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基于干涉测量技术，LEM 可在蚀刻/沉积制程中对薄膜厚度和沟槽深度进行高精度检测。根据应用的不同，当 LEM 安装在任何干法蚀刻/沉积制程腔室上，直接俯视晶圆时，会在样品表面产生小激光点。单色光照射到样品表面时会发生干涉，由于薄膜的厚度和高度变化，会导致不同的光程长度，因此可实时监测蚀刻/沉积速率和厚度，也允许条纹计数或更复杂的分析，为各种工艺提供增强的制程控制终点检测。LEM 包含 670、905 或 980 nm 激光器，可供选配的 3 种激光波长兼容各种薄膜，包括 SiN、SiO2、GaAs、InP、AlGaAs、GaN……LEM 根据材料应用可选择使用可见（670 nm）或近红外激光器（905 nm、980 nm）。此外，界面层可通过其反射率的变化来检测。
LEM 可以安装在任何工艺腔室上，具有晶圆的直接顶视图，并提供样品表面的实时数字 CCD 图像，使光斑定位变得简单。
随着蚀刻过程的进行，光谱相对于蚀刻深度产生干涉。一个周期内的蚀刻量显示为厚度/深度 = λ（激光波长）/2n（蚀刻膜折射率）。
根据材料结构（每层以其材料、厚度和蚀刻/沉积速率表征）和所用波长的理论干涉曲线，可以在晶圆上进行实际工程之前获得参考曲线。
HORIBA 为 WIN10 PRO 64 位电脑提供专用于干涉监测和终点检测的 HORIBA 软件.
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