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产品名称： | 氮化镓(GaN)晶体基片 |
产品简介： | GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。 |
技术参数： | 制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15umBow:≤20um
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产品规格： | 晶体方向: <0001>;常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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