减压化学气相沉积（RPCVD）SEPIR 1500
第四族合金（锗锡硅碳）是用于研发硅光电子产品的
重要材料。这些合金有可能被用于高迁移率金氧半场效晶体管（MOSFET），或者用作从间接带隙跃迁到直接带隙的合金，用于光电子应用领域。实际上，一种
硅单片解决方案受到了很大的关注。这种解决方案可以把互补金氧半导体（CMOS）和光电子元件集成到一个芯片上。
Epiluvac提供了一种的方法，用于在较宽的温度范围内培育单晶锗锡硅碳合金的生长，包括选择性和非选择性两种生长。
通过采用*的应变工程方法，我们有能力培育（双轴或单轴）拉伸应变和压缩应变层以及无应变锗锡硅碳层。
Sepir 1500是一种减压化学气相沉积（RPCVD）反应器，在20托的低压下运行，采用Si3H8（Si2H6或SiH4）、Ge2H6（或GeH4）、SnCl4和SiH3CH3作为硅、锗、锡和碳的前体。
通过采用B2H6和PH3前体，可以获得较宽范围的外延层p型和n型掺杂量。
为了帮助客户顺利使用新反应器，Epiluvac可以提供多样的支持，包括标准方法、进一步的过程开发和材料生长表征。
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