半导体&电子测试测量,投稿:kangpc@instrument.com.cn
近日,由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破,也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域,打开百亿级市场迈出了坚实的一步。
集成电路领域高速发展,对芯片制造工艺提出了更具挑战的要求,其中就包括如何用绝缘介质在各个薄膜层[1]之间进行均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护。为了满足以上需求,HDPCVD设备已经成为介质薄膜沉积工艺的重要设备。
[1]包括浅槽隔离(Shallow-Trench-Isolation,STI),金属前绝缘层(Pre-Metal-Dielectric,PMD),金属层间绝缘层(Inter-Metal-Dielectric,IMD)等。
据介绍,Orion Proxima作为北方华创推出的国产自研高密度等离子体化学气相沉积设备,主要应用于12英寸集成电路芯片的浅沟槽绝缘介质填充工艺。此款设备通过沉积-刻蚀-沉积的工艺方式可以有效完成对高深宽比沟槽间隔的绝缘介质填充,借助北方华创在刻蚀技术上的积累,发挥其高沉积速率、优异的填孔能力和低温下进行反应得到高致密的介质薄膜的优势,获得多家业内客户关注。
北方华创表示,现阶段,Orion Proxima技术性能在迭代升级中已达业界先进水平:通过灵活可控的软件系统调度优化与自主研发特有传输平台的结合,助力客户实现产能的大幅提升,取得双赢;通过提供不同的硬件配置方案,满足了包括填孔能力、膜层质量、颗粒控制等工艺需求的同时,更实现了对逻辑、存储及其他特色工艺领域客户的全覆盖。Orion Proxima HDPCVD通过优化机台结构,缩小了整机占地面积,节省了客户空间运营成本;通过优化排气管路设计,提高了清洗效率;通过优化开盖方式,缩减了人力维护开支,提高了设备生产效率。
[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载
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