MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
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MMR

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K2500

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美洲

  • 金牌
  • 第12年
  • 一般经销商
  • 营业执照已审核
核心参数
1.名称: 霍尔效应测试仪
2.功能描述: 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3.设备明细:
3-1 测试范围: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2 磁场:
3-2-1 磁场强度: 0.5T 电磁体   (0.5T 永磁体   /  1.4T 电磁体   两种磁场可选)
3-2-2 磁场类型: 电磁体
3-2-3 磁场均匀性: 磁场不均匀性<±1 %
3-3 测试样品:
3-3-1 样品测试仓: 全封闭、带玻璃窗口
3-4 温    度:
3-4-1 温度区域: 80K ~730K
3-4-2 温控精度: 0.1K
3-4-3 温控稳定性: ±0.1 K
3-5 电阻率范围: 10-6~1013 Ohm*cm
3-6 电阻范围: 10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7 载流子浓度: 102~1022cm-3
3-8 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
3-9 输入电流:
3-9-1 电流范围: 0.1 pA~10mA
3-9-2 电流精度: 2%
3-10 输入电压:
3-10-1 电压范围: ±2.5V,最小可测到6×10-6V
3-10-2 电压分辨率: 3×10-7V
3-10-3 电压精度: 2%

 

典型用户
用户单位 采购时间
中科院光机所 2011-07-22
北京航空航天大学 2012-11-28
上海交通大学 2012-06-11
华南理工大学 2010-10-20
  • 美国MMR K2500变温霍尔效应测试仪器规格参数样本.研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数

    1177MB 2013-04-26
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