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EMT2400常温、77k霍尔效应测试仪
测量半导体薄膜Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
样品尺寸: | Up to 15 mm x 15 mm Optional for larger size |
标准样品 | 无 |
测试温度: | 室温、77k |
载流子浓度(cm-3): | |
迁移率(): | 0.5 ~ 108 cm2/Volt.sec |
电阻率 (?.㎝): | 10-3 ～ 108 |
电流源: | ±100pA to ±1A |
电流分辨率 | 1.0 μA@50pA; 100.0μA@1nA |
最大电压 | ±210V@±105mA, ±21V@±1.05A (20W) |
霍尔电压范围: | ±5μV to ±200V |
输入电压范围： | ±5μV to ±200V |
磁极间隙： | 20mm |
均匀度： | < ± 1% |
稳定性: | 0.02%(one year) |
磁场强度: | 0.75T |
升级变温霍尔系统 | 4K~1000K |
升级电磁场 | 1T, 1.5T, 2T |
保修 | 一年质保 |
