国家的销售及技术服务分公司也在筹划中。我们的市场覆盖全球范围内的工艺品,塑料、塑胶、五金、玻璃、木材、陶瓷、家具,灯饰,汽车,装饰,电子电器等等各行各业领域任何需要喷涂效果的产品, 投入小,回报大,高新的技术和全面的技术支持和售后服务让我们的市场和业绩一直超高速的在增长。
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  • 关于CIFCIF 来源于美洲,服务于中国,是一家集实验室仪器设备研发、制造、销售、服务、产品应用为一体的专业化集团公司,在半导体材料表面处理技术和无机样品前处理技术领域为客户提供先进的、高品质的实验仪器设备和应用工艺解决方案。CIF 中国总部坐落于北京国际企业孵化中心 (IBI),系国家高新技术企业,公司具有自主进出口权,并已通过 ISO9001-2008 质量管理体系认证,全系列产品通过CE认证。CIF 自成立以来,始终坚持以科技创新和发展为宗旨,发扬“诚信、务实、协作、共赢”的企业精神 , 为包括我们的股东、员工、客户乃至商业伙伴在内的所有人提供创造和实现他们美好梦想的机会!CIF目前主要生产产品半导体材料表面处理仪器:等离子清洗机、紫外臭氧清洗机、匀胶机、烤胶机。无机样品前处理通用仪器:亚沸酸蒸清洗器、真空赶酸系统、酸纯化器、智能消解仪、恒温电热板、实验室废液收集系统。CIF发展历程2006年,CIF在美国加州洛杉矶注册成立赛福国际集团有限公司(CIF International Group Co.,Ltd)。最初是一家面向大学研究所销售仪器设备的供应商。2008年,CIF自主研发生产石墨电热板以来,先后研发生产全自动酸蒸逆流清洗器、酸纯化器、智能消解仪等前处理仪器设备。2010年,CIF经过多年不懈努力,掌握了等离子核心技术--等离子激发电源,自主研发生产材料表面处理仪器设备等离子清洗机。2014年,CIF在中国注册成立华仪行(北京)科技有限公司,正式进入中国市场拓展业务,主要负责仪器设备在中国市场的宣传、推广、销售、产品应用及服务工作。2015年,CIF自主研发生产专为处理粉体样品而设计转瓶等离子清洗机。2016年,CIF自主研发生产真空赶酸系统。2017年,CIF自主研发生产材料表面清洗设备,紫外臭氧清洗机(UVO)。2018年, CIF 在中国建厂设立独资子公司---赛福仪器承德有限公司(CIF Instruments Chengde Co., Ltd)(以下简称CIF Scientific),部分研发制造业务移至中国,并增加实验室氟材料耗材的加工定制业务,目地是让实验室都用上最实惠的耗材。2019年,CIF自主研发生产匀胶机及电镜(SEM, FIB and TEM) 专用等离子清洗机等仪器设备。......
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蔻等离子仪相关的仪器

  • 等离子清洗仪 400-860-5168转4566
    瀚文HWPC-100型等离子清洗机仪器简介等离子清洗机是一种小型的非破坏性表面处理设备,它是采用能量转换技术,在一定真空负压的状态下以电能将气体转化为活性极高的等离子体,等离子体能轻柔冲刷固体样品表面,引起分子结构的改变,从而达到对样品表面有机污染物进行超清洗,在极短时间内有机污染物就被外接真空泵彻底抽走,其清洗能力可以达到分子级。在一定条件下还能使样品表面特性发生改变。因采用气体作为清洗处理的介质,所以能有效避免样品的再次污染。等离子清洗机既能加强样品的粘附性、相容性和浸润性,也能对样品进行消毒和杀菌。应用领域等离子清洗技术现已广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子、生物医学、微观流体学等领域。仪器构造正面示意图 背面示意图1—机箱;2—耐热玻璃清洗舱;3—清洗舱门;4—总电源开关5—五寸触摸屏;6—流量调节阀Ⅰ;7—流量调节阀Ⅱ8—选配清洗气源进气口Ⅲ、Ⅳ;9—散热风扇;10—电源输入插孔11—真空泵抽气口;12—真空泵接线口;13—清洗气源进气口Ⅰ、Ⅱ技术指标1、功能特点1.1采用5寸彩色触摸屏操作界面,人机交互操作方便,界面友好;1.2微电脑控制整个清洗过程,全自动进行;1.3手动、自动两种工作模式;1.4采用电子流量计+手动微调阀的气路控制模式,标配双气路,最多可配置四气路;1.5可选择气体质量流量计(选配,最多4路气体)1.6弧形等离子激发板,等离子激发能力更强;1.7安全保护,气压阈值,切断高压;2、技术参数2.1舱体尺寸:D270*ø 150mm2.2舱体容积:5L2.3射频电源:40KHz2.4激发方式:电容式2.5射频功率:10~300W2.6气体控制:电子流量计+旋钮式微调阀2.7产品尺寸:L460*W455*H237mm2.8真空泵抽速:2.9真空度:100Pa以内2.10电源:AC220V50-60Hz
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  • 美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括: 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子,有助于生长高质量的薄膜,也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制,以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项,能够实现自动操作,允许用户保存数据,编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN,氧化铝,石英
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  • 单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备,具有结构紧凑,简单易用,集成度高,设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸,客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置,以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源,可用于金属溅射镀膜,尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口,可以通入保护性气体,若客户需要通入混合气体,可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围:可用于金属溅射镀膜,尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵:1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg
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蔻等离子仪相关的资讯

  • 出口增长63%!2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备,其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解,目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关,其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外,更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术,相对于湿法刻蚀,具有更好的各向异性,工艺重复性,且能降低晶圆污染几率,因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机,国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年,新冠肺炎疫情在全球爆发,各行各业都受到了一定的影响,包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2019、2020年1-12月,等离子体刻蚀机(商品编码84862041)进出口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量(台)进口金额(人民币:元)出口量(台)出口金额(人民币:元)2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,进口单价约为1328万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机进口1097台,进口额约为127亿元,进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比,2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%,进口额增加约33.6%,进口单价提高约15%。从整体来看,2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显,同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看,2020年1-12月,我国共出口等离子体刻蚀机122台,出口额约为5.8亿元,出口单价约为473万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机出口79台,出口额约为3.54亿元,出口单价约为448万元。总体而言,我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少,但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%,出口数量增加约54%,出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图(单位:台)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加,且逐月变化较为明显,其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响,等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降,而则2~4月份迎来“报复性”增长,等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半,5~7月每月进口数量与去年有所增长,但增幅有所下降,8月进口数量较去年同期有所下降,可能受国外新冠疫情影响,而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加,但12月进口量再次下降,这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图(单位:人民币/亿元)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,除12月较去年进口金额有所下降以外,等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加,其中,6、7、11月较去年增长幅度较小之外,但其他月份增幅明显。值得注意的是,9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上,一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片,华为大量订单转向国内代工厂生产,国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量(单位:台)2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额(单位:人民币/亿元)2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据,近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出,我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布(单位:台)2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布(单位:人民币/亿元)通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据,可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ,2020年,江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多,而这些地区也是我国经济较发达,半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看,等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大,2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响,但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显,但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流,受到美国贸易战影响较大,国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面,由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少,虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平,但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时,由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定,也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口,受制于人。不过,近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起,国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来,伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮,等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。
  • 精确跟踪芯片蚀刻过程,用高分辨率光谱仪监测等离子体
    在半导体行业,晶圆是用光刻技术制造和操作的。蚀刻是这一过程的主要部分,在这一过程中,材料可以被分层到一个非常具体的厚度。当这些层在晶圆表面被蚀刻时,等离子体监测被用来跟踪晶圆层的蚀刻,并确定等离子体何时完全蚀刻了一个特定的层并到达下一个层。通过监测等离子体在蚀刻过程中产生的发射线,可以精确跟踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。等离子体是一种被激发的、类似气体的状态,其中一部分原子已经被激发或电离,形成自由电子和离子。当被激发的中性原子的电子返回到基态时,等离子体中存在的原子就会发射特有波长的辐射光,其光谱图可用来确定等离子体的组成。等离子体是用一系列高能方法使原子电离而形成的,包括热、高能激光、微波、电和无线电频率。实时等离子体监测以改进工艺等离子体有一系列的应用,包括元素分析、薄膜沉积、等离子体蚀刻和表面清洁。通过对等离子体样品的发射光谱进行监测,可以为样品提供详细的元素分析,并能够确定控制基于等离子体的过程所需的关键等离子体参数。发射线的波长被用来识别等离子体中存在的元素,发射线的强度被用来实时量化粒子和电子密度,以便进行工艺控制。像气体混合物、等离子体温度和粒子密度等参数都是控制等离子体过程的关键。通过在等离子体室中引入各种气体或粒子来改变这些参数,会改变等离子体的特性,从而影响等离子体与衬底的相互作用。实时监测和控制等离子体的能力可以改进工艺和产品。一个基于Ocean Insight HR系列高分辨率光谱仪的模块化光谱装置用于监测等离子体室引入不同气体后,氩气等离子体发射的变化。测量是在一个封闭的反应室中进行的,光谱仪连接光纤和余弦校正器,通过室中的一个小窗口观察。这些测量证明了模块化光谱仪从等离子体室中实时获取等离子体发射光谱的可行性。从这些发射光谱中确定的等离子体特征可用于监测和控制基于等离子体的过程。等离子体监测可以通过灵活的模块化设置完成,使用高分辨率光谱仪,如Ocean Insight的HR或Maya2000 Pro系列(后者是检测UV气体的一个很好的选择)。对于模块化设置,HR光谱仪可以与抗曝光纤相结合,以获得在等离子体中形成的定性发射数据。从等离子体室中形成的等离子体中获取定性发射数据。如果需要定量测量,用户可以增加一个光谱库来比较数据,并快速识别未知的发射线、峰和波段。监测真空室中形成的等离子体时,一个重要的考虑因素是与采样室的接口。仪器部件可以被引入到真空室中,或者被设置成通过视窗来观察等离子体。真空通管为承受真空室中的恶劣条件而设计的定制光纤将部件耦合到等离子体室中。对于通过视口监测等离子体,可能需要一个采样附件,如余弦校正器或准直透镜,这取决于要测量的等离子体场的大小。在没有取样附件的情况下,从光纤到等离子体的距离将决定成像的区域。使用准直透镜可以获得更局部的收集区域,或者使用余弦校正器可以在180度的视野内收集光线。测量条件HR系列高分辨率光谱仪被用来测量当其他气体被引入等离子体室时氩等离子体的发射变化。光谱仪、光纤和余弦校正器通过室外的一个小窗口收集发射光谱,对封闭反应室中的等离子体进行光谱数据采集(图1)。图1:一个模块化的光谱仪设置可以被配置为真空室中的等离子体测量。一个HR2000+高分辨率光谱仪(~1.1nm FWHM光学分辨率)被配置为测量200-1100nm的发射(光栅HC-1,SLIT-25),使用抗曝光纤(QP400-1-SR-BX光纤)与一个余弦校正器(CC-3-UV)耦合。选择CC-3-UV余弦校正器采样附件来获取等离子体室的数据,以解决等离子体强度的差异和测量窗口的不均匀问题。其他采样选项包括准直透镜和真空透镜。结果图2显示了通过等离子体室窗口测量的氩等离子体的光谱。690-900纳米的强光谱线是中性氩(Ar I)的发射线,400-650纳米的低强度线是由单电离的氩原子(Ar II)产生的。图2所示的发射光谱是测量等离子体发射的丰富光谱数据的一个例子。这种光谱信息可用于确定一系列关键参数,以监测和控制半导体制造过程中基于等离子体的工艺。图2:通过真空室窗口测量氩气等离子体的发射。氢气是一种辅助气体,可以添加到氩气等离子体中以改变等离子体的特性。在图3中,随着氢气浓度的增加添加到氩气等离子体中的效果。氢气改变氩气等离子体特性的能力清楚地显示在700-900纳米之间的氩气线的强度下降,而氢气浓度的增加反映在350-450纳米之间的氢气线出现。这些光谱显示了实时测量等离子体发射的强度,以监测二次气体对等离子体特性的影响。观察到的光谱变化可用于确保向试验室添加最佳数量的二次气体,以达到预期的等离子体特性。图3:将氢气添加到氩等离子体中会改变其光谱特性。在图 4 和 5 中,显示了在将保护气添加到腔室之前和之后测量的等离子体的发射光谱。 保护气用于减少进样器和样品之间的接触,以减少由于样品沉积和残留引起的问题。 在图 4中,氩等离子体发射光谱显示在加入保护气之前,加入保护气后测得的发射光谱如图5所示。保护气的加入导致了氩气发射光谱的变化,从400纳米以下和~520纳米处的宽光谱线的消失可以看出。图4:加入保护气之前,在真空室中测量氩等离子体的发射。图5:加入保护气后,氩气发射特性在400纳米以下和~520纳米处有明显不同。结论紫外-可见-近红外光谱是测量等离子体发射的有力方法,以实现元素分析和基于等离子体过程的精确控制。这些数据说明了模块化光谱法对等离子体监测的能力。HR2000+高分辨率光谱仪和模块化光谱学方法在测量等离子体室条件改变时,通过等离子体室的窗口测量等离子体发射光谱,效果良好。还有其他的等离子体监测选项,包括Maya2000 Pro,它在紫外光下有很好的响应。另外,光谱仪和子系统可以被集成到其他设备中,并与机器学习工具相结合,以实现对等离子体室条件更复杂的控制。以上文章作者是海洋光学Yvette Mattley博士,爱蛙科技翻译整理。世界上第一台微型光谱仪的发明者海洋光学OceanInsight,30年来专注于光谱技术和设备的持续创新,在光谱仪这个细分市场精耕细作,打造了丰富而差异化的产品线,展现了光的多样性应用,坚持将紧凑、便携、高集成度以及高灵敏度、高分辨率、高速的不同设备带给客户。2019年,从Ocean Optics更名为Ocean Insight,也是海洋光学从光谱产品生产商转型为光谱解决方案提供商战略调整的开始。此后,海洋光学不仅继续丰富扩充光传感产品线,且增强支持和服务能力,为需要定制方案的客户提供量身定制的系统化解决方案和应用指导。作为海洋光学官方授权合作伙伴,爱蛙科技(iFrogTech)致力于与海洋光学携手共同帮助客户面对问题、探索未来课题,为打造量身定制的光谱解决方案而努力。如需了解更多详情或探讨创新应用,可拨打400-102-1226客服电话。关于海洋光学海洋光学作为世界领先的光学解决方案提供商,应用于半导体、照明及显示、工业控制、环境监测、生命科学生物、医药研究、教育等领域。其产品包括光谱仪、化学传感器、计量检测设备、光纤、透镜等。作为光纤光谱仪的发明者,如今海洋光学在全球已售出超过40万套的光纤光谱仪。关于爱蛙科技爱蛙科技(iFrogTech)是海洋光学官方授权合作伙伴,提供光谱分析仪器销售、租赁、维护,以及解决方案定制、软件开发在内的全链条一站式精准服务。
  • 《铀矿化学分析方法第1部分:铀、钍含量测定敞口酸溶—电感耦合等离子体原子发射光谱法》等10项行业标准发布
    自然资源部关于发布《铀矿化学分析方法 第1部分:铀、钍含量测定 敞口酸溶—电感耦合等离子体 原子发射光谱法》等10项行业标准的公告2022年第23号《铀矿化学分析方法 第1部分:铀、钍含量测定 敞口酸溶—电感耦合等离子体 原子发射光谱法》等10项推荐性行业标准已通过全国自然资源与国土空间规划标准化技术委员会审查,现予批准、发布,自2022年7月1日起实施。标准编号及名称如下:2022年3月25日

蔻等离子仪相关的方案

  • 使用微型光谱仪进行等离子体监测
    在其他气体和纳米颗粒被引入到等离子体腔室时,可以使用Ocean HDX光谱仪测量氩等离子体的发射变化。在封闭反应室中的等离子体的光谱数据,将通过光谱仪,光纤和余弦校正器从腔室外的小窗口收集的发射光谱而得到。Ocean HDX光谱仪为UV-Vis配置,采用400μ m抗老化的光纤耦合余弦校正器进行采样。选择抗老化光纤是为了避免由等离子体的强UV光引起的光纤内涂层降解。选择余弦校正器从等离子腔室获取数据可解决等离子体强度的差异和测量窗口的不均匀结垢。准直透镜也可作为等离子体监测测量中余弦校正器的常用备选方案。
  • 电感耦合等离子体发射光谱仪平板等离子体技术分析生物柴油中的无机污染物含量
    在美国,生物燃料的生产主要是用玉米生产乙醇和用大豆生产生物柴油。生物柴油可从任何含有油和动物脂肪的植物或植物材料中提炼出来。ASTM D6751用于用于中间馏分燃料的生物柴油燃料的混合原料标准规范详细描述了使用生物柴油作为中间馏分燃料的混合组成部分的一些要求。PerkinElmer有一些使用电感耦合等离子体发射光谱法分析生物柴油的早期的论文,本项工作主要目的在于新的Optima 8000平板等离子体技术的电感耦合等离子体发射光谱仪的应用。Optima 8x00电感耦合等离子体发射光谱仪系列采用新的平板等离子体技术。平板等离子体技术利用平板感应板产生等离子体,紧凑,致密和强大。平板系统产生一个平底的等离子体,减少样品和蒸气逃脱到等离子体周围以外的区域,使有机样品分析更容易。
  • 液相色谱-电感耦合等离子体质谱联用仪(LC-ICP-MS) 测定水质中Cr3+、Cr6+解决方案
    样品溶液经过前处理,由LC进样口进样,经色谱柱分离,通过雾化器雾化后送入高温等离子体中,干燥、原子化、电离,元素离子经接口室进入质谱仪,通过离子透镜系统、质量分析器及检测器,检测器对相应元素离子做出响应(每秒离子计数cps(counts per second),经软件处理,响应强度和时间组成的峰面积与相应组分离子浓度成正比关系进行定性定量分析。

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  • 等离子体光谱仪

    等离子体光谱仪原理 当高频发生器接通电源后,高频电流I通过感应线圈产生交变磁场(绿色)。开始时,管内为Ar气,不导电,需要用高压电火花触发,使气体电离后,在高频交流电场的作用下,带电粒子高速运动,碰撞,形成“雪崩”式放电,产生等离子体气流。在垂直于磁场方向将产生感应电流(涡电流,粉色),其电阻很小,电流很大(数百安),产生高温。又将气体加热、电离,在管口形成稳定的等离子体焰炬。等离子体光谱仪特点(1) 测定每个元素可同时选用多条谱线;(2) 可在一分钟内完成70个元素的定量测定;(3) 可在一分钟内完成对未知样品中多达70多元素的定性;(4) 1mL的样品可检测所有可分析元素;(5) 扣除基体光谱干扰;(6) 全自动操作;(7) 分析精度:CV 0.5%。等离子体光谱仪应用 等离子体光谱仪的研究领域是生命科学。 等离子体光谱仪的主要用途:用于环保、地质、化工、生物、医药、食品、冶金、农业等方面样品的定性、定量分析。 等离子体光谱仪能够自动等离子激发和待机运行模式,可以节省能耗和氩气耗量。能够适应样品种类的连续变换,同时可确保对多种样品甚至快速更换样品时始终具有稳定、有效的等离子体能量。

  • ICP光谱仪中等离子体焰的形成过程及原理

    ICP英文翻译过来是电感耦合等离子体,顾名思义,在炬管的切向方向引入高速氩气,氩气在炬管的外层形成高速旋流,通过类似真空检漏仪的装置产生的高频电火花使氩气电离出少量电子,形成一个沿炬管切线方向的电流.因为炬管放置在高频线圈内,通过高频发生器产生的高频振荡通过炬管线圈耦合到已被电离出少量电子的氩气上,使氩气中的这部分电子加速运动,撞击其他电子产生电离,形成雪崩效应,最终靠高频发生器连续提供能量,即可形成一个稳定的等离子体火焰。 电感耦合高频等离子(ICP)光源 等离子体是一种由自由电子、离子、中性原子与分子所组成的在总体上呈中性的气体,利用电感耦合高频等离子体(ICP)作为原子发射光谱的激发光源始于本世纪60年代。 ICP装置由高频发生器和感应圈、炬管和供气系统、试样引入系统三部分组成。高频发生器的作用是产生高频磁场以供给等离子体能量。应用最广泛的是利用石英晶体压电效应产生高频振荡的他激式高频发生器,其频率和功率输出稳定性高。频率多为27~50 MHz,最大输出功率通常是2~4kW。  感应线圈一般以圆铜管或方铜管绕成的2-5匝水冷线圈。  等离子炬管由三层同心石英管组成。外管通冷却气Ar的目的是使等离子体离开外层石英管内壁,以避免它烧毁石英管。采用切向进气,其目的是利用离心作用在炬管中心产生低气压通道,以利于进样。中层石英管出口做成喇叭形,通入Ar气维持等离子体的作用,有时也可以不通Ar气。内层石英管内径约为1~2mm,载气载带试样气溶胶由内管注入等离子体内。试样气溶胶由气动雾化器或超声雾化器产生。用Ar做工作气的优点是,Ar为单原子惰性气体,不与试样组分形成难解离的稳定化合物,也不会象分子那样因解离而消耗能量,有良好的激发性能,本身的光谱简单。  当有高频电流通过线圈时,产生轴向磁场,这时若用高频点火装置产生火花,形成的载流子(离子与电子)在电磁场作用下,与原子碰撞并使之电离,形成更多的载流子,当载流子多到足以使气体有足够的导电率时,在垂直于磁场方向的截面上就会感生出流经闭合圆形路径的涡流,强大的电流产生高热又将气体加热,瞬间使气体形成最高温度可达10000K的稳定的等离子炬。感应线圈将能量耦合给等离子体,并维持等离子炬。当载气载带试样气溶胶通过等离子体时,被后者加热至6000-7000K,并被原子化和激发产生发射光谱。  ICP焰明显地分为三个区域:焰心区、内焰区和尾焰区。  焰心区呈白色,不透明,是高频电流形成的涡流区,等离子体主要通过这一区域与高频感应线圈耦合而获得能量。该区温度高达10000K,电子密度很高,由于黑体辐射、离子复合等产生很强的连续背景辐射。试样气溶胶通过这一区域时被预热、挥发溶剂和蒸发溶质,因此,这一区域又称为预热区。  内焰区位于焰心区上方,一般在感应圈以上10-20mm左右,略带淡蓝色,呈半透明状态。温度约为6000~8000K,是分析物原子化、激发、电离与辐射的主要区域。光谱分析就在该区域内进行,因此,该区域又称为测光区。  尾焰区在内焰区上方,无色透明,温度较低,在6000K以下,只能激发低能级的谱线。

  • 关于稳定的等离子体火焰

    电感耦合高频等离子(ICP)光源  等离子体是一种由自由电子、离子、中性原子与分子所组成的在总体上呈中性的气体,利用电感耦合高频等离子体(ICP)作为原子发射光谱的激发光源始于本世纪60年代。 ICP装置由高频发生器和感应圈、炬管和供气系统、试样引入系统三部分组成。高频发生器的作用是产生高频磁场以供给等离子体能量。应用最广泛的是利用石英晶体压电效应产生高频振荡的他激式高频发生器,其频率和功率输出稳定性高。频率多为27-50 MHz,最大输出功率通常是2-4kW。  感应线圈一般以圆铜管或方铜管绕成的2-5匝水冷线圈。  等离子炬管由三层同心石英管组成。外管通冷却气Ar的目的是使等离子体离开外层石英管内壁,以避免它烧毁石英管。采用切向进气,其目的是利用离心作用在炬管中心产生低气压通道,以利于进样。中层石英管出口做成喇叭形,通入Ar气维持等离子体的作用,有时也可以不通Ar气。内层石英管内径约为1-2mm,载气载带试样气溶胶由内管注入等离子体内。试样气溶胶由气动雾化器或超声雾化器产生。用Ar做工作气的优点是,Ar为单原子惰性气体,不与试样组分形成难解离的稳定化合物,也不会象分子那样因解离而消耗能量,有良好的激发性能,本身的光谱简单。  当有高频电流通过线圈时,产生轴向磁场,这时若用高频点火装置产生火花,形成的载流子(离子与电子)在电磁场作用下,与原子碰撞并使之电离,形成更多的载流子,当载流子多到足以使气体有足够的导电率时,在垂直于磁场方向的截面上就会感生出流经闭合圆形路径的涡流,强大的电流产生高热又将气体加热,瞬间使气体形成最高温度可达10000K的稳定的等离子炬。感应线圈将能量耦合给等离子体,并维持等离子炬。当载气载带试样气溶胶通过等离子体时,被后者加热至6000-7000K,并被原子化和激发产生发射光谱。

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