半导体&电子测试测量,投稿:kangpc@instrument.com.cn
KLA公司(纳斯达克股票代码:KLAC)宣布为高级存储芯片制造商推出革命性的Axion® T2000 X射线测量系统。3D NAND和DRAM芯片的制造涉及精确形成具有深而窄的孔和沟槽以及其他复杂建筑形状的极高结构 - 所有这些都需要在纳米级进行控制。Axion T2000 采用专利技术,能够以前所未有的分辨率、准确度、精度和速度组合测量高纵横比设备特征。通过发现可能影响存储芯片性能的小形状异常,Axion T2000有助于确保成功生产用于5G、人工智能(AI)、数据中心和边缘计算等应用的存储芯片。
KLA半导体过程控制业务部总裁Ahmad Khan表示:“我们新的Axion T2000 X射线计量系统改变了先进3D NAND和DRAM设备制造过程中在线过程控制的游戏规则。“使用透射式X射线技术,Axion T2000可以快速生成100:1或更高的高纵横比结构的完整3D可视化。从这些极端垂直特征的顶部到最底部,Axion 数据有助于严格控制关键参数,例如宽度、形状和倾斜度。此外,通过在线测量,Axion缩短了解决存储芯片大批量生产期间关键良率和可靠性问题所需的周期时间。
Axion T2000 是一款 CD-SAXS(临界尺寸小角度 X 射线散射)系统,利用行业独特的 X 射线技术对存储设备特征的关键尺寸和 3D 形状进行高分辨率测量。高通量源提供通过整个垂直存储结构传输的X射线,无论它现在或将来有多高,都可以测量复杂的设备形状。具有行业领先动态范围的载物台有助于从多个角度获取衍射图像,以渲染丰富的3D几何信息。新颖的AcuShape®算法有助于测量许多关键设备参数,并提取可能影响最终存储芯片功能的细微变化。凭借这些创新,Axion T2000 可无损地生成所需的尺寸计量数据,以帮助内存制造商在线优化、监测和控制关键工艺步骤。
[来源:仪器信息网译] 未经授权不得转载
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