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杨涵 博士研究生

北京大学

个人简介:杨涵,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心博士研究生,主要研究方向为氮化物半导体材料缺陷特性。开展大量氮化物材料结构和缺陷表征工作,相关研究成果发表于Advanced Functional Materials、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等国际期刊以及International Electron Devices Meeting (IEDM)、 International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)等国际会议。查看更多

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    大会报告:氮化物半导体材料缺陷表征与缺陷调控研究 第五届半导体材料与器件分析检测新技术网络会议

    2024.10.23 09:30-12:00

    深入理解并有效调控缺陷几乎是所有半导体材料和器件的目标。GaN基半导体材料中的缺陷以点缺陷和线缺陷(位错)为主。本报告主要介绍北京大学宽禁带中心近年来开展的一系列GaN材料点缺陷和位错的表征和调控工作,为从原子尺度理解材料缺陷特性、以及通过调控缺陷实现高质量GaN材料和器件奠定基础。查看更多
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