溅射离子枪，离子源，原子源

溅射离子枪主要用途:

• 溅射清洗/表面科学中样品表面处理, MBE and HV 溅射过程

• 离子辅助沉积

• 离子束溅射镀膜

• 反应离子刻蚀
  技术指标:

  离子能量	25eV - 5keV
  总的离子束电流	1mA (at 5kV with Argon) High Current Version: up to 4mA (at 5kV with Argon)
  电流密度	120μA/cm2 at 100mm working distance
  离子束发散角	Ion energy dependant (typically 15°)
  工作距离	100 mm (typically)
  等离子体杯	Alumina (superior than other dielectric materials due to highest yield of secondary electrons)
  气体进气口径	CF-16 (1.33“OD)
  气体流速	1 - 5 sccm (1,5 sccm typical, gas dependant)
  工作真空度	10-6mbar - 10-3mbar (1x10-5mbar typical in chamber with 300l/s pimp). Low 10-6 mbar range possible - beam current then 140μA max.
  激发模式	微波放电等离子体 (无灯丝)
  安装口径	CF-35 (2.75“OD)
  枪直径	34mm (真空端)
  泄露阀	需要气体质量流量计

第二代等离子体源，可以提供离子源，原子源，离子/原子混合源

原子源主要用途：
制备氮化物， e.g. GaN, AlN, GaAsN, SiN etc.
氢原子清洗，氢原子辅助MBE.
制备氧化物， e.g. ZnO, Superconductors, Optical coatings, Dielectrics. 
掺杂， e.g. ZnSe
离子源用途:
离子束辅助沉积(IBAD) for both UHV and HV processes
溅射沉积，双离子束溅射，Sputter deposition and dual ion beam sputtering
溅射清洗/表面科学中的样品表面处理，Sputter cleaning / surface preparation in surface science, MBE and HV sputter processes.
原位刻蚀， e.g. Chlorine 

技术参数：

真空兼容性：完全UHV兼容

可烘烤：>200°C

微波功率：最大250W，2.45GHz

磁铁类型：永久稀土。可在不破坏真空的情况下进行烘烤

安装：NW63CF（4.5“OD）

真空长度：300mm（可定制长度）：真空直径最大值=57mm

光束直径：源处约25mm（较窄的光束也容易产生）

等离子杯：氧化铝

孔径：氧化铝或氮化硼

气体流速：0.01-100sccm，取决于所选孔径

工作压力：约10-7托至5x10-3托，取决于孔径、泵和应用-请联系tectra讨论您的应用。提供差动泵选项

工作距离：50mm-300mm。150mm（典型值）

冷却：全水冷（包括磁控管）

电源：

微波炉

电网供电*

*仅限离子源和混合源

19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz

19“机架安装。3U高度。230VAC，50Hz或115VAC，60Hz

主要特点：

无灯丝

适用于大多数气体，包括反应性气体，如氧气、氯气、氢气、氮气等。

无微波调谐

出厂设置，只需打开和关闭等离子。

用户可配置

提取光学器件设计为可快速方便地更换，允许用户自定义其来源，以适应样本大小、工作压力和电流密度的特定组合。易于更换的孔径使光束直径、气体负载和原子通量得以优化。

简单烘烤制备

新的可烘烤ECR磁体只需松开4个螺钉，即可进行简单的烘烤准备。磁体不需要移除，但仍位于封闭冷却回路的空气侧。因此，没有烧结材料暴露在真空中。

Al2O3等离子区

氧化铝等离子杯作为标准，具有更高的二次电子产量、更好的抗腐蚀性气体（如氧气）和理想的等离子打击能力

从法兰（刀口侧）到外壳端，空气侧环境坡度的最小值仅为258mm