PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
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$20万

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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

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欧洲

  • 银牌
  • 第5年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

PICOSUN™ ALD R-200 Standard

 

名称:原子层沉积系统  产地:芬兰
 

Picosun简介

Picosun是一家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui  大的电子制造商,小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。

Picosun独特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法,并在工业上获得了 。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有无与伦比的ALD经验,并且为ALD的许多 做出了贡献。

    PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现ji佳的均匀性,包括zui具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度zui小的薄膜层。在zui基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。

 

 

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。

敏捷的设计实现了zui高质量的ALD薄膜沉积以及系统的zui终灵活性,可以满足未来的需求和应用。 的热壁设计具有完全独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在zui具挑战性的通孔,超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。

技术指标

 

衬底尺寸和类型

50 – 200 mm /单片

zui大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25/批次(根据工艺)

156 mm x 156 mm 太阳能硅片

3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳)

粉末与颗粒(配备扩散增强器)

多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品

工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C

基片传送选件

气动升降(手动装载)

预真空室安装磁力操作机械手(Load lock

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

4根独立源管线,zui多加载6个前驱体源

对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D)

取决于选件

zui146 cm x 146 cm x 84 cm

zui189 cm x 206 cm x 111 cm

选件

PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCMRGAN2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集

成(用于惰性气体下装载)。

验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺

 

 

应用领域

客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。

 

材料

非均匀性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 


售后服务承诺

保修期: 1年

是否可延长保修期:

现场技术咨询:

免费培训: 技术人员现场培训

免费仪器保养: 2个月1次

保内维修承诺: 软件免费重装,硬件维修

报修承诺: 24小时到达

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