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半导体材料的发展历程,全球半导体材料的产业格局,中国半导体材料的发展机遇
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本次报告将围绕深紫外发光二极管(DUV LED)、Micro-LED、日盲紫外探测器和肖特基功率二极管(SBD),详细阐述半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用,同时深入探讨影响各类半导体器件性能指标的关键因素,并提出优化设计方案:(1)探索提高AlGaN基DUV LED载流子注入效率、光提取效率、电流扩展效应的方法及机理;(2)研究抑制GaN基Micro-LED侧壁非辐射复合的方法,并提高发光效率;(3)研究降低紫外探测器的暗电流、提高响应度的方法和相关器件物理;(4)利用半导体仿真技术探索GaN基SBD的击穿过程,并优化器件架构设计,制备高击穿电压的GaN基SBD。
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纳米材料场效应传感器具有无标记检测、灵敏度高、响应速度快、实时检测能力强、可小型化等优点,在分析临床相关生物标志物方面有着极其广泛的应用。硅纳米线(silicon nanowire)作为一维纳米材料,具有高的比表面积、易功能化、制备与CMOS工艺兼容等特点,基于硅纳米线场效应传感器(silicon nanowire field effect transistor, SiNW-FET)能够对离子、核酸、蛋白质、病毒、细胞、糖类等生物和化学小分子进行快速检测,而且器件制作的成本低、微型化、易实现大规模制造等优势,有望应用于便携式及时检测(point-of-care testing, POCT)领域。
但是在高离子强度溶液中检测目标生物分子时会受到德拜屏蔽效应的严重影响,从而极大限制了硅纳米线场效应生物传感器的应用。并且由于场效应传感器原理限制,只能检测带电荷目标物,对于弱电荷分子检测效果会有影响。报告总结了课题组在此领域工作进展。
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聚焦离子束、飞秒激光微纳加工,由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势,成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加,对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段,分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。
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氮化镓材料是第三代半导体的典型代表,利用该材料异质结结构2DEG优势制造的新一代功率器件已经进入民用和军用领域。增强型(常关型)操作是目前该领域的主要技术难题之一,本次报告将介绍氮化镓增强型功率器件的关键技术问题和研究进展。
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智能传感技术在电力设备中的应用
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1.EPMA基本原理及功能
2.EPMA vs. SEM+EDS
3.岛津EPMA产品特点
4.EPMA在汽车尾气催化相关材料中的应用
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EMMI缺陷定位方法在芯片失效分析中的应用
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本期网络课堂旨在介绍光学显微镜的构造、原理以及典型应用等,使电子、半导体和材料等领域的从业者对显微镜有系统的认知和掌握;以及徕卡大机台显微镜和数码显微镜的功能及它们在微电子半导体行业的应用。
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器件替换不只是简单的供电电压、管脚逻辑等基本功能的兼容,还包括了很多其他的因素需要考虑,不周密抉择的话,严重的症状是换上不好用,还有更换后会发生小概率性的故障,查找问题原因又无从查起。本报告的内容就是专门针对这个具体问题。
1、IC原位替代时的重点关注隐患参数
2、不同厂家之间器件的质量水平判别方法