蔻等离子仪

瀚文HWPC-100型等离子清洗机仪器简介等离子清洗机是一种小型的非破坏性表面处理设备，它是采用能量转换技术，在一定真空负压的状态下以电能将气体转化为活性极高的等离子体，等离子体能轻柔冲刷固体样品表面，引起分子结构的改变，从而达到对样品表面有机污染物进行超清洗，在极短时间内有机污染物就被外接真空泵彻底抽走，其清洗能力可以达到分子级。在一定条件下还能使样品表面特性发生改变。因采用气体作为清洗处理的介质，所以能有效避免样品的再次污染。等离子清洗机既能加强样品的粘附性、相容性和浸润性，也能对样品进行消毒和杀菌。应用领域等离子清洗技术现已广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子、生物医学、微观流体学等领域。仪器构造正面示意图 背面示意图1—机箱；2—耐热玻璃清洗舱；3—清洗舱门；4—总电源开关5—五寸触摸屏；6—流量调节阀Ⅰ；7—流量调节阀Ⅱ8—选配清洗气源进气口Ⅲ、Ⅳ；9—散热风扇；10—电源输入插孔11—真空泵抽气口；12—真空泵接线口；13—清洗气源进气口Ⅰ、Ⅱ技术指标1、功能特点1.1采用5寸彩色触摸屏操作界面，人机交互操作方便，界面友好；1.2微电脑控制整个清洗过程，全自动进行；1.3手动、自动两种工作模式；1.4采用电子流量计+手动微调阀的气路控制模式，标配双气路，最多可配置四气路；1.5可选择气体质量流量计（选配，最多4路气体）1.6弧形等离子激发板，等离子激发能力更强；1.7安全保护，气压阈值，切断高压；2、技术参数2.1舱体尺寸：D270*ø 150mm2.2舱体容积：5L2.3射频电源：40KHz2.4激发方式：电容式2.5射频功率：10~300W2.6气体控制：电子流量计+旋钮式微调阀2.7产品尺寸：L460*W455*H237mm2.8真空泵抽速：2.9真空度：100Pa以内2.10电源：AC220V50-60Hz

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

等离子清洗机 HWPC-100型仪器简介等离子清洗机是一种小型的非破坏性表面处理设备，它是采用能量转换技术，在一定真空负压的状态下以电能将气体转化为活性极高的等离子体，等离子体能轻柔冲刷固体样品表面，引起分子结构的改变，从而达到对样品表面有机污染物进行超清洗，在极短时间内有机污染物就被外接真空泵彻底抽走，其清洗能力可以达到分子级。在一定条件下还能使样品表面特性发生改变。因采用气体作为清洗处理的介质，所以能有效避免样品的再次污染。等离子清洗机既能加强样品的粘附性、相容性和浸润性，也能对样品进行消毒和杀菌。应用领域等离子清洗技术现已广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子、生物医学、微观流体学等领域。仪器构造正面示意图 背面示意图1—机箱；2—耐热玻璃清洗舱；3—清洗舱门；4—总电源开关5—五寸触摸屏；6—流量调节阀Ⅰ；7—流量调节阀Ⅱ8—选配清洗气源进气口Ⅲ、Ⅳ；9—散热风扇；10—电源输入插孔11—真空泵抽气口；12—真空泵接线口；13—清洗气源进气口Ⅰ、Ⅱ技术指标1、功能特点1.1采用5寸彩色触摸屏操作界面，人机交互操作方便，界面友好；1.2微电脑控制整个清洗过程，全自动进行；1.3手动、自动两种工作模式；1.4采用电子流量计+手动微调阀的气路控制模式，标配双气路，最多可配置四气路；1.5可选择气体质量流量计（选配，最多4路气体）1.6弧形等离子激发板，等离子激发能力更强；1.7安全保护，气压阈值，切断高压；2、技术参数2.1舱体尺寸：D270*ø 150mm2.2舱体容积：5L2.3射频电源：40KHz2.4激发方式：电容式2.5射频功率：10~300W2.6气体控制：电子流量计+旋钮式微调阀2.7产品尺寸：L460*W455*H237mm2.8真空泵抽速：2.9真空度：100Pa以内2.10电源：AC220V50-60Hz

等离子处理机批发公司：诚峰智造喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-RP1020-D名称（Name）喷射型AP等离子处理系统型号（Model）CRF-APO-RP1020-D电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）1000W/25KHz处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）20-80mm（Option）内部控制模式（Internal control mode）数字控制外部控制模式（External control mode）RS485/RS232数字通讯口、模拟量控制口工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

等离子清洗机技术厂家：诚峰智造磁力悬浮型AP等离子处理系统CRF-APO-MP1030-D名称（Name）磁力悬浮型AP等离子处理系统型号（Model）CRF-APO-MP1030-D电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）1000W/25KHz处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）20-80mm（Option）内部控制模式（Internal control mode）数字控制外部控制模式（External control mode）RS485/RS232数字通讯口、模拟量控制口工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；采用磁动力作为动力源，使用寿命长，耗损低。具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

深圳等离子设备厂家：诚峰智造喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-DP1010-D名称（Name）喷射型AP等离子处理系统型号（Model）CRF-APO-DP1010-D电源（Power supply）220V/AC,50/60Hz功率（Power）1000W/25KHz处理高度（Processing height）5-15mm处理宽幅（Processing width）1-6mm（Option）内部控制模式（Internal control mode）数字控制外部控制模式（External control mode）RS485/RS232数字通讯口、模拟量控制口工作气体（Gas）Compressed Air （0.4mpa）产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；国防工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

RIE等离子刻蚀机Etchlab 200 低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。 Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。Etchlab 200 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口 选配椭偏仪接口 带预真空室Etchlab 200 带预真空室的RIE刻蚀机 适用于4英寸到8英寸的晶片 小片或碎片的载片器 氯基刻蚀气体 更大的真空泵组 Etchlab 200-300 RIE等离子蚀刻机 开盖设计 适用于300mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

美国Harrick等离子清洗机Harrick Plasma公司的等离子清洗机是一种小型化、非破坏性的超清洗设备。等离子清洗机采用气体作为清洗介质，有效地避免了因液体清洗介质对被清洗物带来的二次污染。等离子清洗机外接一台真空泵，工作时清洗腔中的等离子体轻柔冲刷被清洗物的表面，短时间的清洗就可以使有机污染物被彻底地清洗掉，同时污染物被真空泵抽走，其清洗程度达到分子级。等离子清洗机除了具有超清洗功能外，在特定条件下还可根据需要改变某些材料表面的性能，等离子体作用于材料表面，使表面分子的化学键发生重组，形成新的表面特性。对某些有特殊用途的材料，在超清洗过程中等离子清洗机的辉光放电不但加强了这些材料的粘附性、相容性和浸润性，并可消毒和杀菌。等离子清洗机广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子科学、生物医学、微观流体学等领域。区域经理张丽丽： 扣扣：美国Harrick等离子清洗机产品参数* 紧凑的台式设备、没有RF放射、符合CE安全标准。* 功率为低、中、高三档可调。* 两种型号：基本型：PDC－32G－2等离子清洗机清洗舱：长7英寸，直径3英寸；舱盖可拆卸。整机尺寸：8英寸H×10英寸W×8英寸D扩展型：PDC－002等离子清洗机清洗舱：长6英寸，直径6英寸；舱盖具备铰链和磁力锁，并有一aa个可视窗口。整机尺寸：11英寸H×18英寸W×9英寸D产品介绍等离子清洗机应用：* 清洗电子元件、光学器件、激光器件、镀膜基片、芯片。* 清洗光学镜片、电子显微镜片等多种镜片和载片。* 移除光学元件、半导体元件等表面的光阻物质。* 清洗ATR元件、各种形状的人工晶体、天然晶体和宝石。* 清洗半导体元件、印刷线路板。* 清洗生物芯片、微流控芯片。* 清洗沉积凝胶的基片。* 高分子材料表面修饰。* 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌。* 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。区域经理张丽丽： 扣扣：

等离子沉淀设备等离子沉积设备SI 500 D产品介绍 高端ICPECVD设备SI 500 D为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产 生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线 （PTSA）保证了沉积薄膜的优异性能， 如在非常低的沉积温度下（＜100°C）实现低刻蚀速率， 低应力和低界面态密度。 特点 *高密度等离子体*平行板ICP等离子体源*优异的沉积性能*动态温度控制 带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD产品介紹 灵活的PECVD系统SI 500 PPD具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积 SiO2、SiNx、 SiOxN揷口a-SL灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。 特点 *工艺灵活性*预真空室*SENTECH控制软件 PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200产品介绍 直接置片的PECVD设备Depolab 200结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一 起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺（使用载片 器或直接加载到衬底电极）。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。 特点 *低成本效益高*升级扩展性*SENTECH控制软件 原子层沉积设备SENTECH ALD产品介紹ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行 性。利用ALD、 PECVD和ICPECVD, SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉 积到数微米的薄膜沉积。 特点 *简易的腔体清洗*集成手套箱*节省前驱体*前驱体控制 等离子沉淀设备正片晶片扫描MDPinline优势 在不到一秒的时间内，实现对一个晶片全电子晶片特性的测量,测量参数：少子寿命（全形貌），电阻率 （两行扫 描），迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺，因为来自数千 个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。 适合于测量出料或进料晶片的材料质量，以及在晶片级别内识别结晶问题，例如在光伏行业.适用于扩 散工艺的完 整性控制、钝化效率和均匀性控制。 快速自动扫描系统MDPinline ingot优势 测量速度，用于先进的光伏工厂的在线多晶硅表征。用1毫米分辨率测量少子在两块上的寿命。同时测 量了导电 类型变化的空间分辨测量和电阻率线扫描. 客户定义的切割标准可以传送到工厂数据库，该数据库允许为下一代光伏工厂进行全自动材料监测。从 而实现了材料质量控制，监测炉的性能，以及失效分析. 特殊的"表面以下”测量技术大大减少了由表面复合造成的数据失真。 激光扫描系统MDPpro优势机或晶圆的整体工具系列• 少子寿命、光电导率、电阻率、p/n导电类型变化和几何样品平整度的同 时自动扫描. 对于156x156x400mm标准砖，测量速度小于4分钟，分辨率为1mm,所有5幅测量图形同时绘制。 坚固耐用的设计和易于设置的性能.对于安装，仅需要电源。带有数据库的工作站包含。

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

低成本效益高RIE等离子蚀刻机Etchlab 200结合平行板等离子体源设计与直接置片。升级扩展性根据其模块化设计，等离子蚀刻机Etchlab 200可升级为更大的真空泵组，预真空室和更多的气路。SENTECH控制软件该等离子刻蚀机配备了用户友好的强大软件，具有模拟图形用户界面，参数窗口，工艺编辑窗口，数据记录和用户管理。Etchlab 200 RIE等离子刻蚀机代表了直接置片等离子刻蚀机家族，它结合了RIE的平行板电极设计和直接置片的成本效益设计的优点。Etchlab 200的特征是简单和快速的样品加载，从零件到直径为200mm或300mm的晶片直接加载到电极或载片器上。灵活性、模块性和占地面积小是Etchlab 200 的设计特点。位于顶部电极和反应腔体的诊断窗口可以方便地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH原位椭偏仪进行原位监测。Etchlab 200等离子蚀刻机可以配置成用于刻蚀直接加载的材料，包括但不限于硅和硅化合物，化合物半导体，介质和金属。Etchlab 200通过先进的SENTECH控制软件操作，使用远程现场总线技术和用户友好的通用用户界面。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

美国PIE公司出品的SEMI-KLEEN 等离子清洗仪, 可清洗各种类型电子或者离子显微镜，深紫外光刻机，电子光刻系统等真空仪器。一个仪器同时清洗真空腔体和样品。本仪器由一个LCD触摸屏控制器和一个远程射频（RF）等离子源组成，远程等离子源通过一个KF40真空法兰连接到待清洗真空室，有转接法兰提供。主要用于清洗各种扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)，聚焦离子系统(FIB)，离子显微镜(HIM)等真空系统中碳氢及其他污染。同时清洗真空腔体和样品。特有功能优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；带气压计的自动气体流量控制；等离子探针实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；带LCD触摸屏的直观操作界面；微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；微电脑控制器记录所有信息状态，便于系统维护。技术指标 等离子源真空接口: NW/KF40 法兰 提供转接法兰；标配等离子强度传感器；等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；等离子源最高工作气压: 1.0 托；漏气率: 0.005sccm；射频输出: 0~100瓦，连续可调节；具有射频自动匹配功能

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

美国PIE Scientific LLC公司出品的SEMI-KLEEN 等离子清洗仪, 采用低压清洗技术，可清洗各种类型电子或者离子显微镜，深紫外光刻机，电子光刻系统等真空仪器。本仪器由一个LCD触摸屏控制器和一个远程射频（RF）等离子源组成，远程等离子源通过一个KF40真空法兰连接到待清洗真空室，有转接法兰提供。主要用于清洗各种扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)，聚焦离子系统(FIB)，离子显微镜(HIM)等真空系统中碳氢及其他污染。同时清洗真空腔体和样品。(详情请咨询PIE中国代理南京覃思科技有限公司) 一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。非常低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度非常快，非常均匀，对电子枪和分子泵非常安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证非常优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专有保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。 二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源非常低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源非常高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：110V/220V, 50/60 Hz, 200 瓦

RIE等离子刻蚀机SI 591 工艺灵活性RIE蚀刻机SI 591 特别适用于氯基和氟基等离子蚀刻工艺占地面积小且模块化程度高SI 591 可配置为单个反应腔或作为片盒到片盒装载的多腔设备。SENTECH控制软件我们的等离子蚀刻设备包括用功能强大的用户友好软件与模拟图形用户界面，参数窗口，工艺窗口，数据记录和用户管理。 预真空室和计算机控制的等离子体刻蚀工艺条件，使得SI 591 具有优异的工艺再现性和等离子体蚀刻工艺灵活性。灵活性、模块性和占地面积小是SI 591的设计特点。样品直径大可达200mm，通过载片器加载。SI 591可以配置为穿墙式操作或具有更多选项的小占地面积操作。位于顶部电极和反应腔体的更大诊断窗口可以轻易地容纳SENTECH激光干涉仪或OES和RGA系统。椭偏仪端口可用于SENTECH椭偏仪进行原位监测。SI 591结合了计算机控制的RIE平行板电极设计的优点和预真空室系统。SI 591可配置用于各种材料的刻蚀。在SENTECH，我们提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或多六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 591也可用作多腔系统中的一个工艺模块。 SI 591 compact 占地面积小的RIE等离子刻蚀 预真空室 卤素和氟基气体 适用于200mm的晶片 用于激光干涉仪和OES的诊断窗口

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

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等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

Tergeo EM型SEM及TEM样品/样品杆清洁专用等离子清洁仪美国PIE Scientific专注研发先进的实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的最新等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。特有的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。特别设计的适配器可以清洁不同厂家的TEM样品杆。特点：1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化2. 13.56MHz高频射频发生器3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的专用适配器7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了Tergeo EM型SEM & TEM样品清洁专用等离子清洁仪，另有Tergeo Basic基本型等离子清洁仪和Tergeo Plus型大腔室等离子清洁仪三、技术参数1、控制系统1）操作界面：7英寸电阻触摸屏操作界面，支持多种工作方式。 2）程序控制：可编程，总共有20个程序，每个程序有3个清洁步骤2、反应腔体1）腔体材质：圆柱形石英玻璃舱。2）腔体尺寸：内径110毫米，外径120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。 3）前观测窗：前方开口，5毫米厚石英玻璃可视窗口，可观测内腔等离子状态，并带有防真空泄漏和避免高压的联锁装置，有效保护操作的安全性；3、射频电源 1）射频频率：13.56MHz 2）射频功率：标配0~75W；可选配0~150W。从0瓦到150瓦之间以1瓦间距连续可调，自动阻抗匹配。3）射频输出可以工作在脉冲方式，脉冲比可以从1/255调到255/255（连续输出）。 4、等离子源1）等离子强度探测器实时测量等离子源强度。2）电阻耦合电离方式。 3）外置电极设计，高压电极不合等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染。5、气体控制 1）气路控制：标配一路MFC；可选配三路MFC； 2）质量流量计可以在0~100sccm之间控制气体流量； 3）一路(Venting and purging)气体入口用来快速给样品室放气和冲走残余处理气体。 4）自动放气流程控制可以保护真空泵不受影响。 5）高性能气压计可以测量1e-4 Torr到大气压之间的气压。 6）6mm气体接口。6、真空系统1）KF25法兰接口用来连接真空泵。 2）真空要求：抽速：1.7m3/h；3）最低气压：=200mTorr.

Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备 CD 1000上海伯东代理比利时 Europlasma 等离子表面处理设备 CD 1000, 智能操作简单, 等离子腔容积 490 L, 标准 3个托盘设计, 可按需定制, PLC 控制, 方便集成于 ERP 系统, 适用于 PCB, 子组件或完全组装生产. 根据样品应用可选择 Nanofics@ 或无卤素涂层技术 PlasmaGuard 工艺, 实现样品表面的等离子活化改性, 超亲水纳米涂层 WCA10, 超疏水疏油涂层 WCA 120, 满足样品防水, 亲水, 疏油, 防腐, 等离子活化等功能.Europlasma 低压等离子表面处理设备 CD 1000 参数腔室材料：铝有效尺寸：1000 x 700 x700mm容积：490L舱门：装有可视窗口标准托盘：3至5个 尺寸:858 x 672mm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能1. 17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程 2. 根据处理材料设定不同的处理工艺参数 3. 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度. 频射发生器输入电压等指标 4. 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内 5. 设定操作进入密码.6. 可定制 ERP, SAP 系统接口电源380V AC, 三相，50Hz, 40A反应气体气体输入端口, 含气体流量控制器 (MFC), 最多可以 5个 MFC, 可多种工艺气体混合气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口, VOC 尾气处理装置性能急停开关 真空泵保护锁 高温保护锁 CE认证. Europlasma 低压等离子表面处理, 活化改性设备适用于涂覆如下产品:1. 可穿戴电子设备: 蓝牙耳机, 助听器, 手环, 手表等2. 薄膜: 锂电池行业, 精密仪器等3. 无纺布和功能性纺织物: 运动户外产品4. 无卤素 PCB 元器件5. 医用器材: 医用导管, 口罩, 针座活化, 人体植入,细胞培养瓶活化.Europlasma 在 PCB 生产领域的应用: 通过使用无卤素涂层技术 PlasmaGuard, 实现 PCB 防水.1. 多层板生产中内层的处理2. 高厚径比板的处理3. 微孔, 埋孔, 盲孔, 激光钻孔板的处理4. 使用新型树脂材料板的处理5. 铁弗龙基材板的处理 (只能用等离子技术处理)6. 软板的处理7. 成板焊接前处理Europlasma 在生物医疗活化的应用: 通过使用 Nanofics@, 实现超亲水特性 WCA＜10° 1. 对产品表面预清洁: O2 等离子体可以吸附附着在产品表面的微小颗粒物及其他污染物, 通过真空泵把混合气体抽出真空腔, 达到预清洁的效果2. 减小产品表面张力, 使得产品的水接触角明显减小, 匹配合适的等离离子能量和浓度, 可以做到产品表面水接触角 WCA＜10°, 3. O2 等离子体在产品表面发生化学反应, 产品表面可以增加很多功能性官能团, 包括羟基 (-OH ), 羧基 ( -COOH ), 羰基 ( -CO- ）, 氢过氧基 (-OOH ) 等, 这些活性官能团在细胞培养过程中可以提高反应速度和活性.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。