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| 1 | 应用范围: | 研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数 | |
| 2 | 规 格: | ||
| 2-1 |
Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm 最大样品尺寸:15mm x15mm (可定制) | ||
| 2-2 |
Measurement Temperature: 300K (room temperature), optional 77K. 测试温度: 室温、可选配液氮低温77K | ||
| 2-3 |
Measurement Material: Semiconductors material such as Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type) 测试材质:半导体类材质、如： Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型) | ||
| 2-4 |
Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁场强度: 0.68 Tesla ±1% | ||
| 2-5 |
Magbnet Stability: ±2% over 1 years 稳定性: ±2% （一年后） | ||
| 2-6 |
Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均匀度：± 1%(20mm直径圆范围内) | ||
| 2-7 |
Pole Gap: 20 mm 磁极间隙：20毫米 | ||
| 2-8 |
Input voltage range: 1μV to 300V 输入电压范围：1μV ~300V | ||
| 2-9 |
Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍尔电压范围: 10uV to 2000mV | ||
| 2-10 |
Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107 电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107 | ||
| 2-11 |
Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107 | ||
| 2-12 |
Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021 载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021 |
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 辽宁科技大学 | 2013-06-20 |
| 浙江大学 | 2013-03-15 |
| 电子科技大学 | 2012-10-18 |
| 中国建材科技集团玻璃研究院 | 2011-08-20 |
| 绵阳九院 | 2011-05-10 |
| 哈尔滨工业大学 | 2011-12-08 |
MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
型号：K2500 面议
德国Phystech深能级瞬态谱仪
型号： FT 1230 1000 - 9999
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型号：RH2035 面议台湾SWIN品牌、型号Hall8800霍尔效应测试仪器操作说明书，详细介绍如何用Hall8800去测试半导体材料的载流子浓度，迁移率。 测试材质:半导体类材质、如：Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
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