EVG 850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG®850LT   SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种融合/分子晶圆键合应用       ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行

盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）；         无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁；                    ；   机械平整或缺口对齐的预粘合

先进的远程诊断技术数据

晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预粘接室

对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50 μm，θ：±0.1°

结合力：最高5 N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）

LowTemp™等离子激活模块

2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量最高）

通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速最高可达到20.000 sccm

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹

配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）；    腔室：由PP或PFA制成

清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；

旋转：最高3000 rpm（5 s）

清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）

可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）；  LowTemp™等离子活化室

红外检查站

EVG®850   Automated Production Bonding System for SOI

EVG®850   SOI的自动化生产粘合系统

自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用

技术数据

SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统，SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是唯一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。

特征

生产系统可在高通量，高产量环境中运行；     自动盒带间或FOUP到FOUP操作

无污染的背面处理；                         超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对齐的预粘合；               先进的远程诊断

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预粘接室

对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50 μm，θ：±0.1°

结合力：最高5 N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）

清洁站

清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）

腔室：由PP或PFA制成（可选）

清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（最大）。 2％浓度（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成

旋转：最高3000 rpm（5 s）

清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）

可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）；  LowTemp™等离子活化室；