无掩模曝光机

美国IMP（Intelligent Micro Patterning,LLC）公司凭借多年的光刻设备生产经验和多项无掩模曝光专利技术，已成为无掩模紫外光刻领域的领导者。

     产品优点：
     微米和亚微米光刻
      紫外光直写曝光,无需掩模，大幅节约了掩模加工费用
     灵活性高，可直接通过电脑设计光刻图形，并可根据设计要求随意调整。
      可升级开放性系统设计。
      按照客户要求可从低端到高端自由配置
     使用维护简单, 设备耗材价格低。
      应用范围广，目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。

    SF-100 XTREME型
      汞灯光源,多种波长可选
      最小像素 1um
      1.25 micron with 4X reduction lens
      0.50 micron with 10X reduction lens
      0.25 micron with 20X reduction lens

   平台参数
      Automated Stage Assembly
      High Precision Linear Drive Stage
      X and Y Movement
      Total travel: 100, 150, or 200 mm
      Accuracy: +/-200 nm per axis
      Repeatability: +/- 50 nm per axis
      Z Movement
      Total travel: 25 mm
      Accuracy: +/- 200 nm
      Repeatability: +/- 75 nm
      Theta Movement
      Total travel: 360 degrees
      Accuracy: +/-5 arc sec
      Repeatability: +/-2 arc sec