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产品名称: | 磷化铟(InP)晶体基片 |
产品简介: | |
技术参数: | 单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3 :1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2 :<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dyn Cm-2
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常规尺寸: | 常规晶向:<100>; 常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm; 抛光情况:单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
备注: | 1000级超净室100级超净袋 |
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